省级促进经济高质量发展专项资金电子信息产业项目入库申报指南模板.docx
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省级促进经济高质量发展专项资金电子信息产业项目入库申报指南模板.docx
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省级促进经济高质量发展专项资金电子信息产业项目入库申报指南模板
2021年省级促进经济高质量发展专项资金(工业互联网和新一代信息技术发展)电子信息产业项目入库申报指南
一、支持范围和方向
(一)支持半导体和集成电路产业发展(专题1)
方向1:
高端电子元器件产业化项目。
支持范围包括高端片式电容器、高端片式电阻器、高端片式电感器、5G工业模组以及重点应用领域具备较大竞争优势的其他高端电子元器件。
(专题1.1,申报指引详见附件1)
方向2:
芯片产品量产前首轮流片项目。
支持范围包括采用先进特色工艺制程流片的5种芯片、《广东省人民政府办公厅关于印发广东省加快半导体及集成电路产业发展若干意见的通知》(粤府办〔2020〕2号)明确重点发展方向的10种芯片、重点应用领域具备较大竞争优势的4种芯片。
(专题:
1.2,申报指引详见附件2)
(二)超高清视频应用示范项目(专题2)。
支持市内医院、学校、宾馆、酒店、养老机构等企事业单位建设超高清视频应用示范点,按照《XX市工业和信息化局XX市教育局XX市民政局XX市商务局XX市卫生健康局关于开展2020年超高清视频应用示范项目入库申报工作的通知》执行。
二、申报总体要求
(一)申报主体是在XX市行政区域内注册、具有独立法人资格的企(事)业法人单位。
近5年以来申报主体在专项资金管理、专项审计、绩效评价、监督检查等方面未出现过较为严重的违法违规情况,且不存在未按期完成财政专项资金扶持项目验收的情况。
(二)项目实施必须在XX市境内,应用基础较好,具有行业发展需求和一定规模的客户群体。
(三)项目有明确、量化的经济效益、社会效益,绩效目标应可考核、可量化,且符合省财政专项资金和地市的绩效目标要求。
(四)项目原则上未获得过省财政资金专项支持,未申请省级财政资金其他项目入库。
(五)项目只有一个申报主体,不允许联合申报。
各专题申报的其他条件详见对应的申报指南。
三、申报程序
(一)项目申报。
本次申报采取网上申报和纸质申报同步进行的方式,申报单位按照《申报指南》要求编制项目申报材料,于8月1日前提交至辖区工业和信息化主管部门,并同步在广东省工业和信息化厅财政专项资金管理系统http:
//210.76.80.141填写申报材料(登录系统后可在通知公告中查阅专项资金申报企业操作手册,专题2超高清视频应用示范项目也要网上填报),申报扶持方向请选择促进经济高质量发展-信息化和信息产业发展-工业互联网和新一代信息技术产业发展-支持半导体和集成电路产业发展(专题1)或支持超高清视频显示产业发展(专题2)。
申报单位对申报项目及申报资料的真实性、合法性和可行性负责。
(二)项目推荐。
各区工业和信息化主管部门对项目申报材料进行初审,同意推荐的出具推荐函,连同项目入库推荐汇总表、申报材料报送至市工业和信息化局。
(三)项目评选。
市工业和信息化局委托第三方机构组织专家开展项目评审,并将结果予以公示。
附件:
1.高端电子元器件产业化项目申报指南
2.芯片产品量产前首轮流片项目申报指南
3.入库申报书(模板)
附件1
高端电子元器件产业化项目申报指南
一、政策依据
《广东省人民政府办公厅关于印发广东省加快半导体及集成电路产业发展若干意见的通知》(粤府办〔2020〕2号)要求,推动电子元器件企业与整机厂联合开展核心技术攻关,提升我省高端片式电容器、电感器、电阻器等元器件产品市场占有率。
二、支持范围
申报支持的工程产品包括高端片式电容器、高端片式电阻器、高端片式电感器以及重点应用领域具备较大竞争优势的其他高端电子元器件,申请时须满足下列条件之一:
(一)高端片式电容器
1.超微型片式多层陶瓷电容器(产品尺寸不大于01005)
2.高容量片式多层陶瓷电容器(产品尺寸不大于0805且容量大于10uF或产品尺寸不大于0201且容量大于1uF)
3.超高压片式多层陶瓷电容器(产品尺寸不大于3838且容量不小于100pF且工作电压大于6000V)
4.耐高温片式多层陶瓷电容器(X8R)
5.车规级片式多层陶瓷电容器
6.5G通信用微波陶瓷电容器
7.5G通信用微波芯片电容器
(二)高端片式电阻器
8.超微型片式电阻器(产品尺寸不大于01005)
9.薄膜片式电阻器(温度系数不大于10PPM/℃)
10.高可靠性抗硫化片式电阻器(抗硫化能力大于1000小时)
11.高压片式多层压敏电阻器(工作电压不小于220VAC)
12.高精度片式NTC热敏电阻器(阻值精度不大于1%)
13.车规级片式电阻器
(三)高端片式电感器
14.超微型片式电感器(产品尺寸不大于01005)
15.超大电流片式电感器(产品尺寸不大于0805且感量不小于4.7uH时工作电流不小于0.5A)
16.超高Q值陶瓷电感器(产品尺寸不大于0201且测试频率500MHz时Q值大于20)
17.微型片式共模电感器(产品尺寸不大于0605)
18.车规级片式电感器
(四)其他高端电子元器件
19.薄膜无源集成器件
20.高功率密度系统级封装电源管理模组
21.FBAR高频滤波器
22.GaN基毫米波整流器
23.IC倒装封装基板
24.5G通信用氧化铝陶瓷基板
25.毫米波阵列天线
26.4K/8K超高清摄录设备及模组
27.5G工业模组
三、专题申报条件
申报单位除应符合总体要求外,还应符合以下专题申报要求:
1.申报主体为电子信息重点领域生产企业,要求以电子元器件制造为主营业务,且制造销售(营业)收入占企业收入总额的比例不低于60%。
2.申报主体注册成立已满至少一个完整会计年度。
3.项目启动时间不早于2018年8月1日,完工时间不迟于2020年7月31日。
在此期间内(以发票和支付凭证时间为准),项目投入的工程研发及产业化费用(仅限于设备购置费、配套软件购置费、设备软件安装调试费、研发材料购置费、自研设备外协加工费、工程样品测试费)不低于500万元。
4.项目产品已经实现商业化。
5.项目具有核心自主知识产权,需新增发明、实用新型等知识产权成果和工艺、技术标准等。
四、支持方式
本方向项目财政扶持资金采用事后奖励方式,对符合条件的项目,择优分别按照在2018年8月1日至2020年7月31日期间内(以发票和支付凭证时间为准),不超过已投入产业化费用(仅限于设备购置费、配套软件购置费、设备软件安装调试费、研发材料购置费、自研设备外协加工费、工程样品测试费)30%的标准予以补助,此专题同一主体每年只能申报一个项目,奖补资金不超过1000万元,具体补助额度根据年度资金预算控制指标和入库项目申请情况等因素确定。
五、申报材料要求
申报单位应按照规定格式编制申报材料,将申报材料于8月1日前提交所在地市工业和信息化主管部门。
其中,工程研发及产业化项目申报表中年度上缴税收数据以税务部门出具的税收证明数据为准,年度财务数据须经有资质的会计师事务所提供的审计报告数据为准,知识产权情况以国家、省、市有关部门出具的技术专利等信息为准,资金统计数据以相关合同与发票、付款凭证为准,项目创新性分析须提交申报的工程产品与业界同类性能最优产品的对比分析数据,列举产品的技术优势和应用前景,以及该应用领域客户以往产品使用情况,并附产品外观照片等材料。
附件2
芯片产品量产前首轮流片项目申报指南
一、政策依据
根据《广东省加快半导体及集成电路产业发展的若干意见》(粤府办〔2020〕2号,以下简称《若干意见》),要求对“我省高等学校、科研机构以及集成电路设计企业开展拥有自主知识产权的28nm及以下或具备较大竞争优势的芯片流片,省促进经济高质量发展专项资金对产品量产前首轮流片费用按不超过30%给予奖补,同一主体每年奖补的研发资金不超过1000万元”,并明确此项任务由省工业和信息化厅负责,每年组织实施。
二、支持范围
申报芯片产品量产前首轮流片包括采用先进特色工艺制程流片的芯片、《若干意见》明确重点发展方向的芯片、重点应用领域具备较大竞争优势的芯片,申请时须满足下列条件之一:
(一)采用先进特色工艺制程流片的芯片
1.采用28nm及以下制程流片的数字芯片
2.采用180nm及以下制程流片的模拟芯片或数模混合芯片
3.采用GaAs、GaN、SiC化合物半导体工艺流片的功率或射频芯片
4.采用FDSOI制造工艺流片的芯片
5.采用BCD制造工艺流片的芯片
(二)《若干意见》明确重点发展方向芯片
6.高端通用芯片【存储芯片、处理器芯片(CPU、GPU、FPGA、DSP)】
7.射频芯片
8.传感器芯片(采用CMOS、MEMS工艺)
9.基带芯片
10.交换芯片
11.光通信芯片
12.显示驱动芯片
13.RISC-V(基于精简指令集原则的开源指令集架构)芯片
14.车规级AI(人工智能)芯片
15.毫米波芯片、太赫兹芯片
(三)重点应用领域具备较大竞争优势的芯片
16.5G通信芯片
17.超高清视频芯片(编解码芯片、数据传输芯片、高端CMOS图像传感器芯片)
18.物联网智能硬件核心芯片(工业物联网芯片、低功耗广域网芯片、通讯射频芯片、身份识别类芯片、物联网安全芯片和移动支付芯片)
19.生物医疗芯片(表达谱芯片、疾病检测芯片、商检芯片、蛋白芯片、基因芯片、细胞芯片、组织芯片、生物芯片识别仪、微点阵生物芯片、微流路生物芯片)
三、专题申报条件
申报单位除应符合总体要求外,还应符合以下专题申报要求:
1.申报主体为高校、科研院所和集成电路设计企业,其中集成电路设计企业是指以集成电路设计为主营业务并同时符合下列条件的企业:
一是拥有核心关键技术,并以此为基础开展经营活动;二是集成电路设计销售(营业)收入占企业收入总额的比例不低于60%,其中集成电路自主设计销售(营业)收入占企业收入总额的比例不低于50%;三是具有与集成电路设计相适应的生产经营场所、软硬件设施等开发环境(如EDA工具、合法的开发工具等),以及与所提供服务相关的技术支撑环境。
2.申报主体注册成立已满至少一个完整会计年度。
3.允许申报主体委托全资子公司或产业平台机构在集成电路制造企业流片。
4.申报芯片产品量产前首轮流片为首次在集成电路生产线上完成流片,不含正式量产后批量流片。
5.申报2021年度芯片产品量产前首轮流片时间应在2019年8月1日至2020年7月31日期间内完成(以发票和支付凭证时间为准)。
6.申报的芯片产品已完成集成电路布图设计登记证书申请或已授权的发明专利。
四、支持方式
本方向项目财政扶持资金采用事后奖励方式,对符合条件的项目,择优分别按照不超过芯片产品量产前首轮流片费用(包括IP授权或购置、掩模版制作、流片等)30%的标准予以补助,每个项目最高支持不超过500万,同一主体每年奖补的研发资金不超过1000万元,具体补助额度根据年度资金预算控制指标和入库项目申请情况等因素确定。
五、申报材料要求
申报单位应按照规定格式编制申报材料,将申报材料于8月1日前提交所在地市工业和信息化主管部门。
其中,芯片产品量产前首轮流片项目申报表中年度上缴税收数据以税务部门出具的税收证明数据为准,年度财务数据须经有资质的会计师事务所提供的审计报告数据为准,知识产权情况以国家、省、市有关部门出具的集成电路布图设计登记证书、技术专利等信息为准,流片资金统计数据以相关合同与发票、付款凭证和制造单位出具的流片产品工艺制程证明为准,境外加工的需提供报关单或委外加工证明,项目创新性分析须提交申报的芯片流片产品与业界同类性能最优产品的对比分析数据,列举芯片产品的技术优势和应用前景,以及该芯片应用领域客户以往产品使用情况,并附芯片版图彩印缩略图、产品外观照片等材料。
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