薄膜制备技术基础原著第4版.docx
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薄膜制备技术基础原著第4版
薄膜制备技术基础(原著第4版)
作者:
[日]麻蒔立男
出版社:
化学工业出版
出版日期:
2009年5月
开本:
16开
册数:
1册
光盘数:
0
定价:
39.8元
优惠价:
36元
进入20世纪,书籍已成为传播知识、科学技术和保存文化的主要工具。
随着科学技术日新月异地发展,传播知识信息手段,除了书籍、报刊外,其他工具也逐渐产生和发展起来。
但书籍的作用,是其他传播工具或手段所不能代替的。
在当代,无论是中国,还是其他国家,书籍仍然是促进社会政治、经济、文化发展必不可少的重要传播工具。
详细介绍:
第1章薄膜技术
11生物计算(biocomputing)和薄膜技术
12医用微型机械
13人工脑的实现(μElectronics)
14大型显示的实现
15原子操控
16薄膜技术概略
参考文献
第2章真空的基础
21真空的定义
22真空的单位
23气体的性质
231平均速率 Va
232分子直径 δ
233平均自由程 L
234碰撞频率 Z
24气体的流动和流导
241孔的流导
242长管的流导 (L/a≥100)
243短管的流导
244流导的合成
25蒸发速率
参考文献
第3章真空泵和真空测量
31真空泵
311油封式旋片机械泵
312油扩散泵
313吸附泵
314溅射离子泵
315升华泵
316冷凝泵
317涡轮泵(分子泵)和复合涡轮泵
318干式机械泵
32真空测量仪器——全压计
321热导型真空计
322电离真空计——电离规
323磁控管真空计
324盖斯勒(Geissler)规管
325隔膜真空计
326石英晶振真空计
327组合式真空规
328真空计的安装方法
33真空测量仪器——分压计
331磁偏转型质谱仪
332四极质谱仪
333有机物质质量分析IAMS法
参考文献
第4章真空系统
41抽气的原理
42材料的放气
43抽气时间的推算
44用于制备薄膜的真空系统
441残留气体
442用于制备薄膜的真空系统
45真空检漏
451检漏方法
452检漏应用实例
参考文献
第5章薄膜基础
51气体与固体
511化学吸附和物理吸附
512吸附几率和吸附(弛豫)时间
52薄膜的生长
521核生长
522单层生长
53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系
531外延生长的温度
532基板晶体的解理
533真空度的影响
534残留气体的影响
535蒸发速率的影响
536基板表面的缺陷——电子束照射的影响
537电场的影响
538离子的影响
539膜厚的影响
5310晶格失配
54非晶膜层
541一般材料的非晶化(非薄膜)
542非晶的定义
543非晶薄膜
544非晶Si膜的多晶化
55薄膜的基本性质
551电导
552电阻率的温度系数(TCR)
553薄膜的密度
554时效变化
555电解质膜
56薄膜的内部应力
57电致徙动
本章小结
参考文献
第6章薄膜的制备方法
61绪论
62源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分
621蒸发和离子镀
622溅射法
63附着强度
631前处理
632蒸发时的条件
633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况)
634蒸发、离子淀积、溅射的比较(加热、离子轰击等都进行情况)
64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备
65高速热处理装置(Rapid Thermal Annealing,RTA)
66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用
661等离子体
662等离子体的产生方法
663基本形式和主要用途
67基板传送机构
68针孔和净化房
参考文献
第7章基板
71玻璃基板及其制造方法
72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长
73单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长
731坩埚中冷却法
732区熔法(Zone Melting,Flot Zone,FZ法)
733旋转提拉法(切克劳斯基Czochralski, CZ法)
74气相生长法
741闭管中的气相生长法
742其他气相生长法
75石英玻璃基板
76柔性基板(Flexible)
参考文献
第8章 蒸镀法
81蒸发源
811电阻加热蒸发源
812热阴极电子束蒸镀源
813中空阴极放电(HCD)的电子束蒸发源
82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置
83实际装置
84蒸镀时的真空度
85蒸镀实例
851透明导电膜In2O3SnO2系列
852分子束外延(MBE)
853合金的蒸镀——闪蒸
86离子镀
861离子镀的方式
862对薄膜的影响
87离子束辅助蒸镀
88离子渗,离子束表面改性法
89激光烧蚀法(PLA)
810有机电致发光,有机(粉体)材料的蒸镀
参考文献
第9章溅射
91溅射现象
911离子的能量和溅射率,出射角分布
912溅射率
913溅射原子的能量
92溅射方式
921磁控溅射
922ECR溅射
923射频溅射
93大电极磁控溅射
94“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋
941准直溅射
942长距离溅射
943高真空溅射
944自溅射
945离子化溅射
95 溅射的实例
951钽 (Ta)的溅射
952Al及其合金的溅射(超高真空溅射)
953氧化物的溅射:
超导电薄膜和ITO透明导电薄膜
954磁性膜的溅射
955光学膜的溅射 (RAS法)
参考文献
第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化
101热氧化
1011处理方式
1012热氧化装置
1013其他氧化装置
102热CVD
1021主要的生成反应
1022热CVD的特征
1023热CVD装置
1024反应炉
1025常压CVD(Normal Pressure CVD, NPCVD)
1026减压CVD(Low Pressure CVD, LPCVD)
103等离子体增强CVD (Plasma Enhanced CVD, PCVD)
1031等离子体和生成反应
1032装置的基本结构和反应室的电极构造
104光CVD(PhotoCVD)
105 MOCVD(Metalorganic CVD)
106金属CVD
1061钨CVD
1062AlCVD
1063CuCVD
1064金属阻挡层(TiNCVD)
107半球状颗粒多晶硅CVD(HSGCVD)
108高介电常数薄膜的CVD
109低介电常数薄膜
1010高清晰电视机的难关,低温多晶硅膜(CatCVD)
1011游离基喷淋CVD(Radical Shower CVD,RSCVD)
参考文献
第11章刻蚀
111湿法刻蚀
112等离子体刻蚀,激发气体刻蚀 (圆筒型刻蚀)
1121原理
1122装置
1123配套工艺
113反应离子刻蚀、溅射刻蚀(平行平板型,ECR型,磁控型刻蚀)
1131原理和特征
1132装置
1133配套工艺
1134Cu和低介电材料(low K)的刻蚀
114大型基板的刻蚀
115反应离子束刻蚀,溅射离子束刻蚀(离子束型刻蚀)
1151极细离子束设备(聚焦离子束:
Focused Ion Beam, FIB)
116微机械加工
117刻蚀用等离子体源的开发
1171等离子体源
1172高密度等离子体(HDP)刻蚀
参考文献
第12章精密电镀
121电镀
122电镀膜的生长
123用于制作电子元器件方面的若干方法
124用于高技术的铜电镀
125实用的电镀装置示例
参考文献
第13章平坦化技术
131平坦化技术的必要性
132平坦化技术概要
133平坦薄膜生长
1331选择性生长
1332利用回填技术的孔内嵌埋(溅射)
1333利用氧化物嵌埋技术的平坦化
134薄膜生长过程中凹凸发生的防止
1341偏压溅射法
1342剥离法
135薄膜生长后的平坦化加工
1351涂覆
1352激光平坦化
1353回填法
1354回蚀法
1355阳极氧化和离子注入
136嵌埋技术示例
137化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技术
138嵌刻法
139平坦化新技术展望
1391使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术
1392用STP(Spin Coating Film Transfer and Pressing)法的嵌埋技术
1310高密度微细连接
参考文献
薄膜制备技术基础(原著第4版)
薄膜制备技术基础(原著第4版)
薄膜制备技术基础(原著第4版)
第1章薄膜技术
11生物计算(biocomputing)和薄膜技术
12医用微型机械
13人工脑的实现(μElectronics)
14大型显示的实现
15原子操控
16薄膜技术概略
参考文献
第2章真空的基础
21真空的定义
22真空的单位
23气体的性质
231平均速率 Va
232分子直径 δ
233平均自由程 L
234碰撞频率 Z
24气体的流动和流导
241孔的流导
242长管的流导 (L/a≥100)
243短管的流导
244流导的合成
25蒸发速率
参考文献
第3章真空泵和真空测量
31真空泵
311油封式旋片机械泵
312油扩散泵
313吸附泵
314溅射离子泵
315升华泵
316冷凝泵
317涡轮泵(分子泵)和复合涡轮泵
318干式机械泵
32真空测量仪器——全压计
321热导型真空计
322电离真空计——电离规
323磁控管真空计
324盖斯勒(Geissler)规管
325隔膜真空计
326石英晶振真空计
327组合式真空规
328真空计的安装方法
33真空测量仪器——分压计
331磁偏转型质谱仪
332四极质谱仪
333有机物质质量分析IAMS法
参考文献
第4章真空系统
41抽气的原理
42材料的放气
43抽气时间的推算
44用于制备薄膜的真空系统
441残留气体
442用于制备薄膜的真空系统
45真空检漏
451检漏方法
452检漏应用实例
参考文献
第5章薄膜基础
51气体与固体
511化学吸附和物理吸附
512吸附几率和吸附(弛豫)时间
52薄膜的生长
521核生长
522单层生长
53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系
531外延生长的温度
532基板晶体的解理
533真空度的影响
534残留气体的影响
535蒸发速率的影响
536基板表面的缺陷——电子束照射的影响
537电场的影响
538离子的影响
539膜厚的影响
5310晶格失配
54非晶膜层
541一般材料的非晶化(非薄膜)
542非晶的定义
543非晶薄膜
544非晶Si膜的多晶化
55薄膜的基本性质
551电导
552电阻率的温度系数(TCR)
553薄膜的密度
554时效变化
555电解质膜
56薄膜的内部应力
57电致徙动
本章小结
参考文献
第6章薄膜的制备方法
61绪论
62源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分
621蒸发和离子镀
622溅射法
63附着强度
631前处理
632蒸发时的条件
633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况)
634蒸发、离子淀积、溅射的比较(加热、离子轰击等都进行情况)
64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备
65高速热处理装置(Rapid Thermal Annealing,RTA)
66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用
661等离子体
662等离子体的产生方法
663基本形式和主要用途
67基板传送机构
68针孔和净化房
参考文献
第7章基板
71玻璃基板及其制造方法
72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长
73单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长
731坩埚中冷却法
732区熔法(Zone Melting,Flot Zone,FZ法)
733旋转提拉法(切克劳斯基Czochralski, CZ法)
74气相生长法
741闭管中的气相生长法
742其他气相生长法
75石英玻璃基板
76柔性基板(Flexible)
参考文献
第8章 蒸镀法
81蒸发源
811电阻加热蒸发源
812热阴极电子束蒸镀源
813中空阴极放电(HCD)的电子束蒸发源
82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置
83实际装置
84蒸镀时的真空度
85蒸镀实例
851透明导电膜In2O3SnO2系列
852分子束外延(MBE)
853合金的蒸镀——闪蒸
86离子镀
861离子镀的方式
862对薄膜的影响
87离子束辅助蒸镀
88离子渗,离子束表面改性法
89激光烧蚀法(PLA)
810有机电致发光,有机(粉体)材料的蒸镀
参考文献
第9章溅射
91溅射现象
911离子的能量和溅射率,出射角分布
912溅射率
913溅射原子的能量
92溅射方式
921磁控溅射
922ECR溅射
923射频溅射
93大电极磁控溅射
94“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋
941准直溅射
942长距离溅射
943高真空溅射
944自溅射
945离子化溅射
95 溅射的实例
951钽 (Ta)的溅射
952Al及其合金的溅射(超高真空溅射)
953氧化物的溅射:
超导电薄膜和ITO透明导电薄膜
954磁性膜的溅射
955光学膜的溅射 (RAS法)
参考文献
第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化
101热氧化
1011处理方式
1012热氧化装置
1013其他氧化装置
102热CVD
1021主要的生成反应
1022热CVD的特征
1023热CVD装置
1024反应炉
1025常压CVD(Normal Pressure CVD, NPCVD)
1026减压CVD(Low Pressure CVD, LPCVD)
103等离子体增强CVD (Plasma Enhanced CVD, PCVD)
1031等离子体和生成反应
1032装置的基本结构和反应室的电极构造
104光CVD(PhotoCVD)
105 MOCVD(Metalorganic CVD)
106金属CVD
1061钨CVD
1062AlCVD
1063CuCVD
1064金属阻挡层(TiNCVD)
107半球状颗粒多晶硅CVD(HSGCVD)
108高介电常数薄膜的CVD
109低介电常数薄膜
1010高清晰电视机的难关,低温多晶硅膜(CatCVD)
1011游离基喷淋CVD(Radical Shower CVD,RSCVD)
参考文献
第11章刻蚀
111湿法刻蚀
112等离子体刻蚀,激发气体刻蚀 (圆筒型刻蚀)
1121原理
1122装置
1123配套工艺
113反应离子刻蚀、溅射刻蚀(平行平板型,ECR型,磁控型刻蚀)
1131原理和特征
1132装置
1133配套工艺
1134Cu和低介电材料(low K)的刻蚀
114大型基板的刻蚀
115反应离子束刻蚀,溅射离子束刻蚀(离子束型刻蚀)
1151极细离子束设备(聚焦离子束:
Focused Ion Beam, FIB)
116微机械加工
117刻蚀用等离子体源的开发
1171等离子体源
1172高密度等离子体(HDP)刻蚀
参考文献
第12章精密电镀
121电镀
122电镀膜的生长
123用于制作电子元器件方面的若干方法
124用于高技术的铜电镀
125实用的电镀装置示例
参考文献
第13章平坦化技术
131平坦化技术的必要性
132平坦化技术概要
133平坦薄膜生长
1331选择性生长
1332利用回填技术的孔内嵌埋(溅射)
1333利用氧化物嵌埋技术的平坦化
134薄膜生长过程中凹凸发生的防止
1341偏压溅射法
1342剥离法
135薄膜生长后的平坦化加工
1351涂覆
1352激光平坦化
1353回填法
1354回蚀法
1355阳极氧化和离子注入
136嵌埋技术示例
137化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技术
138嵌刻法
139平坦化新技术展望
1391使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术
1392用STP(Spin Coating Film Transfer and Pressing)法的嵌埋技术
1310高密度微细连接
参考文献
作者:
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2009年5月
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- 关 键 词:
- 薄膜 制备 技术 基础 原著