技术半导体制造技术半导体天地Word文档格式.docx
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就是长氧化层后,B有一部分会向氧化层中扩散,而P向背向氧化层扩散sio2会排磷吸硼
因磷和硼分子大小不同,穿透oxide的能力不同,亦即主要穿透方式不同(Pmotionbyvacancy;
Bmotionbyinterstitialcy)
对呀,硼的分凝系数(杂质在硅中的平恒浓度/杂质在二氧化硅中的平恒浓度)m1.不过真的有正反比的关系吗
7.求教:
二氧化硅问题(隔离机制)我看到一篇关于二氧化硅的材料:
1,若杂质比硅更可溶于氧化物,则杂质氧化过程中会迁移到氧化物中,如硼.相反,杂质更易溶于硅,氧化界面会把杂质推移到硅中.如磷.在硅----二氧化硅界面会有较高浓度.也就是所谓的隔离机制(亲硼排磷)吧.
2,杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数,因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力.
请问这两者有矛盾吗?
没矛盾啊,隔离主要发生在interface,而后面的扩散是指在si或者sio2内的.
是呀,我问过公司前辈了.阻挡层主要是注入时的屏蔽作用.扩散隔离机制是在si或者sio2内时,才考虑分凝系数的.
在Si和SiO2界面,B会向SiO2和Si两个方向扩散,但B在SiO2中的扩散系数、固溶度比P等其他元素大,所以这种分凝系数就大,在考虑浓度时就要考虑B在SiO2中扩散的那一部分,相对没有氧化层的浓度低很多。
而P在界面处也会向Si和SiO2两个方向扩散,但P在SiO2中的扩散系数、固溶度都比B小,分凝系数就小,相对在Si中就多,就得到高浓度。
我觉得是两钟概念的混淆。
1、溶解度2、扩散系数。
B在SiO2中的溶解度高并不表示扩散系数高。
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D6B”V6f4`
8.大家是如何监控氧化炉管的片间均匀性和片内均匀性的?
我们的干氧和湿氧都是LOAD,CENTER,SOURCE各取一片测中心点来监控厚度的,RANGE就是所测点最大值减去最小值。
但是如果炉管的温度不均匀,那么这种监控方式就会把一些异常疏漏过去了。
请问各位DIFF的达人是怎么做监控的,谢谢赐教!
另外请问各位有没有对炉管的各个点的温度进行校准?
使用什么办法来确定炉管各个点的温度是正常的?
其实不论是否在炉管的load和source端放上石音buffer,或是在testrun的时候在三端放上C/W去monitor厚度,其前提都是炉管的SPIKE和PROFILE控温要正常;
所以,先要确定T/C是在正常工作的,然后通过profile程式进行温度校正.如果T/C正常,做profile校正结果也正常,那我这边的建议是可以看看LOAD的位置是不是可调.
楼上说的对
9.氧化膜质量评价
二氧化硅主要参数:
密度;
折射率;
电阻率;
介电强度;
介电参数;
缺陷密度;
厚度;
厚度均匀性主要还看你们做的东西主要都需要啥,有侧重点
SiO2的质量检查主要关注以下几点:
1、C-V测试监控可动电荷
2、SPV测试监控少子寿命
3、GOI测试监控氧化层击穿情况
以上几点如果都OK的话,那长出来的氧化层绝对OK,特别是最后一项
10.有关AMAT的centura和endura设备homerobot问题
Home过程:
向后缩,直到撞到Hardstop
再向前伸200Steps
旋转,直到Lowerdriver找到HOME点
driver(extensiondriver)旋转,直到找到HOME点,这个过程中只有Upperdriver动,Lowerdriver不动
个Driver都找到HOME点,ROBOT自然就到HOME点了
11.弱弱的请教个问题:
什么是闭管扩散,什么是开管扩散,它们有什么区别?
炉内抽成真空的是闭管,像LPCVD,一般的都是开管
呵呵
闭管扩散就是wafer进入到炉管以后是一个完全封闭的状态
或是真空状态,或是惰性气体填充状态,
状态达到以后不再与外界有联系的一种扩散方式
开管就不用说了吧?
主要是炉管尾端密封的措施不同,半导体炉管一般是闭管扩散,太阳能一般要求没有这么严格,你看后面shutter上和quarts密封的有没有oring就能分辨出来
12.美国应用材料宣布投产新型RTP装置“Vulcan”。
这款装置主要面向28nm以后的工艺,采用从晶圆背面进行加热的方式,提高了加热时的温度均匀性。
随着微细化的发展,晶体管对工艺温度依赖性越来越高。
也就是说,RTP的温度不均会直接导致晶体管的性能不均。
为了解决这个问题,应用材料开发出了面向28nm以后工艺的新型RTP装置。
原来的装置从晶圆表面照射用于加热的灯光,而此次的装置则改为从背面照射。
由此,可以抑制因晶圆表面的图案形状等而产生的温度不均。
另外,还配备了可在室温到1300℃的范围内,通过闭环实现动态温度控制的机构。
据应用材料介绍,此次的RTP装置在通过蜂窝灯阵列以200度/秒的速度对晶圆进行加热时,可将芯片内的温度均匀性控制在3℃以内。
另外,从晶圆表面进行加热的传统方式,在改变芯片制造种类时,需要根据芯片对RTP的工艺处方进行改变和优化,而此次的方式则省去了这个步骤。
可以说,这个优点在制造品种繁多的硅代工等领域尤其有用。
13.绝顶高手来帮忙AMAT30mmRFpowerapex3013诡异问题
各位老大,巨侠,我们的机台是300mmAppliedMaterialsProducerCVDsystems。
今天使用中2个的RFpowerAEAPEX3013报警powerlimit!
换上3个备机才好诡异问题来了,但是换下的两个在其他机台上面正常工作,因为这个power基本上是国内最先进最复杂的RF系统而且是使用无比复杂的switchedmatch来匹配的。
我接入50Ωdummyload测试,输出无比诡异!
!
powerlimit,反射功率为0?
?
这是什么现象?
到底什么坏了?
RFpower?
还是chamber?
请各位终极高手出手点播下。
小弟狂谢!
还有,这个该死的match在哪里呀?
amkst发表于2016-1-312:
19:
29
1你有试过较小功率也会报警吗?
2powersupply和rfmatch之间连接好吗?
amkst发表于2016-1-312:
25:
24
1有没有试过较小功率宣布投产新型RTP装置“Vulcan”。
另外,从晶圆表
面进行加热的传统方式,在改变芯片制造种类时,需要根据芯片对RTP的工艺处方进行改变和优化,而此次的方式则省去了这个步骤。
15.我们现在用LPCVD,用TEOS热分解生成二氧化硅片子,为什么只有头和尾片子长膜,而中间不长?
谢谢
炉体坏了么?
有没有检查温度?
厚度很均勻又厚的時候沒有彩色的色差,約在3%.有可能一下子看不出來有膜.
前後氣流較不均勻,易產生色差.
滴一滴HF在表面就知道有沒有膜了.用橢偏儀也是一種選擇
温度过高,流量过小
layout有问题?
BCD半导体
BCD半导体
高亮度LED驱动
1
内容介绍
qLED灯介绍
qLED驱动驱动需求与BCD驱动方案qAC/DCLED驱动方案
qDC/DCLED驱动方案
2
各类光
效
3
灯光源的发展展望
4
LED驱动需求
大功率LED趋势:
•LED电流(20mA至2A)、高效率(60-200lumens/W)、亮度可调等BCD驱动方案
LED的驱动需求BCD的应用方案应用领域
灯饰、照明等90~264VAC的输入电压范AP3706
围,恒流驱动,热保护温度;
补偿等AP3101+AP4313
6VDCto36VDC
的输入电
压,低待隙基准以减少电流
AP3003
检测损耗;
to5VDC的输入电AP3605;
AP3602
压;
极低的待机功耗;
AP3029;
AP3019PWM调整亮度;
小尺寸、AP3009;
AP3008高集成度,好的散热能力等车载等手电筒、手机、GPS、DPF、MP3等
5
AC/DC
LED驱动方案应用
6
AC/DCLED驱动方案---AP3706
特点
•
•前端反馈,无须光偶,节省成本采用低成本的三极管替代MOSFET采用的PFM的工作方式内置的过流、过压保护功能;
采用抖频技术抑制EMI;
符合绿色节能要求,空载输入功率小于;
应用
•灯饰、照明等GU10E27等规格灯杯PAR30PAR38等规格灯杯
GU10灯杯E27灯
杯PAR30灯杯景观
灯投射灯柱灯
7
与匝比决定输出电压
与匝比结合决定输出电流
8
1~15WLED应用电路
9
AP3706应用于
GU10/E27(3WLED)-1GU10的原
理图
10
GU10/E27(3WLED)-2
11
AP3706应用于PAR30/PAR38(7W/10WLED)-1
PAR30/PAR38原
12
AP3706应用于PAR30/PAR38(7W/10WLED)-2
C1C2C3C4C5C6C8C9D1D2D3D4D5D6D7L1Q1
//400V330uF//50V330uF//200220p100nSR260FR107IN4007IN4007IN4007IN4007
13
FR1R1R2R3R5R6R7R8R9R10R11R13R14R15R16T
1Ohm/
Demo
变压器匝比及感量:
•Nau44T
•Np120TLp=•Nfb14T•Ns 30T
AP3706应用于13WLED(13v/1A)-1
DEMO板外观
Vout(V)
Iout(A)
规格要求及技术指标
输出V/I曲线图
14
AP3706LED应用测试报告
输出电压电流波形
输出电压纹波波形
Efficiency(%)
InputPower(W)
LineVoltage(V)
效率波形
输入功率曲线(空载条件)
15
AP3101LED驱动应用
••••••
具有跳频功能的电流控制性PWM控制IC;
低启动和工作电流30μA/3mA内置的过流、过压保护功能;
内置同步斜率补偿功能;
具有UVLOLEB功能;
外置可设的工作频率;
••
大功率灯饰、照明等路灯、大功率射灯等
;
16
AP1661Lighting应用
••••
具有更强的抗ESD(3kVHBMand300VMM)
低启动电流,典型值50μA;
图腾柱式输出600mA源电流和800mA的Sink电流能力;
驱动能力可达300W;
•较高功率灯饰、照明等
17
AP1661与L6561/L6562参数对比
18
AP1661与L6562THD值的对比
AP1661的THD与L6562兼容
19
其他AC/DCLEDLighting应用产品---AP4313
优势
•••
恒压恒流控制;
内置高精度电压基准(精度:
1%);
封装小(SOT-23-6),可以节省更多空间
恒压恒流控制开关电源充电
器
AS358
AS431
AP4313
+
=
20
其他AC/DCLEDLighting产品应用---AP3700优势••••具备跳频能力的电流控制型IC;
具有抖频技术以抑制减少EMI;
内置短路保护UVLO功能;
工作频率可达60KHZ,实现E极驱动;
应用••1~4W的LEDLighting射灯类21
其他AC/DCLEDLighting产品应用---AP3710优势•••••具备跳频能力的电流控制型IC;
低启动工作电流:
mA具有抖频技术以抑制减少EMI;
工作频率可达60KHZ,实现E极驱动,驱动电流能力可达900mA;
应用•••6~15W的LEDLightingPAR30PAR38等草坪灯等22
DC/DCLED驱动方案23
AP3003驱动方案应用特点•••••输入电压最高可达40V;
输出驱动电流可达3A;
低功耗待机模式,IQ典型值80µ
A;
内置限流保护和过温关断输出保护功能;
TTL控制能力(ON/OFF);
如何降低取样电阻功耗?
恒压到恒流的转化应用•••指示灯矿灯车载类灯等24
Thanks!
Q&
A25半导体和超导体
达标训练
基础·
巩固
1.半导体不宜制作
A.电阻 B.导线 C.晶体三极管 D.集成电路
解析:
半导体有一定的电阻,用作导线易发热.
答案:
B
2.用超导体不能制作的电器有
A.电炉 B.发电机 C.电动机 D.计算机
超导体无电阻,不产生热.
A
3.若常温下的超导体能研制成功,它适于做以下哪些元件
A.保险丝 B.输电线 C.电炉丝 D.电磁铁
保险丝和电炉丝应用电流热效应.用超导体无法工作.
BD
4.街道旁的路灯、江海里的航标灯都要求夜晚亮、白天熄,利用半导体的电学特性制成了自动点亮、熄灭的装置,实行了自动控制,这是利用半导体的
A.压敏性 B.光敏性 C.热敏性 D.三种特性都利用了
半导体的电阻变化引起灯的亮、灭.
B
综合·
应用
5.超导现象是当今高科技的热点.当一块磁体靠近超导体时,超导体会产生强大的电流并且对磁体有排斥作用,这种排斥作用可以使磁体悬浮在空中,磁悬浮列车利用的就是这种原理.那么超导体产生强大电流的原因是
A.超导体中磁通量很大
B.超导体中磁通量的变化率很大
C.超导体中电阻极小
D.超导体中电压很大
磁悬浮列车需要强大的电流,只能利用超导体电阻小的特性维持电路中的电流.答案:
C
6.如图14-3-5所示,已知R1为半导体热敏电阻,R2与R3是普通电阻,当灯泡L的亮度变暗时,说明
图14-3-5
A.环境温度升高 B.环境温度降低
C.环境温度不变 D.都有可能
灯泡变暗,灯泡中的电流变小,R1变大,说明环境温度降低.
7.如图14-3-6所示,如果用超导体作灯丝制作电灯泡,把这样的电灯泡L和一个小阻值的电阻R串联接到电源电压恒为U的电路中,则下列说法中正确的是…
图14-3-6
A.通过灯泡的电流I=U/r,因为R很小,所以I很大,灯泡就很亮
B.灯泡两端的电压大于零
C.因为超导转变温度很低,当有电流通过灯丝时,灯丝会发热,使超导体变为普通导体
D.超导灯丝不会发热,灯泡也不会亮
超导没有电阻,不发热,灯泡不亮.
D奇妙的半导体
三年以前,莫斯科附近的一个工厂制造出了一批非常轻巧的发电器,它可以方便地套在煤油灯的玻璃灯罩上面,不用笨重复杂的机器设备,也不用燃料,只靠煤油灯的热,就能发出电来足够一架普通的收音机的应用。
。
去年,苏联的有些城市的街道上,出现了这样一种路灯,这种路灯没有什么电线通向电源,可以说是自己就会发光的。
而且天一暗下来自己就会自动发光,照明街道,天亮了也会自动“关上”,不用人管理。
更有趣的,还出现了一种没有真空管的收音机,只有一两斤重,小得可以放到口袋或衣袖里去,用起来真是像小笔记本那么方便。
不论你走到那里,就是到了荒山或沙漠地带,只要你高兴,就可以拿出来听北京的广播,莫斯科的音乐。
……
说到这里,或许读者要问,怎么会出现这样的“奇迹”呢?
原来,科学家们发现了某些物质的特性,利用这些物质就可以发电不用机器,可以自动控制机器,可以用来代替无线电的电子真空管,还可用来作其他许多奇妙的东西。
这些物质就叫做“半导体”。
什么叫半导体?
把物体分为导体与非导体是很早以前的事了。
谁都知道,能导电的铜、银等金属元素叫做导体;
玻璃、木头、橡皮等物质不能导电,就被称为非导体。
半导体是介於导体与非导体之间的物质,既不像导体那样容易导电,又不像非导体不能或者说几乎不能导电。
像矽、钥、碲、硼、砷、磷以及不少的氧化物与硫化物都是半导体。
目前应用最普遍的和最重要的是:
稀有金属“锗”和世界上数量最多的“矽”。
半导体所以能够创造许多奇迹,不仅因为它的导电能力介於导体与非导体之间,更重要的是它的导电能力与光和热有着极其密切的关系。
当半导体的温度增高或受光线照射较强时,它的导电能力就显著增加;
反之,温度降低或光线照射较弱时,半导体的导电能力就急剧减少。
而导体与非导体则没有这种特性。
这也就是半导体不同於其他物质的最主要的特性。
为什么半导体的导电能力介於导体与非导体之间?
为什么会因光和热的变化而改变自己的导电能力呢?
原来,任何物体都是由许许多多原子构成的。
每个原子都是由一个原子核和围绕着原子核转动的一定数量的电子组成。
在非导体中电子和原子核结合得非常牢固;
而在导体中,几乎全部电子与它的原子核结合很不牢固,甚至能离开原子核而自由地在导体内跑来跑去。
这种电子叫做“自由电子”。
所谓电流现象,就是许多电子顺着一定的方向流动。
所以,当两个不同电压的电极中间连以导体,导体中的“自由电子,”就向一定方向移动,把电由一极导向另一极,这就是产生了电流。
如果连以非导体,因为没有“自由电子”就没有电子的移动,也就没有电流现象。
导体所以能导电,非导体所以不能导电,道理就在这里。
半导体中的电子与原子核的结合既不像导体那样松弛自由,也不像非导体那样牢固。
因而它们的导电能力也就介於导体与非导体之间了。
我们知道,任何物体内的原子都是不停地振动着;
物体受光和热多时,原子
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- 技术 半导体 制造 天地