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1、1. 分别简述RVD和GILD的原理,它们的优缺点及应用方向.快速气相掺杂RVD, Rapid Vaporphase Doping 利用快速热处理过程RTP将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度,同时掺杂剂发生反应产生杂质原子。

2、系统简单,操作方便,成本低,效率高,重复性和均匀性都很好.扩散过程中应准确控制炉温扩散时间气体流量和源温等.源瓶的密封性要好,扩散系统不能漏气.气态源扩散 气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,且。

3、半导体工艺及芯片制造技术问题答案全常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件 3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD APCVD 常压化学气相淀积5.BEOL。

4、系统简单,操作方便,成本低,效率高,重复性和均匀性都很好.扩散过程中应准确控制炉温扩散时间气体流量和源温等.源瓶的密封性要好,扩散系统不能漏气.气态源扩散 气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,且易燃易爆。

5、大规模LSI 5000到10万 20世纪70年代前期到后期 超大规模VLSI 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模ULSI 大于100万 20世纪90年代后期到现在2. 写出IC 制造的个。

6、半导体芯片制造工半导体制造技术模拟考试doc姓名: 班级: 学号:密封 线 半导体芯片制造工:半导体制造技术模拟考试考试时间:120分钟 考试总分:100分题号一二三四五总分分数遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,确保考试结果公正.1。

7、半导体工艺及芯片制造技术问题答案常用术语翻译civergion有源区2.cte on有源器件 3.Aneal退火4.atoheric rsu CVD APCV 常压化学气相淀积5.BOL生产线后端工序 6.BCMS双极CMOS7.bodi 。

8、半导体制造技术试题库答案1.分别简述RVD和GILD的原理,它们的优缺点及应用方向.快速气相掺杂RVD, Rapid Vaporphase Doping 利用快速热处理过程RTP将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度,同时掺杂。

9、半导体制造技术实践总结半导体制造技术实践总结报告姓 名: 陈 曦 学 号: 1108520630 学 科: 集成电路工程 学 院: 自动化与信息工程 导 师 姓 名: 蒲红斌 指 导 教 师: 封先锋 臧源 2012 年 春季 学期一实践目。

10、半导体工艺标准及其芯片制造技术问答规范标准答案全常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件 3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD APCVD 常压化学气相淀。

11、半导体工艺标准规范标准及其芯片制造技术问答规范标准答案全常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件 3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD APCVD 常压化。

12、半导体实用工艺及芯片制造技术问题问题详解全常用术语翻译active region 有源区2.active ponent有源器件3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD APCVD 常压化学气相淀积5.BEOL。

13、半导体制造技术经验题库参考答案1. 分别简述RVD和GILD的原理,它们的优缺点及应用方向.快速气相掺杂RVD, Rapid Vaporphase Doping 利用快速热处理过程RTP将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度。