纳米加工平台工艺申请表.docx
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纳米加工平台工艺申请表.docx
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纳米加工平台工艺申请表
纳米加工平台工艺申请表
纳米加工平台工艺申请表(2010年8月版)
批号:
申请人
申请人电话
申请人邮箱
申请人签字
付费人
课题编号
付费人邮箱
付费人签字
申请日期
所属单位
试验目的及说明
样品材料
样品尺寸
样品数量与编号
序号
工艺名称
工艺要求及说明
日期
工艺记录和检测结果
工艺员
计价和确认
备注
清洗
样品数量:
2片;
需清洗材料:
氮化铝,尺寸:
4英寸;
预去除污染物:
清洗液:
使用设备:
八槽清洗机/超声清洗机/手动容器
废液处理方法:
设备类型:
开始时间:
完成时间:
废液处理方式:
检测结果:
本步工艺程序确认:
合格(签字):
不合格(签字):
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
匀胶
KS-L150
ST22+
KW-4A
加工数量:
3片;
衬底:
材料:
硅片,尺寸:
4英寸、6英寸;
光刻胶类型:
AZ1500;厚度:
1.2±0.4微米
HDMS预处理:
需要;
使用匀胶机类型:
SSE、国产小匀胶机、Track
匀胶机类型:
开始时间:
完成时间:
衬底尺寸:
匀胶次数:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
光刻
MA6/BA6
URE-2000/35
加工数量:
3片;
衬底材料/尺寸/厚度:
硅片/4英寸/525微米;
光刻胶类型/厚度:
AZ1500/1-1.6微米;
光刻最小线宽:
2微米;
套刻要求:
正反面对准,对准精度:
±5微米;
使用光刻机类型:
SussMA6/BA6,国产光刻机
光刻机类型:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
步进式光刻机
NSR1755i7B
加工数量:
3片;
衬底材料/尺寸/厚度:
硅片/4英寸/525微米;
光刻胶类型/厚度:
EPL/1-1.6微米;
光刻最小线宽:
2微米;
套刻精度:
±1微米;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
电子束光刻
JBX-5500ZA
加工数量:
1片;
衬底材料/尺寸/厚度:
硅片/4英寸/525微米;
光刻胶类型/厚度:
AZ1500/1-1.6微米;
光刻最小线宽:
30nm;
套刻要求:
套刻误差小于40nm;
拼接要求:
误差小于40nm
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
显影
OPTIspinST22
加工数量:
3片;
衬底:
材料:
硅片,尺寸:
4英寸;
显影液类型:
标配TMAH;
使用显影机类型:
SSE,Track
显影机类型:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
干法去胶
M4L
加工数量:
3片;批次:
1批
材料:
硅片,尺寸:
4英寸或碎片;
需去除光刻胶类型:
AZ1500
需去除胶厚:
50nm;
去胶功率:
300W
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
喷胶
ST20i
加工数量:
3片;
衬底材料:
硅片,尺寸:
4英寸;
光刻胶类型:
AZ4620;目标胶厚:
30微米
图形深宽比:
1:
2
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
晶片键合
CB6L
加工数量:
3对;
材料:
硅片和玻璃尺寸:
4英寸;
键合类型:
阳极键合;
是否需要套刻:
是(套刻精度:
5微米)
键合对数:
单次键合用时:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
磁控溅射
LAB18
加工数量:
3片;批次:
1批
衬底材料:
硅片,尺寸:
2英寸
膜层材料/厚度:
Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求:
±5%
衬底加热温度:
200℃
工艺气体:
Ar或N2
溅射批数:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
溅射各层材料/厚度:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
电子束蒸发
ei-5z
EBE-09
加工数量:
3片;批次:
1批
衬底材料:
硅片,尺寸:
6英寸
膜层材料和厚度:
Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求:
±5%
衬底温度:
200℃
蒸发台类型:
ei-5z,EBE-09
使用蒸发台:
蒸镀批数:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
蒸镀各层材料/厚度:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
热蒸发
EVA-09-2
加工数量:
1片;批次:
1批
衬底材料:
硅片,尺寸:
2英寸
膜层材料和厚度:
AG/Au,500nm/200nm
厚度均匀性要求:
±5%
衬底温度:
蒸镀次数:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
蒸镀材料/厚度:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
PECVD
OXFORD100
加工数量:
3片;批次:
3批
衬底材料:
硅片,尺寸:
6英寸
膜层材料和用途:
SiO2、绝缘层
厚度:
1000nm折射率:
1.46
厚度均匀性要求:
±5%
衬底温度:
300℃
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
光学薄膜蒸发
OTFC-900
加工数量:
3片;批次:
1批
衬底材料:
硅片,尺寸:
4英寸
膜层材料和厚度:
SiO2/ITO,50nm/200nm
厚度均匀性要求:
±2%
衬底温度:
200℃
蒸镀次数:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
蒸镀各层材料/厚度:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认
氧化
HDC8000A
加工数量:
20片;批次:
1批
衬底材料尺寸:
6英寸
氧化类型:
干氧、湿氧、干湿氧
厚度:
1000nm厚度均匀性要求:
±3%
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
快速退火
RTP-500
加工数量:
3片;批次:
1批
衬底材料/尺寸:
GaN片/2英寸
退火温度和时间:
600℃,15sec
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
管式退火炉
L4508-07-1
L4508-07-2
加工数量:
3片;批次:
1批
衬底材料/尺寸:
GaN片/2英寸
退火温度/时间:
600℃/120min
退火气氛:
N2、压缩空气、氢气
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
IBE刻蚀
IBE-A-150
加工数量:
3片;批次:
1批
需刻蚀材料:
硅片,尺寸:
2英寸或碎片;
掩膜材料:
光刻胶,Ti等
刻蚀深度:
2微米;
粘片:
需要
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
RIETegal903e
加工数量:
3片;批次:
3批
需刻蚀材料:
SiO2/SiNx,尺寸:
6英寸或4英寸;
掩膜材料:
光刻胶
刻蚀尺寸:
深度:
2微米;线宽:
2微米
粘片:
需要
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
/
ICP刻蚀
ICP180
加工数量:
3片;批次:
1批
需刻蚀材料/尺寸:
GaN片/2英寸或碎片;
掩膜材料:
SiO2
刻蚀尺寸:
深度:
2微米;线宽:
2微米
粘片:
需要
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
深硅刻蚀
STSMPXHRM
加工数量:
3片;批次:
3批
材料:
Si片/SOI,尺寸:
6英寸;
掩膜材料:
SiO2、光刻胶
刻蚀尺寸:
深度:
10微米;线宽:
2微米
侧壁陡直度/粗糙度:
89+/-1度/100nm
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
解理
Titan
OSM-80TP-Y
LoomisLSD100
加工数量:
3片;
需解理材料/尺寸:
蓝宝石/2英寸
管芯形状:
长方形;
管芯大小:
280×320um2;
切深要求:
24微米;
使用划片机类型:
Titan、OSM-80TP-Y、LSD100
划片机类型:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
解理刀数:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
压焊
747677E
压焊点数:
30点;
焊盘:
材料:
金,尺寸:
80×80微米;
焊线:
材料:
金,线径:
25微米;
压焊工艺类型:
球焊,楔焊;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
裂片
OBM-90TP
加工数量:
3片;
需裂片材料/尺寸/片厚:
GaN/2英寸/80微米;
管芯形状:
长方形;
管芯尺寸:
300×300微米;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
倒装焊
FC150
加工数量:
3片;
基底:
材料:
Si,尺寸:
10×10毫米;
基底焊盘材料:
金,尺寸:
50×50微米;
芯片:
材料:
Si,尺寸:
10×10毫米;
芯片焊盘材料:
金,尺寸:
50×50微米;
焊料:
金锡温度/时间:
200℃/30min
工艺气体:
甲酸、N2
焊接工艺类型:
热压焊,回流焊;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
回流炉
SRO702
加工数量:
3片;批次:
1批
基底:
材料:
Si,尺寸:
10×10毫米;
基底焊盘材料:
金,尺寸:
50×50微米;
芯片:
材料:
Si,尺寸:
10×10毫米;
芯片焊盘材料:
金,尺寸:
50×50微米;
焊料:
金锡温度/时间:
200℃/30min
真空度:
5mTorr
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
CMP减薄
HRG-150
加工数量:
3片;批次:
3批
需减薄材料/尺寸/厚度:
Si/4英寸/400微米
减薄后厚度:
100微米;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
CMP研磨
AL-380F
加工数量:
3片;批次:
2批
需研磨材料/尺寸/厚度:
Si/4英寸/100微米
研磨后厚度:
90微米;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
CMP抛光
AP-380F
加工数量:
3片;批次:
2批
需抛光材料/尺寸/厚度:
Si/4英寸/90微米
抛光后厚度:
80微米;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
八槽清洗机
HL-071004
加工数量:
3片;批次:
1批
需清洗材料/尺寸/厚度:
Si/4英寸/525微米
使用清洗液:
1号液、2号液、硫酸双氧水
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
Lift-off
WetSB30
加工数量:
3片;批次:
3批
需剥离衬底材料/尺寸/厚度:
Si/4寸/525微米
光刻胶类型:
AZ4620;
图形线宽/厚度:
100nm/200nm
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
SEM
JSM-6390
加工数量:
3片;
材料:
碳纳米线,尺寸:
50nm;
是否喷金:
是
扫描模式:
二次电子像/背散射
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
喷金次数:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
喷金仪
JFC-1600
加工数量:
3片;批次:
1批
衬底材料:
硅片,尺寸:
10×10毫米;
喷Pt厚度:
10nm
开始时间:
完成时间:
喷金次数:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
分光光度计
Lambda750
加工数量:
3片;
扫描波长范围:
扫描角:
测试类型:
反射、透射
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
LED芯片测试仪
WPS-1900
加工数量:
3片;
测试电压范围:
测试波长范围:
测试电流范围:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺负责人确认:
工艺申请人确认:
加工平台批准人签字
最终服务质量评价(请签名)
非常满意_______基本满意_______不满意_________
最终检验结论:
最终检验员(签字)
工艺流程总计价:
¥
计价核准人:
日期:
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- 纳米 加工 平台 工艺 申请表