阻抗匹配与史密斯Smith圆图基本原理分析.docx
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阻抗匹配与史密斯Smith圆图基本原理分析
阻抗匹配与史密斯(Smith)圆图:
基本原理
在处理RF系统的实际应用问题时,总会遇到一些非常困难的工作,对各部分级联电路的不同阻抗进行匹配就是其中之一。
一般情况下,需要进行匹配的电路包括天线与低噪声放大器(LNA)之间的匹配、功率放大器输出(RFOUT)与天线之间的匹配、LNA/VCO输出与混频器输入之间的匹配。
匹配的目的是为了保证信号或能量有效地从“信号源”传送到“负载”。
在高频端,寄生元件(比如连线上的电感、板层之间的电容和导体的电阻)对匹配网络具有明显的、不可预知的影响。
频率在数十兆赫兹以上时,理论计算和仿真已经远远不能满足要求,为了得到适当的最终结果,还必须考虑在实验室中进行的RF测试、并进行适当调谐。
需要用计算值确定电路的结构类型和相应的目标元件值。
有很多种阻抗匹配的方法,包括:
计算机仿真:
由于这类软件是为不同功能设计的而不只是用于阻抗匹配,所以使用起来比较复杂。
设计者必须熟悉用正确的格式输入众多的数据。
设计人员还需要具有从大量的输出结果中找到有用数据的技能。
另外,除非计算机是专门为这个用途制造的,否则电路仿真软件不可能预装在计算机上。
手工计算:
这是一种极其繁琐的方法,因为需要用到较长(“几公里”)的计算公式、并且被处理的数据多为复数。
经验:
只有在RF领域工作过多年的人才能使用这种方法。
总之,它只适合于资深的专家。
史密斯圆图:
本文要重点讨论的内容。
本文的主要目的是复习史密斯圆图的结构和背景知识,并且总结它在实际中的应用方法。
讨论的主题包括参数的实际范例,比如找出匹配网络元件的数值。
当然,史密斯圆图不仅能够为我们找出最大功率传输的匹配网络,还能帮助设计者优化噪声系数,确定品质因数的影响以及进行稳定性分析。
本文的主要目的是复习史密斯圆图的结构和背景知识,并且总结它在实际中的应用方法。
讨论的主题包括参数的实际范例,比如找出匹配网络元件的数值。
当然,史密斯圆图不仅能够为我们找出最大功率传输的匹配网络,还能帮助设计者优化噪声系数,确定品质因数的影响以及进行稳定性分析。
图1.阻抗和史密斯圆图基础
基础知识
在介绍史密斯圆图的使用之前,最好回顾一下RF环境下(大于100MHz)IC连线的电磁波传播现象。
这对RS-485传输线、PA和天线之间的连接、LNA和下变频器/混频器之间的连接等应用都是有效的。
大家都知道,要使信号源传送到负载的功率最大,信号源阻抗必须等于负载的共轭阻抗,即:
Rs+jXs=RL-jXL
图2.表达式Rs+jXs=RL-jXL的等效图
在这个条件下,从信号源到负载传输的能量最大。
另外,为有效传输功率,满足这个条件可以避免能量从负载反射到信号源,尤其是在诸如视频传输、RF或微波网络的高频应用环境更是如此。
史密斯圆图
史密斯圆图是由很多圆周交织在一起的一个图。
正确的使用它,可以在不作任何计算的前提下得到一个表面上看非常复杂的系统的匹配阻抗,唯一需要作的就是沿着圆周线读取并跟踪数据。
史密斯圆图是反射系数(伽马,以符号
表示)的极座标图。
反射系数也可以从数学上定义为单端口散射参数,即s11。
史密斯圆图是通过验证阻抗匹配的负载产生的。
这里我们不直接考虑阻抗,而是用反射系数
L,反射系数可以反映负载的特性(如导纳、增益、跨导),在处理RF频率的问题时,
L更加有用。
我们知道反射系数定义为反射波电压与入射波电压之比:
图3.负载阻抗
负载反射信号的强度取决于信号源阻抗与负载阻抗的失配程度。
反射系数的表达式定义为:
由于阻抗是复数,反射系数也是复数。
为了减少未知参数的数量,可以固化一个经常出现并且在应用中经常使用的参数。
这里Zo(特性阻抗)通常为常数并且是实数,是常用的归一化标准值,如50
、75
、100
和600
。
于是我们可以定义归一化的负载阻抗:
据此,将反射系数的公式重新写为:
从上式我们可以看到负载阻抗与其反射系数间的直接关系。
但是这个关系式是一个复数,所以并不实用。
我们可以把史密斯圆图当作上述方程的图形表示。
为了建立圆图,方程必需重新整理以符合标准几何图形的形式(如圆或射线)。
首先,由方程2.3求解出;
并且
令等式2.5的实部和虚部相等,得到两个独立的关系式:
重新整理等式2.6,经过等式2.8至2.13得到最终的方程2.14。
这个方程是在复平面(
r,
i)上、圆的参数方程(x-a)2+(y-b)2=R2,它以(r/r+1,0)为圆心,半径为1/1+r.
更多细节参见图4a。
图4a.圆周上的点表示具有相同实部的阻抗。
例如,R=1的圆,以(0.5,0)为圆心,半径为0.5。
它包含了代表反射零点的原点(0,0)(负载与特性阻抗相匹配)。
以(0,0)为圆心、半径为1的圆代表负载短路。
负载开路时,圆退化为一个点(以1,0为圆心,半径为零)。
与此对应的是最大的反射系数1,即所有的入射波都被反射回来。
在作史密斯圆图时,有一些需要注意的问题。
下面是最重要的几个方面:
∙所有的圆周只有一个相同的,唯一的交点(1,0)。
∙代表0
、也就是没有电阻(r=0)的圆是最大的圆。
∙无限大的电阻对应的圆退化为一个点(1,0)
∙实际中没有负的电阻,如果出现负阻值,有可能产生振荡。
∙选择一个对应于新电阻值的圆周就等于选择了一个新的电阻。
1、BGA(ballgridarray)
球形触点陈列,表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。
而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有
可能在个人计算机中普及。
最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。
现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。
BGA的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为
GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C-(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。
例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。
引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。
在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。
带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。
散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。
但封装成本比塑料QFP高3~5倍。
引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。
引脚数从32到368。
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
8、COB(chiponboard)
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
9、DFP(dualflatpackage)
双侧引脚扁平封装。
是SOP的别称(见SOP)。
以前曾有此称法,现在已基本上不用。
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(dualin-line)
DIP的别称(见DIP)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dualin-linepackage)
双列直插式封装。
插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。
引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。
另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dualsmallout-lint)
双侧引脚小外形封装。
SOP的别称(见SOP)。
部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)
双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。
另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。
在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)
同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
16、FP(flatpackage)
扁平封装。
表面贴装型封装之一。
QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。
部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip
倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。
在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。
这种封装在美国Motorola公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。
21、H-(withheatsink)
表示带散热器的标记。
例如,HSOP表示带散热器的SOP。
22、pingridarray(surfacemounttype)
表面贴装型PGA。
通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。
表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。
部分半导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)
无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
25、LGA(landgridarray)
触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。
LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。
但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(leadonchip)
芯片上引线封装。
LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
薄型QFP。
指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
28、L-QUAD
陶瓷QFP之一。
封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。
是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。
现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chipmodule)
多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。
MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高,成本较低。
MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM-L。
MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
30、MFP(miniflatpackage)
小形扁平封装。
塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。
部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metricquadflatpackage)
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。
指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metalquad)
美国Olin公司开发的一种QFP封装。
基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。
在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。
日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。
33、MSP(minisquarepackage)
QFI的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。
QFI是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)
模压树脂密封凸点陈列载体。
美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。
35、P-(plastic)
表示塑料封装的记号。
如PDIP表示塑料DIP。
36、PAC(padarraycarrier)
凸点陈列载体,BGA的别称(见BGA)。
37、PCLP(printedcircuitboardleadlesspackage)
印刷电路板无引线封装。
日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。
引
脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。
目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plasticflatpackage)
塑料扁平封装。
塑料QFP的别称(见QFP)。
部分LSI厂家采用的名称。
39、PGA(pingridarray)
陈列引脚封装。
插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。
封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。
在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模逻辑LSI电路。
成本较高。
引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64到447左右。
了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。
也有64~256引脚的塑料PGA。
另外,还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。
(见表面贴装型PGA)。
40、piggyback
驮载封装。
指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN相似。
在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。
例如,将EPROM插入插座进行调试。
这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。
41、PLCC(plasticleadedchipcarrier)
带引线的塑料芯片载体。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品。
美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用,现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。
引脚中心距1.27mm,引脚数从18到84。
J形引脚不易变形,比QFP容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。
PLCC与LCC(也称QFN)相似。
以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。
但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P-LCC等),已经无法分辨。
为此,日本电子机械工业会于1988年决定,把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ和QFN)。
42、P-LCC(plasticteadlesschipcarrier)(plasticleadedchipcurrier)
有时候是塑料QFJ的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。
部分
LSI厂家用PLCC表示带引线封装,用P-LCC表示无引线封装,以示区别。
43、QFH(quadflathighpackage)
四侧引脚厚体扁平封装。
塑料QFP的一种,为了防止封装本体断裂,QFP本体制作得较厚(见QFP)。
部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quadflatI-leadedpackgac)
四侧I形引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装四个侧面引出,向下呈I字。
也称为MSP(见MSP)。
贴装与印刷基板进行碰焊连接。
由于引脚无突出部分,贴装占有面积小于QFP。
日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这种封装。
此外,日本的Motorola公司的PLLIC也采用了此种封装。
引脚中心距1.27mm,引脚数从18于68。
45、QFJ(quadflatJ-leadedpackage)
四侧J形引脚扁平封装。
表面贴装封装之一。
引脚从封装四个侧面引出,向下呈J字形。
是日本电子机械工业会规定的名称。
引脚中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷两种。
塑料QFJ多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP等电路。
引脚数从18至84。
陶瓷QFJ也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。
带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机芯片电路。
引脚数从32至84。
46、QFN(quadflatnon-leadedpackage)
四侧无引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一。
现在多称为LCC。
QFN是日本电子机械工业会规定的名称。
封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP小,高度比QFP低。
但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。
因此电极触点难于作到QFP的引脚那样多,一般从14到100左右。
材料有陶瓷和塑料两种。
当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。
电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。
电极触点中心距除1.27mm外,还有0.65mm和0.5mm两种。
这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
47、QFP(quadflatpackage)
四侧引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。
基材有陶瓷、金属和塑料三种。
从数量上看,塑料封装占绝大部分。
当没有特别表示出材料时,多数情况为塑料QFP。
塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装。
不仅用于微处理器,门陈列等数字逻辑LSI电路,而且也用于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路。
引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格。
0.65mm中心距规格中最多引脚数为304。
日本将引脚中心距小于0.65mm的QFP称为QFP(FP)。
但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。
在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm~3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和TQFP(1.0mm厚)三种。
另外,有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP专门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。
但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFP也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱。
QFP的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm时,引脚容易弯曲。
为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP品种。
如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂保护环覆
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