17春北交《电力电子技术》在线作业一Word格式文档下载.docx
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B.数千瓦至数万瓦
C.数万瓦至数十万瓦
D.数十万瓦至数百万瓦
5.随着门极电流幅值的增大,晶闸管开通所需要的正向电压在()。
A.逐步增加
B.逐步降低
C.不变
D.先增大后降低
6.晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管阳极电流和()之间的关系曲线。
A.阴极电压
B.阳极电压
C.阴极电流
D.阳极电阻
7.晶闸管的额定电压为正常工作时其所承受峰值电压的()。
A.2~3倍
B.3~4倍
C.4~5倍
D.5~6倍
8.熔断器的额定电流应()熔体额定电流值。
A.大于等于
B.小于等于
C.大于
D.小于
9.电流型三相桥式变换电路的基本工作方式是()。
A.120°
导通
B.30°
C.45°
D.150°
10.开通时间为延迟时间与()之和。
A.上升时间
B.下降时间
C.流入时间
D.流出时间
二、多选题(共10道试题,共40分。
1.直流变换电路的工作方式有:
()。
A.定频调宽
B.定宽调频
C.调频调宽
D.定压调频
2.以下为开关电源的优点的为:
A.效率高
B.体积小
C.输入交流电压的适应范围宽
D.电路形式灵活多样
3.以下为晶闸管触发电路应满足的要求为:
A.触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通
B.触发脉冲应有足够的幅度
C.触发脉冲要满足主电路移相范围的要求
D.触发电路应有良好的抗干扰性
4.晶闸管的换流方式有:
A.电网换流
B.负载换流
C.强迫换流
D.循环换流
5.电力二极管的主要类型有:
A.普通二极管
B.快恢复二极管
C.肖特二极管
D.恢复二极管
6.以下器件为晶闸管的派生器件的为:
A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.逆导晶闸管
D.光控晶闸管
7.电力电子器件的发展趋势有:
A.全控化
B.高频化
C.集成化
D.专用化
8.按沟道半导体材料的不同,MOSFET可分为:
A.P沟道
B.N沟道
C.S沟道
D.M沟道
9.电力电子器件在实际应用中,其组成包括:
A.主电路
B.控制电路
C.驱动电路
D.门电路
10.变频通常的方式有:
A.交-直-交变换器
B.交-交变换器
C.交-直变换器
D.直-交-直变换器
三、判断题(共10道试题,共30分。
1.单相桥式全控整流电路具有输出电流脉动小,功率因数高的特点。
()
A.错误
B.正确
2.交-交变频电路是不通过中间直流环节而将电网频率的交流电直接变换成不同频率的交流电的交流变换电路。
3.晶闸管的结构可由3个二极管的串联电路来进行等效。
4.在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为主电路。
5.电力电子器件的功率损耗大于信息电子器件的功率损耗。
6.反向重复峰值电压是指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。
7.降压斩波电路输出电压的平均值与输入电压之比,等于斩波电路开关的导通时间与斩波周期之比。
8.在单相可控整流电路中,晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度为控制角。
9.1947年,美国的贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一场革命。
10.晶闸管在承受正向阳极电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。
1.随着门极电流幅值的增大,晶闸管开通所需要的正向电压在()。
2.开关电源的效率通常可达()以上。
3.单结晶体管的分压比为()。
A.0.3~0.9
B.1.2~1.4
C.1.5~1.8
D.2.7~2.9
4.GRT关断时要经历储存时间和()。
5.电流型三相桥式变换电路的基本工作方式是()。
6.晶闸管是()电力电子器件。
A.半控型
B.全控型
C.整流型
D.逆变型
7.单相半波可控整流电路带阻感性负载的移相范围为()。
A.0~π/6
B.0~π/3
C.0~π/2
D.0~π
8.普晶闸管的关断时间为()。
A.几微秒
B.几十微秒
C.几百微秒
D.几毫秒
9.公共交流母线进线方式组成的三相交-交变频电路由()彼此独立的交-交变频电路构成。
A.3
B.4
C.5
D.6
10.晶闸管的额定电压为正常工作时其所承受峰值电压的()。
1.电力MOSFET的主要参数有:
A.漏极电压
B.漏极直流电流
C.栅源电压
D.极间电容
2.逆变可分为:
A.有源逆变
B.无源逆变
C.正向逆变
D.反向逆变
3.晶闸管的换流方式有:
4.准谐振电路可以分为:
A.零电压开关准谐振电路
B.零电流开关准谐振电路
C.零电压开关多谐振电路
D.用于逆变器的谐振直流环节电路
5.以下触发方式可触发导通二极管的有:
A.门极触发
B.光触发
C.电压触发
D.结温较高
6.按照驱动形式,电力电子器件可分为:
A.电流驱动型
B.电压驱动型
C.电阻驱动型
D.电抗驱动型
7.变频通常的方式有:
8.晶闸管的动态参数主要有:
A.开通时间
B.关断时间
C.断态电压临界上升率
D.通态电流临界上升率
9.零开关PWM电路可分为:
A.零电压开关PWM电路
B.零电流开关PWM电路
C.零电阻开关PWM电路
D.零电抗开关PWM电路
10.按照构成材料,电力电子器件可分为:
A.电真空器件
B.半导体器件
C.晶闸管
D.IGBT
1.单结晶体管触发电路结构简单,输出脉冲前沿陡,抗干扰能力强。
2.降压斩波电路输出电压的平均值与输入电压之比,等于斩波电路开关的导通时间与斩波周期之比。
3.变压器漏抗无法起到限制短路电流和抑制电流的目的。
4.电力电子器件一般都不工作在开关状态。
5.直流斩波电路的主要功能是直流变压与调压,当输出电压的平均值低于输入电压的平均值时,称为降压斩波器。
6.三相半波整流电路与单相半波整流电路相比,输出电压脉动小,输出功率大。
7.交-交变频电路是不通过中间直流环节而将电网频率的交流电直接变换成不同频率的交流电的交流变换电路。
8.当PN结外加正向电压时,多子的扩散运动大于少子的漂移运动,形成扩散电流。
9.在相同电压和电流定额的情况下,IGBT的安全工作区比GTR的大,且具有耐脉冲电流冲击能力。
10.将3个单相调压器接在对称的三相交流电源上,让其互差120°
相位工作,构成了一个三相交流调压电路。
1.当PN结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻值为常量,管压降随正向电流的上升而()。
A.增加
B.减少
C.先增加后减少
D.先减少后增加
2.开通时间为延迟时间与()之和。
3.增强型功率MOSFET的输入阻抗最高可达()。
A.105Ω
B.108Ω
C.1010Ω
D.1015Ω
4.晶闸管的电流容量越大,要求的触发功率()。
A.越小
B.越大
D.无关
5.普晶闸管的关断时间为()。
6.三相桥式全控整流电路宽脉冲触发要求触发脉冲的宽度大于()。
A.30°
B.45°
C.60°
D.90°
7.单结晶体管的分压比为()。
8.GRT关断时要经历储存时间和()。
9.晶闸管是()电力电子器件。
10.国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为()下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
A.30℃
B.40℃
C.50℃
D.60℃
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