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14SiNCVDdep時爐管各部分的溫度別控制在什麼範圍?
為什麼如此?
15STI蝕刻後需檢查什麼地方以確保蝕刻正常?
這些項目在密集區何疏散區有何不同?
11
16ActivePHO(ODPHO)需檢查什麼以確保製程正確無誤?
這些項目和黃光製程的什麼參數有關?
17黃光區曝光機共有幾種機型?
他們各別有什麼任務?
試列表比較其特性?
12
18line和DUV分別用什麼樣式的光阻?
試列表比較各光阻特性?
14
19ODR光罩和OD光罩有何關係?
試畫圖解釋之.15
20總共有多少種光阻去除方式?
個別適用於何種情況?
16
21去除Si3N4時,為何要在熱磷酸之前加50:
1HF蝕刻?
此蝕刻時間太短有何影響?
17
22熱磷酸對Si3N4,Oxide的蝕刻率分別是多少?
蝕刻率可控制因子為何?
23Sacrificialoxide(SACoxide)的目的為何?
24VtIMP的目的為何?
對產品電性有何影響?
18
25N-wellimplant打入P31,120KeV.請估計光阻厚度最少應有多厚?
26請畫出Gateoxide程式"
OGA0070A"
溫度,氣體流量和時間的關係圖(請自行查爐管OI)18
27Gateoxide對產品影響的參數有哪些?
試描述定量一點19
28寫出FNtunneling方程式,請問0.18umGateoxidethickness從理論計算應能承受多少MV/cm@1pA漏電19
29Gateoxide成長有哪些重要考量?
20
30Gateoxide前製程B-Clean的目的為何?
其中的APMdiptime會影響什麼產品參數?
31Gateoxide厚度如何Monitor?
其量測誤差為何?
線上如何控制厚度保持定值?
22
32試畫圖說明爐管區測量控片厚度的位置.距離晶片中心的距離分別是多少?
33說明Gateoxidequality(integrity)如何量度?
解釋不同方法的優缺點(Vbd,Qbd,Tbd,Do,Yield..)23
34解釋名詞,PHOproximityeffect,Swingeffect,Exposurelatitude,BestFocus,DepthofFocus.24
35解釋名詞.Lottolot,withinlotwafertowafer,withinwafer,withinfield,withindieuniformity.請討論其重要次序26
36PHOOverlayshift的原因及現象有哪些?
其中有多少種可以經由給機台補償改善?
27
37PHOrecipe的Focus設定值往正"
+"
調整後PRprofile會有何影響?
往負"
-"
38請列舉出任何一個產品的Poly光罩EBOlogicaloperation,並解釋其原因28
39PolyCD對產品WAT參數的影響為何?
如何決定最佳的製程CDtarget?
28
40何謂ADI,AEICDbias?
何謂DOS(designonsilicon),DOM(designonmask)?
41試列表說明光罩A,B,C,D,E,F,G,Hgrade之CDtargetspec,registrationspec以及Defectspec29
42Poly蝕刻程式分成幾個步驟?
各步驟的目的為何?
29
43Poly蝕刻步驟如何Monitor?
試說明其Monitor項目及方法30
44為何需要在Poly蝕刻後量測產品上的殘留厚度?
此殘留厚度影響什麼產品特性?
30
45何謂Hotcarrier?
應如何控制或改善?
460.25umLOGIC的N+Gate和P+Gate的片電阻值會相差多少?
濃度相差多少?
32
47何謂Depletion?
何謂Accumulation?
測Po/NWGateoxideVbd時Poly和NW何者接到正電位?
為什麼?
33
48試算出50Agateoxide厚度的電容值大小.33
49何謂LDD,DDD,MDDimplant?
試比較他們的優缺點34
50大斜角度的Implant有何功能?
並解釋Tilt,twist和rotation動作35
51試算出"
A050K300E3T00"
implant條件植入Sisubstrate的Junctiondepth以及表面濃度36
52降低DeviceIoffleakage的方法有哪些?
37
53S/Dimplant製程有什麼該注意的特性?
38
54Sapcer的目的為何?
影響什麼產品特性?
55RPO的目的為何?
39
56TisilicideC54和C49相的電阻率為何?
兩者之間有何關係?
57試寫出Tisilicide製程流程.並說明需注意之處39
58RTA製程如何監控?
Processwindow如何決定?
40
59試寫出NMOS在Linearregion和SaturationRegion時Id和Vd,Vg的關係式42
60何謂BPSG,BPTEOS?
在製程上有何考量?
42
61BPSGflow的目的為何?
43
62為何Flow後在ContactPHO前需作一STDclean?
63何謂Maragonicdry?
IPAdry?
Spindry?
64何謂PHOWEE?
試寫出0.22umTM8070所有CriticalLayer的WEE值44
65ILDCMP的目的為何?
需注意什麼問題?
44
66ILDCMP如何做PostClean?
67Pre-metaldip的目的為何?
68ContactIMP的目的為何?
69試列表比較CVD和PVD製程的差異44
70何謂IMPTi?
CollimatedTi?
其優缺點為何?
71如何定義StepCoverage?
45
72如何定義Flowangle?
73圖解說明AlignmentMark如何應用R29圖形解決AlignmentMarkMissing問題45
74何謂CVD-TiN?
PVD-TiN?
以及MOCVD-TiN,TiCl4TiN?
75為何Wdeposition又分成425C和450C兩種程式?
NewIntegrationEngineerCommonQuestionnaireandAnswercollection
Ans
ForzerolayerPHOprocess,beforePHOPRdeposition,thereneedbufferoxidetoisolatePRmaterialontouchwithSi.?
ZerolayerisdesignedbyASMLsteppersystem.
PreventthelasermarkSirecastbeingre-depositedontoSisurfacedirectly,becauseSiishydrophobiclikeandthesere-depo.Particleisveryhardtoberinseoff.
AsthefirstHIGHtemperaturecycleforH-L-Hdenudedzone(oxygenfreetreatment).
Pre-setthesurfacecleannessconditionrightafterFabreceivedthenewwafermaterials.
ZERO-STARTWAFERSTART(PTYPE、8-12OHM/SQ)
START-OXBCLN1(22220A)SPM60/HF180/APM420/HPM180/HF0
START-OXSTARTOX(1100C;
350A)
ZERO-PHOZEROPHOTO(ALIGNMENTMASKAT55DEG)
ZERO-ETCHZEROFULLYDRYETCH(OX350A+SI1200A)
ZERO-ETCHRESISTSTRIPPING(PSC)PARTIALSTRIP
ZERO-ETCHPRCARO'
SSTRIP(ETCH)SPM+APM
由上表可以很明顯地看出StartOX的第一個功用,就是不希望為有機成分(C-Hbond)的光阻直接碰觸到矽晶圓表面。
在電子級的矽晶圓中,氧及碳雜質是無法完全被移除的,一般的含量約為1016cm-3左右。
除以固溶態(Solidsolution)存在外,也會以微析出物(Micro-precipitates)的形式存在於矽晶圓中。
這些絕緣的微析出物將會引致在空乏區(Depletionregion)的電力場(Fieldline)彎曲,而造成局部的電場梯度(Fieldgradient)變大,因此在較低的電壓就有可能造成接面崩潰(Junctionbreakdown)。
另一方面碳氧雜質無論是以插入(Interstitial)或替代(Substitutional)的方式固溶於矽晶圓中也容易變成佈植雜質(Dopant)或缺陷集中的中心。
StartOX的另一個用途則是在WAFERSTART刻雷射刻號時高功率雷射入射矽晶圓表面引致的融渣會在STARTOXREMOVE後被移除,不過FAB5目前是使用Soft-laser來作刻號,並不會有這個問問題。
AnsZerolayer
ASMLsteppersystemrequiresazeromarkforglobalalignmentpurpose.
ForASML300Btheoverlayspecforsinglemachineis<
45nm,formated300Bmachine<
75nmandfor300to200machine<
95nm.TheoverlayperformanceisthebasiccharacteristicofstateofartStepper.UsezerolayerglobalalignmentmarksystemcanhelptoimprovetheOVLperformance.
(OVL156_120)2=(OVL156_0)2+(OVL120_0)2
Lasermark
Waferidentification(includeLotid,waferID)
Laser-mark是wafer在FAB內身份證明,由11碼組成:
例如:
F12345-01XX
前6碼代表LotID
第7碼為-
第8,9碼為WaferID(01~25)
第10,11碼為序號
P-type,r=8~12Ω-cm,10?
2W-cm
查表:
8Ω-cm?
1.68e15cm-3,10Ω-cm?
1.34e15cm-3,12ΩVt=-Q/Cox
WhereQisthechargeofthesheetionizeddopantchargeinthechannel.Coxisthegateoxidecapacitanceperunitarea.
Vt=ψms-QoxCox+QbCox+2ψB
由上式可知Vt的大小與MOS晶體的GatematerialFermilevel有關.一般而言Gatematerial為N-typePolysilicon.其ψms約為-0.98V因此不論是NMOS或PMOS其intrinsicVtthresholdvoltage都偏向負值,因此通常在表面植入薄層之"
正型"
dopant,e.g.BoronorBF2以調整N/PMOS之Vt值.
一般光阻厚度必須至少等於離子植入Projectionrange(Rp)加上四倍的Projectedstandarddeviation(DRp),usuallydefinePRthicknessas0.0001%transmission,
fromdatatable:
P31@Energy=120keV,PRmaskingmaterialthickness~7000A.
TheRpofpositiveresistisabout1.428timeslargerthaninSi.
溫度,氣體流量和時間的關係圖(請自行查爐管OI)
No1234567891011121314151617
StepStandbyWF-chargeHoldBoat-upT-STB1Ramp-up1T-STB2O2-FlowTLC-OXO2-purgeBRamp-up2T-STB3AnnealRamp-downBoat-downWF-coolWF-Discharge
Time05"
5"
10'
20'
3'
T-VARD55'
+-1'
5'
50'
Temp750C+5C/m800C+5C/m900C-3C/m750C
B-N2100002300010000100090002300010000
S-N2100001000
B-O20100000
S-O2020002000
900C800C750C750C+5C/m800+-5CTLC235cc+5C/m900C-3C/m750C
試描述定量一點
VtvsTox
Vtn,Vtp和gateoxidethickness關係如右
inlinearregion:
Id=WLmCox(Vg-Vt)Vd
insaturationregion:
Id=WLmCox(Vg-Vt)22
sub-thresholdswingnearlyalltheelectricalparametersarerelatedtogateoxidecapacitanceoroxidetrappedcharge.
St=d(logId)dVg-1=2.3kTq1+CdCox
28寫出FNtunneling方程式,請問0.18umGateoxidethickness從理論計算應能承受多少MV/cm@1pA漏電
IntheF-Ntunnelingequation:
J(A/cm2)=AFEox2exp(-BEox)
AF=1.25E-6
B~240MV/cm
whenJ=1E-12A/(10x10)um2=1uA/cm2
Eox=7.526MV/cm
ForC018gateoxidethickness=32A,Voltage=2.408V@1pA@10um2squarethinoxidearea.
降低成長速率以利厚度均勻度控制?
採用dryoxide,orlowflowrate/temperaturewetoxide.溫度隨產品技術演進而降低
使用Cl-離子growth,etch方式,減少金屬污染.?
採用合乎環保的Trans-LC作為Cl離子來源
低溫出爐,以降低Si/SiO2的oxidefixedchargedensity.?
Boatouttemperatureusuallylowerthanconventionaloxidationfurnace.
低溫成長,高溫回火.?
In-situ900CorhigherannealtemperatureisgoodforfilmannealandimproveQbd.
上下介面雜質控制?
Oxide/SiandOxide/gateinterfacetrapstatewillchangetheVbdcharacteristics,andneedcleanproceduretopreventanymetal,organiccontamination.
RemoveSisurfaceparticles,metalIon,organic,micro-roughnessandnativeOxide.?
Use22220A,whereSPM(CR)1mintoremovelightorganic,100:
1HF3mintoremoveanynativeoxide,andAPM7mintoenhanceparticleremoveandSisurfacemetalionstrippingcapability,HPM3mintoremoveheavymetalions.
APMdiptimeconcerns:
除去Si表面的缺陷,使Si/SiO2的介面較好,removeparticle.
toolong:
造成Si表面的侵蝕,增加表面的roughness,影響GOI,且影響表面雜質濃度而影響Vt?
longdiptimeisrecommendforbettermegasonicparticleremovalcapability,useoflowconcentration,orlowtemperatureandimprovetheprocesswindow.
tooshort:
particleremain,resultingmoreabundantVtadjustimplantdosageremainedinSibodyandresultstoHNLPdeviceVtshift.
Gateoxide厚度Monitor:
每個RUN需將控片(C/W)與產品晶片一起進爐管,控片(C/W)分別擺放在上,中,下位置.在oxidegrowth後以橢圓測厚儀(ellipsometer)測量thinoxidethickness.
Withinwaferuniformity:
(晶片內九點之MAX-MIN)/(2?
#20061;
點之平均值)
Wafertowaferuniformity:
(同RUN之MAX-MIN)/(2?
#21516;
RUN之平均值)
橢圓測厚儀量測誤差固定由QC以標準控片校正
線上如何控制厚度:
線上以SPC,key-indata於Chart內如果outofspec則followOCAP並inform工程師check機台及產品.
各種technology之gateoxide厚度與spec如下表:
TechnologyRecipe名稱反應溫度厚度規格Particle規格AreaCount規格
0.18logicOGA0032A750?
℃32?
A≤30(0.2um)≤6ea
0.25logicOGA0048A800?
℃48?
0.30logicOGA0070A800?
℃70?
0A≤30(0.2um)≤6ea
0.35logicOGA0070A800?
Coordinate:
unit(mm,degree)
SiteX-coordinateY-coordinateR(mm)Theta(degree)Remark
1000中
20-9090270下(Thisisduetowafermark)
3
- 配套讲稿:
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