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A、普通电阻用四色环表示阻值,其中前三条色环(从最靠近引脚的色环数起)标明两位有效数字倍率,第4位表示误差范围(用金、银色表示)。
B、精密电阻用五色环表示阻值,前三条表示有效数,第4条表示倍率,第5条表误差范围。
普通电阻四色环表示法表
颜色
第一有效数
第二有效数
倍率
误差
黑
100
棕
1
101
红
2
102
橙
3
103
黄
4
104
绿
5
105
蓝
6
106
紫
7
107
灰
8
108
白
9
109
金
10-1
±
5%
银
10-2
20%
无色
普通电阻五环表示法表
8、电阻选用的原则
1阻值和允许误差的选定,根据电路特点选用合适的电阻。
2额定功率选择管的功率应比计算的耗算功率(I2R)大,一般选择两倍以上。
当功率>10W时,需足够散热空间。
第三节电容
1、电容Capacitance单位:
F符号:
2、单位转换:
1F=106uf=109nf=1012pf
3、根据介质分类:
1电解介质电容器
A、铝电解电容器B、铌电解电容器C、钽电解电容器
特点:
具有极性,不可接反。
2复合介质电容器——纸膜混合电容器
3固体介质电容器
A、有机薄膜电容器B、纸介电容器
4无机固体介质电容器
A、玻璃轴电容器B、陶瓷电容器C、云母电容器
5气体介质电容器
A、充气式电容器B、空气电容器C、真空电容器
4、据控制方式分类:
1固定式电容,符号:
2可调式电容,符号:
和(微调电容器)
5、电容器命名方法:
主称(C)+材料+特征+序号
例:
筒形纸介电容器名称:
CZT
圆片形瓷介电容器名称:
CCY
6、电容器外形特征:
1形状
a、筒形b、管状c、立式矩形d、圆片形e、贴片形(CHIP电容)
2结构:
密封和非密封
3大小:
大、中、小型
7、电容器的特征表示法:
1少部分电容器,同样用复环表示容量大小、误差等,不作介绍。
2体积较大的电容一般在管身上注明容量、耐压,工作温度等,参数;
体积小的,如瓷瓦电容同样注明容量大小。
8、选用电容重要参数
1容量
2耐压选耐压值时须注意大于或等于实际电压的2倍
3温度根据电路的温度特点选择
4频率据电路要求选高、中、低频率电容
备注:
一般电解电容上有三个特性值:
耐压值,标称容量,最高允许温度。
第四节电感
1、电感Indvetor单位:
H(亨)
2、转换公式:
1H=103mH=106uh=109nH
1电感线圈
a、单层线圈b、多层线圈c、蜂层式线圈d、固定电感器e、带磁芯线圈f、可调电感器g
、低频扼流圈
2变压器
a、电源变压器b、低频输入变压器c、低频输出变压器d、中频变压器e、宽频带变压器f、脉冲变压器
4、电感器的命名方法:
1电感线圈的命名:
主称(L)+特征+型号+区别代号
2中频变压器命名:
主称(T或L)+尺寸+级数
3变压器型号的命名:
主称(T或B)+功率+序号
5、电感线圈特性:
1电感的色环表示法,方法同电阻的相似。
单位:
υH
I
II
2电感量误差分为I、II、III级,分别为±
5%、±
10%、±
20%。
3常用在滤波、谐振电路中。
6、可调电感器通过调节磁心长度,使电感量相应变化。
比如,收音机的中周等。
7、中频变压器:
1常用在电视机的通道、伴音、鉴频、邻近频道吸收、收音机的中周等电路中。
2分为固定式和可调式中频变压器,如收音机中中周就是可调的。
8、继电器:
1是电磁原理的重要应用,相当一个自动断合开关。
2影响继电器工作性能重要参数。
a、环境温度b、相对温度c、气压d、耐压
3分类为交直流继电器。
第五节晶体管
一、二极管
1、概念:
1P型半导体:
在本征半导体中掺入三价元素(硼),形成以电子导电为主的半导体。
2R型半导体:
在本征半导体中掺入五价元素(磷),形成以空穴导电为主的半导体。
3本征半导体:
指理想(没杂质)的半导体。
4PN结:
在一块完整的半导体,一边由N型半导体,一边由P型半导体,在它们交界处形成一个具特殊物理性能的薄层(厚度为数微米),称PN结。
具有单向导电性。
5单向导电:
指电荷移动的方向一定。
6导通电压:
硅管约0.5V,锗管约0.1V。
2、二极管的构成:
在一个PN结两端各引一根电极引线,用外壳封装起来,P区引出极称阳极,N区引出的称阴极。
3、分类:
1按半导体材料分:
a、锗二极管b、硅二极管
2按用途分:
a、普通型二极管b、整流二极管c、交压整流二极管d、硅堆二极管e、稳压二极管f、开关二极管g
、发光二极管h、光电二极管I、变容二极管j、磁敏二极管k、隧道二极管
3按形状分:
a、插件式b、贴片式
4、命名方法:
由五部分组成(也适用于三极管)
①
数字表示汉语拼音表示汉语拼音数字表示序号汉语拼音
电极数目材料和特性表示器件类表示规格号
锗普通二极管硅NPN型高频小功率三极管
2AP9A3DG110A
②一、二、三部分代号意义表
第一部分
意义
第二部分
第三部分
二极管
N型锗材料
P
普通管
B
P型锗材料
W
稳压管
C
N型硅材料
Z
整流管
D
P型硅材料
三极管
PNP锗材料
光电管
NPN锗材料
PNP硅材料
FG
发光管
NPN硅材料
E
化合物材料
G
高频小功率
高频大功率
5、选二极管的重要参数:
1最大整流电流IF平时使用时,不能超过此值,可能烧坏管;
2最高反向工作电压VRM指允许加在二极管的反向电压的最大值(VMAX),安全起见,此值约为击穿电压的一半;
3反向电流IR;
4最高工作频率fM结电容愈大,fM愈低,使管的单向导电性愈差。
5直流电阻RO
6交流电阻Rd
另外,注意耐高温时选用硅管。
6、二极管的简单应用:
1单相桥式滤波。
2稳压管(D)符号:
特殊硅二极管,通常工作在反向击穿区,为了保护稳压管,须适当并联一个限流电阻,使反向电流不致全部进入。
3发光二极管(LED)符号:
二、三极管
1、双极型三极管
1双极型三极管
A、按材料分:
a、锗晶体三极管b、硅晶体三极管
B、按结组合方式分:
a、NPN型符号b、PNP型符号
C、按功率分:
a、大功率管(>1W)b、中功率管(0.5~1W)C、小功率管(<0.5W=
D、按频率分:
1.高频管(f<3MHZ=2.低频管(f<
3MHZ)
3三极管三种工作状态(NPN型),仅供参考。
电路图:
项目
截止状态
放大状态
饱和状态
佩置
发射结零偏或反偏集电结反偏
反射结正偏,集电结反偏
发射结正偏,集电结正偏
特
点
a、在模拟电路中,三极管主要工作在放大状态,在数字电路中,主要工作在饱和和截止状态中。
b、当三极管工作在放大状态,实质是一个小电流控制大电流的控制器。
③三极管三种接法(NPN)
(共射极电路)(共集电极电路)(共基电极电路)
4三极管的选管原则:
a、须保证三极管工作在安全区,即应使工作时的Ic<IcmPc<PcmUce<U(BR)CEO
b、输入频率根据电路特点选用高中低频率管子
a、反向击穿电压。
b、工作温度工作温度变化大要选用硅管、大功率管要注意散热。
c、同型号管优先选用反向电流小的,而且β值大宜太大(几十——一百左右)。
⑤小功率管β值色点表示法(不同型号管略有差别)
色点
不标点
P范围
20~30
30~60
60~100
100~150
150~200
>200
⑥常用特殊三极管:
A、光电三极管符号:
作用:
光信号转换电信号
B、光电耦合器符号:
作用:
a、电位隔离,隔噪声,抗干扰;
b、可以组成简单开关,实现脉冲传输。
2、单极型三极管(常称场效应管)简单介绍
1概念
a、单极型三极管指只有一种载流子参与导电。
b、电压控制器件:
是一种由输入电压信号来控制其输出电流,大小的半导体器件。
2场效应管分类:
A、表面场效应管
a.N型沟道增强型MOS管
N型沟道耗尽型MNS管
b.P型沟道增强型MNOS管
P型沟道耗尽型MAIOS管
B、结型场效应管
a、N型沟道
耗尽型
b、P型沟道
3场效应管的特点:
a、输入电阻极高,达108~1015Ω
b、噪声低,受温度,辐射影响小。
C、工艺简单,便于大规模集成化,广泛用于集成电路。
4使用常识:
a、严禁接反管脚。
b、贮存、焊接、测试时将三个电极须用导线先把三脚连在一起,烙铁须有良好接地或拔掉电源。
C、测试仪器须良好接地,慎用万用表。
第六节应用常识
以上介绍是国产品通用标准,平时大量接触进口元器件,有必要具体介绍一些进口类型,手中的万用表怎么用?
国产和进口集成块命名有什么特点?
一、电阻、电容、电感、晶振、晶体管
1、电阻Resistance(插件式、CHIP式、网络电阻)
1CHIP式电阻
命名方法:
ERJ8GEYJ102V
RackingMerhods(包装方式)
V、H、B、Y四种
ResistanceRating(10x102Ω)
Resistancetolerance
D:
0.05%B:
0.01%F:
1%
G:
2%J:
5%K:
10%
ValueMarkingOnBlackSide
PowerRating
电阻类型(ResistanceType)
POWERRATING
标 识
额定功率
2GE
1/16W
14
1/4W
3GS
12
1/2W
6GE
1/10W
1W
8GE
1/8W
2圆标形CHIP
3命名方法
ERO10LNF1002
ResistanceRating
100x102Ω=104Ω
ResistanceTolerance(参考Chip式)
TenperatureCoefficient(温度系数K±
100PPM/℃H±
50PPM/℃)
Long
PowerRating
21-0.125W、10-0.125W、25-0.250W
色环表示法(同国产品标识一样)
4网络电阻(CHIPRESISTANCENETWORKS)
EXBA10E103J
区别代码
ResistanceTolerance
ResistanceRating(10x103=104Ω)
回路规格
E:
E回路P:
P回路
NumberOfTerminais:
10个端子
尺寸:
A:
6432L:
6.4mmW:
3.2mm
ThickChip
5插件电阻
命名方法:
R20T-23J
ResistanceRating(阻值)
ResistanceTolerance(公差)
PackingMethods(包装方式)
型号
6插线电阻(命名与网络CHIP相似)
万用表鉴别电阻1、选取欧姆档;
2、若电阻趋无穷大,则击穿
电容Capacitance(Chip,插件)
1Chip电容(以TDK产品为例)
C2102COG1H100DB
区别代号
PackingStyle包装样式(纸箱形式)
CapacitanceTolerance
C:
0.25PFD:
0.5PFF:
1.0PF
J:
5%PFK:
10%PFM:
±
20%PF
Z:
-80~-20%PF
容量
010:
1PF100:
10x100=10PF
102:
10x102=1000PF0R5:
0.5PF3R5:
3.5PF
RatedVoltage
Symbol
RatedVoltage
1C
16
1E
25
1H
50
TemperatureCompensation温度补偿系数
规格
②屈压式电容器件(例ROMH公司)
命名方法
MNA22SF103ZP
包装款式
静电容量
100x103=1000μF
温度系数
尺寸
系列名
2插件电容
万用表鉴别电容器:
1选取欧姆档,两表笔接触两管脚。
2表头电阻由小逐渐变大,直至趋无穷大,判断此电容OK,若导通则NO。
2、电感TNDUCTORS(Chip,插件形式)
1屈压形电感
LK1608R0K-T
PackingSyle
电感量:
1.0μH
类型
2色环表示与国产的一样
*万用表鉴别:
1选取欧姆档;
2表笔接两脚,导通则OK;
若电阻特别大则NG。
3、晶振
晶振具有振荡频率稳定度非常高的优点,可以等效成一个电容电感串联和一个并联电路。
例(Panasonic产品)
命名
EFO3584
Design
FrequencyTolerance
0:
1.0%3:
0.3%5:
0.5%
PackingStyle
FreguencvRating
3.584MHz
ChipType
ProductCode
4、二极管Semiconductordiode(Chip,插件形式)
命名方法(Romh公司)
UDZTE-175.1E
A(v)
B(v)
4.80-5.40
5.1-5.7
稳压范围
齐纳电压区分
包装形式
品名(稳压管)
1选取欧姆档,表笔接管两端。
2此时电阻很大(K级以上),对调两表笔,此时电阻较小,由此可判断二极管两极好坏。
(图示)
3二极管若被击穿,测试电阻都较小。
5、三极管EmiconociokTriode(贴片、插件式)
贴片式
DTA124EK
封装方式
电阻比率
R1阻值的乘方
R1阻值
元件规格
1:
一般品2:
静噪音
结型B:
NPNA:
PNP
C:
NPND:
数字管
*万用表鉴别三极管(见附表)
二、TC部分常识(未注明国内外通用)
1、集成分类
1半导体集成电路
A、双极型电路
B、单极型电路
a、NMOSb、PMOSc、CMOS
2膜混合集成电路(不介绍)
2、命名方法:
XXXXXXXXX
字母表示工作温度
数字或字母表示品种代号
字母表示电路分类
表示符国标
CF702国外:
UA702功能一样(通用I型运大)
说明:
1、基本同国我同类产品一致2、部分命名(国内外一样)
XXXXXXX
用数字和字母表示工厂产品代号
2D03E
工作温度
品种代号
产品代号
3、电路分类字母表(GB)
字母
表示的电路
AD
A/D转换器
非线性电路
CMOS电路
音响电路(收录、电视机等)
DA
D/A转换器
ECL电路
F
运算放大器、线性放大器
J
接口电路
M
储存器
S
特殊电路(传感、通信等)
T
TTL电路
稳压器
4、IC块引脚识别:
1
1圆型结构,读法如右图
管脚朝上,从管键右侧顺时针读起。
2块状(介绍四种标识)
a、色标b、凹槽c、金属封片或凹槽d、倒角
读法一致:
以IC块顶端或正面,靠近标识下方第1脚逆时针读起。
继表:
导线不连接(跨越)
插座或插座的一个极
插座或插头一个极
插头或插座
两极插塞孔
三极插塞孔
4、电阻、电容、电感、压电晶体
电阻器一般符号
可变(可调)电阻器
压敏电阻器变阻器
热敏电阻器
0.125W电阻器
0.25W电阻器
0.5W电阻器
1W电阻器(大于1W用阿拉伯数字表示)
滑线式变阻器
有两个固定抽头的电阻器
滑动触点电位器
带开关的滑动触点电位器
预浏电位器
极性电容器
可变电容器
可调电容器
双联同调要变电容器
微调电容器
电感器绕组线圈电流圈
带磁芯电感器
磁芯有间隙的电感器
磁芯连续可圈的电感器
有两个抽头的电感器
双电极压电晶体
可变延迟线
5、半导体管
半导体二极管
发光二极管
温度效应二极管
变容二极管
隧道二极管
电压调整二极管
双向击穿二极管
双向二极管
交流开关二极管
体效应二极管
反向阻力二极晶闸管
反向导通二极晶闸管
双向二极晶闸管
三极晶闸管
反向阻断三极晶闸管,N型控制极(阳极受控)
反向阻断三极晶闸管,P型控制极(阴极受控)
可关断三极晶闸管(无控制极)
双向三极晶闸管
反向导通三极晶闸管(无控制极)
光控晶闸管
PNP型半导体管
NPN型雪崩半导体管
P型双基极单结管
N型双基极单结管
N型沟道结型场面效应管
P型沟道结型场面效应管
增强型单栅P沟道绝缘棚场效应管(衬底无引出线)
增强型单栅N沟道绝缘棚场效应管(衬底无引出线)
增强型单栅P沟道绝缘棚场效应管(衬底有引出线)
增强型单栅N沟道绝缘棚场效应管(衬底有引出线)
耗尽型单栅N沟道绝缘棚场效应管(衬底无引出线)
晶体三极管的简易判断法(I)
判断内容
方法
说明
第一步判断基极
NPN型晶体管
可以把晶体三极管看成两个二极管,当将正表笔(红色)接某一管脚,负表笔(黑色)分别接另外两管脚,测量两个阻值。
如测得的阻值均较小,且为1KΩ左右时,红表笔所接管脚即为晶体管基极。
若两阻值一大一小或都大,可将红表笔另接一脚再试,直到两个阻值均较小为止。
NPN晶体管
方法同上,以黑表笔为准,红表笔分别接另两个管脚,测得的阻值均较小,且为-5KΩ左右,则黑表笔所接管脚即为NPN三极管基极。
第二步判断集电板
利用晶体管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理可确定集电极。
用手将万用表两表笔分别接基极以外两电极,用嘴含住基板,利用人体电阻实现偏置,测读万用表指示值。
再将两表笔对调同样测读,比较两次读数,对PNP管,偏转角大的一次中红表笔所接的为集电极,对NPN管,偏转角大的一次中黑表笔所接的即为集电极。
高频管和低频管的判断
代频和的反向电流放大系数比正向电流放大系数小的不十分多,而高频管则小的很多。
因此
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