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处于分子、原子与大块的固体颗粒之间的超微纳米颗粒具有量子隧道效应,例如:
在知道半导体集成电路时,当电路的尺寸接近电子的波长时,电子就会通过隧道效应溢出器件,使器件无法正常工作。
3.半导体纳米材料光催化特性产生的原因是什么?
为什么一些半导体纳米材料的光催化特性要远远好于非纳米结构的半导体材料?
(1)光催化特性是半导体具有的独特性能之一,在光的照射下,半导体价带中的电子跃迁到导带,从而价带产生空穴,导带中产生电子。
空穴具有很强的氧化性,电子具有很强的还原性;
(2)光激发和产生的电子和空穴可经历多种变化途径,其中最主要的分离和符合这两个相互竞争的过程,因此为了提高催化效率,需要加入电子或者空穴捕获剂,纳米半导体材料相比于一般的半导体材料具有更大的比表面积,因此具有更好的催化效果。
4.详细说明零维纳米材料具有哪些优良的物理化学特性?
产
生这些优良特性的原因?
(1)物理特性:
纳米微粒具有大的比表面积,表面原子数,表面能和表面张力随粒径的下降急剧增加,小尺寸效应以及宏观隧道效应导致纳米材料的热、磁、光、敏感性和表面稳定性不同于一般的例子;
(2)化学特性:
纳米微粒由于具有较大的比表面和表面原子配位不足与相同材质的大块材料相比具有较强的化学吸附能力(吸附剂与吸附相以化学键强结合)。
5.零维纳米颗粒材料的合成方法有哪些?
这些合成方法的优势?
(1)气相法:
化学气相反应法(气相分解、气相合成、气-固反应),物理气相法(气体冷凝法、氢电弧等离子体法、溅射法、真空沉积法、加热蒸发法、混合等离子体法)
(2)液相法:
沉淀法(共沉淀法、化合物沉淀法、水解沉淀法),水热法,溶胶-凝胶法,冷冻干燥法,喷雾法(3)固相法:
粉碎法(干式粉碎、湿式粉碎),热分解法,固相反应法;
优势:
纯度高、表面洁净、粒径均匀、不易团聚、形貌结构稳定、原材料成本和能耗低、环境污染小等;
6.请详细说明磁控水溅射制备零维纳米材料颗粒材料的具体过程,并说明磁控溅射法的优势是什么?
(1)磁控溅射是真空溅射的一种,在真空室中利用加磁场的方式,利用磁控管的原理,将等离子体中的原来分散的电子约束在特定的轨道内运转,延长其运动路线,强化局部电离,提高工作气体的电离率,导致靶材表面局部强化的溅射效果;
(2)能量较低的二次元电子在靠近靶的封闭等离子体中做循环运动,路程足够长,每个电子使原子电离的机会增加,而且只有在电子能量耗尽以后才能脱离靶表面落在阳极上,这是基片升温低,损伤小的原因,也是气体离子化率大大提高的原因,总之,磁控溅射具有高速、低温、低损伤等优点。
7.原级纳米颗粒发生团聚后会出现几种聚合体?
各自形成的方式是什么?
(1)凝聚体:
指以面相接的原级粒子,其比表面积比单个组成的粒子小得多。
(2)附聚体:
指以点、角相接的原级粒子团簇或小颗粒在大颗粒上的附着。
其总表面积比凝聚体大,但小于单个粒子的总和;
(3)絮凝:
指由于体系表面积的增加,表面能增大,为了降低表面能而生成更加松散的结构;
(4)软团聚:
以角—角相接的粒子;
(5)硬团聚:
以面—面相接的粒子;
8.胶体是什么?
请详细利用带电胶粒稳定性的理论、空间位阻稳定理论、静电位阻稳定理论来解释胶体粒子稳定的原因?
(1)只要分散系能够稳定存在,而且分散质粒子半径数量级在1nm—100nm的都叫胶体;
(2)DLVO理论:
在胶体之间既存在引力势能,又存在斥力势能,胶体的稳定或聚沉取决于两者的相对大小,加入电解质对吸引势能影响不大,但对斥力势能的影响却十分显著;
(3)空间位阻稳定理论:
通过添加高分子聚合物,聚合物分子聚合物分子的锚固基团吸附在固体颗粒表面,其溶剂化链在介质中充分伸展,形成位阻层,充当稳定部分,阻碍颗粒的碰撞聚集和重力沉降;
(4)静电位阻稳定理论:
静电位阻稳定,是固体颗粒表面吸附了一层带电较强的聚合物分子层,带电的聚合物分子层既通过本身所带电荷排斥周围粒子,又用位阻效应防止布朗运动的颗粒靠近,产生复合稳定作用;
9.提高胶体粒子在液相中分散系与稳定性的三个途径?
详细说明原因?
(1)改变分散相及分散介质的性质;
(2)调节电介质及定位离子浓度;
(3)选用吸附力强的聚合物和聚合物亲和力大的分散介质;
(4)详细原因同8;
10.详细说明水热合成法制备零维纳米材料的过程,并说明方法的优势?
(1)水热合成反应釜是在一定温度、压力条件下采用水溶液作为反应体系,利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶的物质溶解,或反应生成该物质的溶解产物,通过控制溶液的温度差使产生对流以形成过饱和状态而析出生长晶体;
(2)①明显降低反应温度(100℃一250℃);
②能够以单一步骤完成产物的合成与晶化(不需要高温热处理)、流程简单;
③能够很好地控制产物的理想配比;
④制备单一相材料;
⑤可以使用便宜的原材料,成本相对较低;
⑥容易得到好取向,更完整的晶体;
⑦在成长的晶体中,比其他方法能更均匀地进行掺杂;
⑧能调节晶体生长的环境;
11.碳纳米管的结构?
其中碳原子以何种方式进行排列?
碳纳米管有哪些结构?
(1)碳纳米管具有典型的层状中空结构特征,构成碳纳米管的层片之间存在一定夹角碳纳米管的管身是准圆管结构,并且大多数由五边形截面所组成,管身有六边形的碳环微结构单元组成,端帽部分由五边形的碳环组成的多边形结构,或者称为多边形锥形多壁结构;
(2)扶手椅形纳米管、锯齿形纳米管、手性纳米管;
12.什么是手性?
什么是SP2轨道杂化?
(1)手性指一个物体与其镜像不重合;
(2)1个s轨道和2个p轨道组合成3个sp2杂化轨道;
13.如何利用化学气相沉积(CVD)法生长一维半导体纳米材料?
金催化剂在这个过程中的作用?
(1)化学气相沉积法是通过化学燃料气体的化学反应在模板孔道内沉积形成纳米管,纳米线或者纳米粒子,温度经常控制在500—1000度;
(2)再利用CVD法制备一维半导体纳米材料的实验中,根据金颗粒的大小来控制纳米线的直径分布等;
14.碳纳米管有哪些制备方法?
比较这些制备方法的优缺点?
(1)石墨电弧法:
有简单快速的特点,制得的碳纳米管直,结晶度高,但是缺陷较多;
(2)激光蒸发法:
利用此法可以使碳纳米管端部层与层的边缘碳原子可以成键,从而避免端部封口,但是此法成本高,难以推广;
(3)催化裂解法:
在600—1000度的温度及催化剂作用下使含碳气体原料分解,附着在催化剂微粒标下形成碳纳米管,使用的金属多为第八族,可以加入少量的Cu,Mg等调节金属能态,改变其化学吸附,与分解含碳气体的能力;
(4)化学气相沉积法:
制备条件可控,易批量生产;
(5)模板法:
所用膜容易制备,合成方法简单,能合成管径很小的结构;
制备的材料孔径相同,具有单分散的结构;
容易从模板分离;
(6)水热法:
工艺简单,制得的碳纳米管管径小,分布窄,纯度和收率都高,大大降低了制备的反应温度;
(7)凝聚相电解生成法:
可以通过改变电解的工艺条件控制碳纳米材料的形式;
15.纯化碳纳米管有哪些方法?
比较这些方法的优缺点?
(1).空气氧化法:
样品损失率高;
(2).液相氧化法:
这种方法大大降低了样品的损失率(最终产物占初始产物的30-50%),但是该方法提纯后的样品仍含有较大量的催化剂粒子(1%);
(3).插层氧化法:
此法是去除石墨粒子的一种有效方法,但对于催化剂粒子则无能为力,且引进了新的杂质;
(4).溴化一氧化提纯法:
可以得到相当于原来重量10%—20%的产物;
(5).硝酸氧化法:
可以大批量地进行单层纳米碳管的分离。
实验研究发现,使用该硝酸氧化法每天可以提纯出克量级的单层纳米碳管,可以极大地满足对纯化了的单层纳米碳管进行深入研究的需要;
(6).红外线辐射氧化法:
可以得到体积松散,海绵状,具有高定向性的多层纳米碳管;
(7).水热氧化法:
最终单层纳米碳管的纯度(质量分数)可达到95%。
实验发现,利用水热氧化这种提纯方法,每1g的烟灰至少可以得到2Orng的单层纳米碳管;
(8)空间排斥色谱法:
不破坏纳米碳管的前提下进行提纯和长度选择的方法,但此法提纯物的纯度不够高;
(9)电泳纯化法:
由于纳米碳管存在电的各向异性这一特征,因此当在两个铝电极间加入大小为2.2×
10V·
m交变电场时,在电场的作用下,纳米碳管将由原位移动到阴极附近,并沿着电场的方向进行有规律的定向排列;
(10)离心和微过滤法—离心法:
在超声振荡(使粘附在纳米碳管上的杂质粒子脱落下来)下过滤,经循环实验可提供一种大量非破坏性提纯纳米碳管和纳米粒子的方法,同时通过控制凝絮,为纳米碳管的尺寸选择提供了前景。
两次循环实验后,纳米碳管的纯度仅为90%,表明其纯度不很高;
(11)离心和微过滤法—微过滤法:
该方法仅适用于纯度较高的样品,且提纯物收率不高。
改进的气相氧化法:
本小组将由流动催化剂法制备的直径为3-20nm碳管与溴水反应形成溴的石墨插层化合物,然后在流动空气下加热到800K,并在此温度下恒温20min,将氧化后的产物用浓盐酸浸泡以除去催化剂粒子;
16.碳纳米管的表面修饰有哪些方法?
(1)机械修饰:
运用粉碎、摩擦、球磨、超声等手段对碳纳米管表面进行激活以改变其表面物理化学结构;
(2)化学修饰:
利用化学手段处理碳纳米管获得某些官能团,改变其表面性质以符合某些特定的要求;
(3)外膜修饰:
在碳纳米管表面均匀包覆一层其它物质的膜,使其表面性质发生变化;
(4)高能表面修饰:
利用高能量电晕放电、紫外线、等离子射线和微波技术等对碳纳米管进行表面修饰;
17.碳纳米管有哪些物理、化学、力学、热学特性?
为何碳纳米管有这些优良的特性?
(1)碳碳共价键是自然界中最稳定的化学键,所以碳纳米管具有良好的可弯曲性,不仅可以完成很小的角度,当弯曲应力去除后,碳纳米管通常能够从很大的弯曲变形中恢复原来的状态;
单壁的碳纳米管具有金属性和半导体性两种特性;
由于碳纳米管具有非常大的长径比,因而大量热是沿着长度方向传递的,通过合适的取向,可以合成高各项异性的材料;
(2)碳纳米管良好的特性取决于其物理结构的特殊性,详见11;
18.石墨烯的结构?
石墨烯中碳原子以何种方式进行排列?
石墨烯有哪些结构?
(1)石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维材料;
(2)石墨烯根据边缘碳链的不同可以分为锯齿型和扶手椅型;
19.石墨烯有哪些制备方法?
比较这些制备方法的优缺点?
(1)机械剥离法:
最简单的方法,对实验室要求简单,并且容易获得高质量的石墨烯,但是制备的石墨烯薄片尺寸不易控制,重复性差,产率低,而且难以规模化生产;
(2)氧化石墨还原法:
产量高,应用广泛,但由于强酸的氧化性对石墨进行氧化处理,引入许多晶格缺陷,容易导致物理、化学性能的损失;
(3)化学气相沉积法:
可制备出面积较大的石墨烯片,但由于现阶段工艺不成熟及较高的成本限制了规模应用;
(4)外延生长发:
可以大规模制备,但是需要高温条件,难以控制石墨烯的附生形态和吸附能量;
20.同15,略;
21.石墨烯的表面修饰有哪些方法?
(1)等离子体对石墨烯的表面修饰:
第一类作用,等离子体与样品接触时,高能离子流轰击薄膜的表面,由于撞击位置和冲击方向的不确定性,薄膜表面本身的平整性和有序性受到
破坏。
如果能量较低,薄膜受到等离子体冲击后会发生平整性下降;
如果等离子体束流能量较高或持续时间较长,薄膜表面的原子可能会逃逸出表面,也就是发生溅射。
这些过程都是等离子体与薄膜表面原子之间动量交换的纯物理过程,并不涉及化学反应;
第二类作用,等离子体与薄膜表面接触时,其中的活性粒子或基团与薄膜表面发生化学反应,相互成键。
成键的结果主要有两种:
一是等离子体中的活性粒子或基团嵌入薄膜表面并成为其一部分,这样会改变薄膜表面的性质,也就是实现了化学修饰。
另一种可能的结果是等离子体与薄膜表面反应后生成挥发性物质逃逸。
因此,这一过程是化学过程;
(2)光化学修饰方法:
利用光化学过程产生的活性自由基实现了石墨烯的高效共价加成和氧化反应,为石墨烯的光化学能带工程奠定了理论和实验基础;
22.石墨烯有哪些物理、化学、力学、热学特性?
为何有这些性质?
(1)力学性质:
石墨烯中各碳原子之间的连接非常柔韧,当施加外部机械力时,碳原子面就弯曲变形,从而使碳原子不必重新排列来适应外力,也就保持了结构的稳定;
石墨烯是世界上最牢固的材料;
(2)热学性质:
石墨烯是一种稳定材料,在发现之前,大多数物理学家认为,热力学涨落不允许二维晶体在有限温度下自由存在。
所以它的发现立即震撼了整个凝聚态物理界;
(3)电学性质:
稳定的晶格结构使碳原子具有优秀的导电性,石墨烯中电子是没有质量的,而且是以恒定的速率移动,这个行为已被科学家解释为电子在石墨烯里有效质量为零,这和光子的行为极为相似;
(4)化学性质:
石墨烯具有超疏水性和超亲油性。
在一定条件下,石墨烯可以和氢、氧
及氟,氯,溴反应,分别生成石墨烷、石墨炔、氧化石墨烯、氟化石墨烯、氯化石墨烯,溴化石墨烯,还可以生成上述的部分化合物;
23.石墨烯基材料如氧化石墨烯、还原氧化石墨烯、氟化石墨烯的结构和特性?
(1)氧化石墨烯:
氧化石墨烯薄片是石墨粉末经化学氧化及剥离后的产物,氧化石墨烯是单一的原子层,可以随时在横向尺寸上扩展到数十微米;
氧化石墨烯可视为一种非传统型态的软性材料,具有聚合物、胶体、薄膜,以及两性分子的特性;
(2)氟化石墨烯:
把每一个氟原子放在每一个单独的碳原子上,就可以得到纯净的氟化石墨烯;
氟化石墨烯目前的主要作用就是作隧道障碍或作为高质量的绝缘体或者屏蔽材料;
24.通过哪些方法可以调节石墨烯的能带结构,为什么?
(1)我们可以通过掺杂的方式改变石墨烯的能带结构,从掺杂的目标看,石墨烯掺杂可以分为三种情况:
n型掺杂,p型掺杂,以及单层或双层石墨烯的p/n共掺杂;
(2)如果掺杂剂的电子最高占据轨道高于石墨烯的费米能级,那么电荷由掺杂剂转移到石墨烯,此时掺杂剂是施主,形成n型掺杂;
如果掺杂剂的电子最低未占据轨道低于石墨烯的费
米能级,那么电荷由石墨烯转移到掺杂剂,此时掺杂剂是受主,形成p型掺杂.另一种是晶格掺杂,一般是在石墨烯生长过程中引入掺杂原子,掺杂原子替换掉石墨烯平面六角晶格中的碳原子,并与邻近碳原子成键.一般掺杂原子的价电子少于碳原子会产生p型掺杂,而价电子多于碳原子的会产生n型掺杂;
25.生长薄膜的物理、化学方法有哪些?
(1)物理方法:
真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀、等离子喷涂、等离子喷射、切削等;
(2)化学方法:
热分解法、气相反应法、吸附反应、聚合反应、光聚合反应、放电聚合、蒸镀聚合;
26.什么是贵金属化学气相沉积(MOCVD)?
说明原理
(1)MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的原材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半
导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
(2)MOCVD方法是利用运载气携带金属有机
物的蒸汽进入反应室,受热分解后沉积到加热的衬底上形成薄膜,它是制备铁电薄膜的一种湿法工艺;
27.什么是分子束外延?
并说明这种方法生长薄膜的原理?
(1)在超高真空条件下,由装有各种所需要组分的炉子加热而产生的蒸汽,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层“长”在基片上形成薄膜;
28.什么是化学气相沉积(CVD)?
并说明这种方法生长薄膜的原理?
(1)一定化学配比的反应气体,在特定的激活条件下(一般是利用加热、等离子体和紫外线等各种能源激活气态物质)通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法;
29.ZnO、GaN的结构和基本性质有哪些?
为何ZnO、GaN具有良好的光学、电学特性?
(1)ZnO晶体具有四种晶体结构,闪锌矿结构、NaCl结构、CsCl结构和纤锌矿结构,ZnO晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。
ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变;
ZnO是H—w族化合物,具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、原料易得、成本低抗辐射能力强和良好的机电锅台性能等优点,因而被广泛应用于太阳能电池、表i声波器件(SAW)、液晶显示、气敏传感器、压敏器件等;
(2)在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
它在一个元胞中有4个原子,原子体
积大约为GaAs的一半;
它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景;
30.ZnO、GaN薄膜材料的优点和缺点?
(1)ZnO,GaN薄膜具有优良的压电性能ZnO,GaN薄膜光电导随表面吸附的气体种类和浓度不同会发生很大变化;
(2)ZnO,GaN具有优异的透明导电性能,可与rro(In籼:
sn)膜相比;
(3)ZnO,GaN因其非线性系数高,电涌吸收能力强,在电子电路等系统中被广泛用来稳定电流,抑制电涌及消除电火花;
31.Zno、GaN薄膜的具体应用?
(1)压电器件:
是一种用于体声波尤其是表面声波的理想材料;
(2)太阳能电池:
ZnO,GaN主要是作为透明电极和窗口材料用于太阳能电池;
(3)ZnO,GaN受高能粒子辐射损伤较小.因此特别适合于太空中使用;
(4)气敏元件点:
ZnO,GaN薄膜可用来制作表面型气敏器件,通过掺人不同元素,可检测不同的气体,其敏感度用该气氛下电导G与空气中电导c0的比值G来表示;
(5)压敏器件:
压敏器件在电子电路等系统中被广泛用来稳定电流,抑制电涌及消除电火花。
但通常烧结成瓷、划片所作的压敏电阻,因工艺限制,很难做到很低的压敏低压。
而采用zn0薄膜便可做到较低的压敏低压;
32.什么是P型半导体和N型半导体?
ZnO,GaN薄膜材料是哪一种半导体?
如何实现ZnO,GaN薄膜材料在P型半导体和N型半导体之间的转换?
请详述。
(1)P型半导体也称为空穴型半导体。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体;
(2)N型半导体也称为电子型半导体。
N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体;
(3)通常情况下ZnO是P型半导体,GaN是N型半导体;
(4)两者之间的转换可以通过离子注入掺杂技术实现,具体为:
P型半导体可以通过中子辐照嬗变掺杂转化为N型半导体;
N型半导体经过重新熔炼+掺杂转化为P型半导体;
33.什么是压电效应,铁电效应,光电效应,热电效应,请详述
(1)压电效应-对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移,产生极化,从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷,在一定应力范围内,机械力与电荷呈线性可逆关系,这种现象称为压电效应或正压电效应;
(2)铁电效应-所谓铁电材料,是指材料的晶体结构在不加外电场时就具有自发极化现象,其自发极化的方向能够被外加电场反转或重新定向。
铁电材料的这种特性被称为“铁电现象”或“铁电效应”;
(3)光电效应-在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生
电;
(4)热电效应-所谓的热电效应,是当受热物体中的电子(空穴),因随着温度梯度由高温区往低温区移动时,所产生电流或电荷堆积的一种现象;
34.扫描电镜的优点?
电子束与固体样品作用时产生的信号有哪些?
请讲述
(1)优点-1.能够直接观察样品表面的结构,样品的尺寸可大至120mm×
80mm×
50mm2.样品制备过程简单,不用切成薄片3.样品可以在样品室中作三度空间的平移和旋转,因此,可以从各种角度对样品进行观察4.景深大,图象富有立体感。
扫描电镜的景深较光学显微镜大几百倍,比透射电镜大几十倍5.图象的放大范围广,分辨率也比较高。
可放大十几倍到几十万倍,它基本上包括了从放大镜、光学显微镜直到透射电镜的放大范围。
分辨率介于光学显微镜与透射电镜之间,可达3nm6.电子束对样品的损伤与污染程度较小7.在观察形貌的同时,还可利用从样品发出的其他信号作微区成分分析。
(2)信号-二次电子、背散射电子、X射线、吸收电子、俄歇(Auger)电子等;
35.扫描电镜的工作原理?
扫描电镜的构造,请详述。
(1)结构:
镜筒、镜筒包括电子枪、聚光镜、物镜及扫描系统;
(2)原理:
工作原理-电子信号的收集与处理系统在样品室中,扫描电子束与样品发生相互作用后产生多种信号,其中包括二次电子、背散射电子、X射线、吸收电子、俄歇(Auger)电子等。
在上述信号中,最主要的是二次电子,它是被入射电子所激发出来的样品原子中的外层电子,产生于样品表面以下几nm至几十nm的区域,其产生率主要取决于样品的形貌和成分。
通常所说的扫描电镜像指的就是二次电子像,它是研究样品表面形貌的最有用的电子信号。
检测二次电子的检测器(图15
(2)的探头是一个闪烁体,当电子打到闪烁体上时,1就在其中产生光,这种光被光导管传送到光电倍增管,光信号即被转变成电流信号再经前置放大及视频放大,电
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