集成电路芯片封装技术.ppt
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集成电路芯片封装技术为什么要学习封装工艺流程熟悉封装工流程是封装技的前提,是艺认识术进行封装、制造和化的基。
设计优础芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成可能在同一工不同的生、或不同的地,甚它们厂产区区至在不同的家。
多工生好的芯片送到几千公里以国许厂将产外的地方去做封装。
芯片一般在做成集成路的硅片上行电进。
在中,先有缺陷的芯片打上(打一黑色测试测试将记号个墨点),然后在自拾片机上分辨出合格的芯片。
动第二章封装工艺流程封装工流程艺概况流程一般可以分成部分:
在用塑料封装之前的工序两个称为前段工序,在成型之后的操作称为后段工序。
成型工序是在化境中行的,由于移成型操作中机械水净环进转压机和成型品中的粉到预尘达1000以上(空中级气0.3m粉尘达1000个/m3以上)。
在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物,即所现谓的塑料封装。
第二章封装工艺流程概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上焊锡切筋成型芯片封装技术(一级)2.2芯片切割、什要薄为么减半体集成路用硅片导电4吋厚度为520m,6吋厚度为670m。
就芯片的切分困。
因此路这样对带来难电层制作完成后,需要硅片背面行薄,使其到所需要的对进减达厚度,然后再行片加工,形成一薄的裸芯片。
进划个个减第二章封装工艺流程减薄工艺硅片背面技主要有:
减术磨削、磨、化抛光研学干式抛光、化腐、法腐电学蚀湿蚀等离子增强化腐、常等离子腐等学蚀压蚀第二章封装工艺流程减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜(常称为蓝膜)上,送到划片机进行划片。
现在划片机都是自动的,机器上配备激光或金钢石的划片刀具。
切割分部分划片(不划到底,留有残留厚度)和完全分割划片。
对于部分划片,用顶针顶力使芯片完全分离。
划片时,边缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。
这样会严重影响芯片的碎裂强度。
减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜(常称为蓝膜)上,送到划片机进行划片。
现在划片机都是自动的,机器上配备激光或金钢石的划片刀具。
切割分部分划片(不划到底,留有残留厚度)和完全分割划片。
对于部分划片,用顶针顶力使芯片完全分离。
划片时,边缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。
这样会严重影响芯片的碎裂强度。
减薄工艺先片后薄和薄片方法划减减划两种第二章封装工艺流程DBG(dicingbeforegrinding)在背面磨削之前,将硅片的正面切割出一定深度的切口,然后再进行磨削。
DBT(dicingbythinning)在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出一定深度的切口,然后用磨削方法减薄到一定厚度后,采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工量。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害,大大增强了芯片的抗碎能力。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害,大大增强了芯片的抗碎能力。
芯片切割DBG法(先划片后减薄)第二章封装工艺流程芯片贴装(diemount/bonding/attachment)目的:
实现芯片与底座(chipcarrier)的连接.要求:
机械强度化学性能稳定导电、导热热匹配可操作性第二章封装工艺流程2.3芯片装贴芯片装,也芯片粘,是芯片固定于封装基板或贴称贴将引脚架芯片的承座上的工程。
载艺过第二章封装工艺流程共晶粘贴法焊接粘贴法导电胶粘贴法玻璃胶粘贴法贴装方式贴装方式共晶粘法贴一般工艺方法陶瓷基板芯片座上金膜镀-芯片放置在芯片座上将-热氮氛中(防化)加使粘表面生摩擦(去除粘气氧热并贴产贴表面化)氧层-约425出金时现-硅反液面,液面移应动,硅逐散至金中而形成密合。
时渐扩紧结第二章封装工艺流程点:
金优-硅共晶接机械强度高、阻小、焊热稳定性好、可靠性高,高性能好,不脆化。
温缺点:
生效率低,不适高速自化生。
产应动产共晶粘法贴预型片法,此方法适用于大面的芯片粘。
点是较积贴优可以降低芯片粘孔隙平整度不佳而造成的粘不完全贴时贴的影。
响第二章封装工艺流程焊接粘贴法接粘法是利用合金反行芯片粘的方法。
点是焊贴应进贴优性好。
热传导一般工艺方法芯片背面淀一定厚度的将积Au或Ni,同在上淀时焊盘积Au-Pd-Ag和Cu的金。
然后利用合金料芯片接属层焊将焊在上。
接工在或能防止化的氛中行焊盘焊艺应热氮气氧气进。
第二章封装工艺流程所用材料硬料:
金质焊-硅、金-、金;锡锗(塑力高,抗疲抗潜特性好)变应劳变料:
软质焊铅-、锡铅-锡-铟.粘法导电胶贴是粉高分子聚合物(脂)的混合物。
导电胶银与环氧树粉起作用,而脂起粘接作用。
银导电环氧树第二章封装工艺流程导电胶有三种配方:
(1)各向同性材料,能沿所有方向。
导电
(2)硅橡,能起到使器件境隔,防导电胶与环绝止水、汽芯片的影,同可以蔽磁干对响时还屏电扰。
(3)各向性聚合物,流只能在一方向异导电电个流。
在倒装芯片封装中用多。
无力影。
动应较应响导电胶有三种配方:
(1)各向同性材料,能沿所有方向。
导电
(2)硅橡,能起到使器件境隔,防导电胶与环绝止水、汽芯片的影,同可以蔽磁干对响时还屏电扰。
(3)各向性聚合物,流只能在一方向异导电电个流。
在倒装芯片封装中用多。
无力影。
动应较应响三种导电胶的特点是:
化学接合、具有导电功能三种导电胶的特点是:
化学接合、具有导电功能。
装工导电胶贴艺第二章封装工艺流程膏状导电胶:
膏状导电胶:
用针筒或注射器将粘贴剂涂布到芯片焊盘上(不能太靠近芯片表面,否则会引起银迁移现象),然后用自动拾片机(机械手)将芯片精确地放置到焊盘的粘贴剂上,在一定温度下固化处理(1501小时或186半小时)。
膏状导电胶:
膏状导电胶:
用针筒或注射器将粘贴剂涂布到芯片焊盘上(不能太靠近芯片表面,否则会引起银迁移现象),然后用自动拾片机(机械手)将芯片精确地放置到焊盘的粘贴剂上,在一定温度下固化处理(1501小时或186半小时)。
固体薄膜:
固体薄膜:
将其切割成合适的大小放置于芯片与基座之间,然后再进行热压接合。
采用固体薄膜导电胶能自动化大规模生产。
固体薄膜:
固体薄膜:
将其切割成合适的大小放置于芯片与基座之间,然后再进行热压接合。
采用固体薄膜导电胶能自动化大规模生产。
导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好,高温下导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好,高温下会引起粘接可靠度下降,因此不适合于高可靠度封装。
会引起粘接可靠度下降,因此不适合于高可靠度封装。
玻璃粘法胶贴似,玻璃也于厚膜体材料(后与导电胶类胶属导面我介)。
不起粘接作用的是低玻璃粉们将绍过温。
是起作用的金粉(它导电属Ag、Ag-Pd、Au、Cu等)低玻璃粉和有机溶混合,与温剂制成膏。
状点:
所得芯片封装无空隙、定性良、低合力以优热稳优结应及含量低;湿气缺点:
有机成分溶必除去,否危害可靠性。
与剂须则第二章封装工艺流程在芯片粘贴时,用盖印、丝网印刷、点胶等方法将胶涂布于基板的芯片座中,再将芯片置放在玻璃胶之上,将基板加温到玻璃熔融温度以上即可完成粘贴。
由于完成粘贴的温度要比导电胶高得多,所以它只适用于陶瓷封装中。
在降温时要控制降温速度,否则会造成应力破坏,影响可靠度。
在芯片粘贴时,用盖印、丝网印刷、点胶等方法将胶涂布于基板的芯片座中,再将芯片置放在玻璃胶之上,将基板加温到玻璃熔融温度以上即可完成粘贴。
由于完成粘贴的温度要比导电胶高得多,所以它只适用于陶瓷封装中。
在降温时要控制降温速度,否则会造成应力破坏,影响可靠度。
2.4芯片互连芯片互是芯片子封装外的连将焊区与电壳I/O引或线基板上的金相接。
属焊区连芯片互连常见的方法:
第二章封装工艺流程打线键合(打线键合(WBwirebonding)倒装芯片键合倒装芯片键合(FCBflipchipbonding,C4)载带自动键合(载带自动键合(TABtapeautomatebonding)这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合打线键合适用引脚数为3-257;载带自动键合的适用引脚数为12-600;倒装芯片键合适用的引脚数为6-16000。
可见C4适合于高密度组装。
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合打线键合适用引脚数为3-257;载带自动键合的适用引脚数为12-600;倒装芯片键合适用的引脚数为6-16000。
可见C4适合于高密度组装。
打合技线键术第二章封装工艺流程打线键合技术打线键合技术超声波键合(超声波键合(UltrasonicBonding,U/Sbonding)热压键合(热压键合(ThermocompressionBondingT/Cbonding)热超声波键合(热超声波键合(ThermosonicBonding,T/Sbonding)提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物,使焊区金属产生塑性变形,使得引线与被焊面紧密接触,达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。
引线键合键合接点形状主要有楔形和球形,两键合接点形状可以相同或不同。
WB技术作用机理球形键合第一键合点第二键合点楔形键合第一键合点第二键合点打合技介线键术绍
(1)超波合声键第二章封装工艺流程优点优点:
键合点尺寸小,回绕高度低,适合于键合点间距小、密度高的芯片连接。
缺点:
缺点:
所有的连线必须沿回绕方向排列(这不可能),因此在连线过程中要不断改变芯片与封装基板的位置再进行第2根引线的键合。
从而限制了打线速度。
打合技介线键术绍
(2)合热压键第二章封装工艺流程(3)超波合热声键热超声波键合是合超波合的混合技。
在工热压键与声键术程中,先在金末端成球,再使用超波脉冲行金艺过属线声进金接之的接合。
属线与属垫间此程中接合工具不被加,接合的基板加过热仅给热(度温持在维100-150)。
其目的是抑制合界面的金化合物键属间(似于化,金原子的价子形成)的成,和降类学键属电键长低基板高分子材料因高生形。
温产变第二章封装工艺流程UBM一般有三层,分别为铬/铬-铜(50%-50%)/铜。
载带自动键合的适用引脚数为12-600;环氧树脂光固化倒装焊法直状凸点制作是使用厚膜抗腐蚀剂做掩膜,掩膜的厚度与要求的凸点高度一致,所以始终电流密度均匀,凸点的平面是平整的。
压焊头可加热,并带有超声,同时承片台也对基板加热,在加热、加压、超声到设定的时间后就完成所有凸点与基板焊区的焊接。
若继续加热,则聚合物只能变软而不可能熔化、流动。
上焊锡可用二种方法,电镀和浸锡。
与导电胶类似,玻璃胶也属于厚膜导体材料(后面我们将介绍)。
清洗-在电镀槽中进行电镀-冲洗-吹干-烘干(在烘箱中)2)TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小第二章封装工艺流程将已贴装芯片并完成引线键合的框架带置于模具中;第二章封装工艺流程第二章封装工艺流程(塑变应力高,抗疲劳抗潜变特性好)第二章封装工艺流程楔形键合第一键合点第二键合点常用的材料是Ti、Cr、和Al,这几种金属的与铝和氧化硅的粘着性很好。
第二章封装工艺流程去飞边-去油-去氧化物-浸助焊剂-热浸锡(熔融焊锡,Sn/Pb=63/67)-清洗-烘干用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块,有时也会将研磨料与高压水流一起使用。
7)TAB键合点抗键合拉力比WB高(3-10倍)直状凸点制作是使用厚膜抗腐蚀剂做掩膜,掩膜的厚度与要求的凸点高度一致,所以始终电流密度均匀,凸点的平面是平整的。
第二章封装工艺流程第二章封装工艺流程工艺流程:
蘑菇状凸点一般用光刻胶做掩膜制作,电镀时,光刻胶另外根据焊接特殊需要还有充氮回流焊。
将聚酰亚胺进行光刻,然后窗口和齿孔用KOH或NaOH腐蚀出来,再用FeCl3铜标腐蚀液将铜带上所需图形腐蚀出来。
TAB内引线焊接技术,焊接程序不同键合方法采用的键合材料也有所不同:
热压键合和金丝球键合主要选用金(Au)丝,超声键合则主要采用铝(Al)丝和Si-Al丝(Al-Mg-Si、Al-Cu等)键合金丝是指纯度约为99.99,线径为l850m的高纯金合金丝,为了增加机械强度,金丝中往往加入铍(Be)或铜。
WB线材及其可靠度打线键合技术(WB)影响因素:
1.金铝金属间化合物(AuAl2或Au5Al2)是主因;2.线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞;3.其他,键合点金属化工艺与封装材料之间的反应,亦可生成金属间化合物。
自合技载带动键术第二章封装工艺流程载带自动健合技术是在类似于135胶片的柔性载带粘结金属薄片,(像电影胶片一样卷在一带卷上,载带宽度8-70mm。
在其特定的位置上开出一个窗口。
窗口为蚀刻出一定的印刷线路图形的金属箔片。
引线排从窗口伸出,并与载带相连,载带边上有供传输带用的齿轮孔。
当载带卷转动时,载带依靠齿孔往前运动,使带上的窗口精确对准带下的芯片。
再利用热压模将导线排精确键合到芯片上。
可见TAB技术与一般的压丝引线技术不同。
后者的特点是将一根、一根的引线先后分立的快速的键合到搭接片上。
TAB技术中内引线键合后还要作后道工序,包括电学测试、通电老化,外引线键合、切下,最后进行封装工艺。
载带自动健合技术是在类似于135胶片的柔性载带粘结金属薄片,(像电影胶片一样卷在一带卷上,载带宽度8-70mm。
在其特定的位置上开出一个窗口。
窗口为蚀刻出一定的印刷线路图形的金属箔片。
引线排从窗口伸出,并与载带相连,载带边上有供传输带用的齿轮孔。
当载带卷转动时,载带依靠齿孔往前运动,使带上的窗口精确对准带下的芯片。
再利用热压模将导线排精确键合到芯片上。
可见TAB技术与一般的压丝引线技术不同。
后者的特点是将一根、一根的引线先后分立的快速的键合到搭接片上。
TAB技术中内引线键合后还要作后道工序,包括电学测试、通电老化,外引线键合、切下,最后进行封装工艺。
去,过TAB技不受重的原因:
术视
(1)TAB技初始大;术
(2)始开时TAB工不易到,而的引工艺设备买传统线艺已得到充分的展,且其生也容易到;发产设备买(3)有关TAB技料和信息少。
但是着芯片信息容术资随量及之而的引脚的增加,的分立引工得随来数传统线艺显力不心。
降低引成本的需要,从为线TAB技越越受术来到人的,促使多半体家究。
们青睐许导厂积极开发研第二章封装工艺流程TAB技术较之常用的引线工艺的优点:
1)TAB结构轻、薄、短、小,封装高度1mm2)TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小3)TAB容纳I/O引脚数更多,安装密度高4)TAB引线电阻、电容、电感小,有更好的电性能5)可对裸芯片进行筛选和测试6)采用Cu箔引线,导电导热好,机械强度高7)TAB键合点抗键合拉力比WB高(3-10倍)8)TAB采用标准化卷轴长带,对芯片实行多点一次焊接,自动化程度高第二章封装工艺流程TAB技术分类TAB按其结构和形状可分为:
Cu箔单层带、Cu-PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu双金属带等四种。
自合技载带动键术TAB技术的关键材料基带材料:
要求耐高,金箔粘性好,匹配性好温与属贴热,抗化腐性强,机械强度高,吸水率低。
例如,聚学蚀酰亚(胺PI)、聚乙本二甲酸脂(烯对PET)和丁苯并环烯(BCB)TAB金属材料:
要求性能好,强度高,延展性、表面导电平滑性良好,各基粘牢固,不易离,易于用光刻与种带贴剥法制作出精的形,易细复杂图电镀Au、Ni、Pb/Sn接材焊料,例如,Al、Cu。
芯片凸点金属材料:
一般包括金属Au、Cu、Au/Sn、Pd/Sn。
第二章封装工艺流程自合技载带动键术TAB的关键技术芯片凸点制作技术TAB制作技载带术引芯片凸点的引接和外引载带线与内线焊载带接技线焊术第二章封装工艺流程自合技载带动键术TAB的关键技术-芯片凸点制作技术第二章封装工艺流程IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层,厚度高于电路的键合点,因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合,通常TAB载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。
凸块式载带TAB;单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸块,在双层与三层载带上,因为蚀刻的工艺容易致导带变形,而使未来键合发生对位错误,因此双层与三层载带较少应用于凸块载带TAB的键合。
凸块式芯片TAB,先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合点上,再与载带的内引脚键合。
预先长成的凸块除了提供引脚所需要的金属化条件外,可避免引脚与IC芯片间可能发生短路,但制作长有凸块的芯片是TAB工艺最大的困难。
自合技载带动键术芯片凸点制作技术凸点因形不同可分状为两种第二章封装工艺流程金凸块制作的传统工艺金凸块制作的传统工艺:
第一步第一步,对芯片进行清洁处理第二步第二步,通过真空溅散的方法,在芯片键合的上表面形成粘着层和阻挡层。
粘着层提供IC芯片上的铝键合点与凸块间良好的键合力与低的接触电阻特性。
常用的材料是Ti、Cr、和Al,这几种金属的与铝和氧化硅的粘着性很好。
扩散阻挡层的作用是阻止芯片上的铝与凸块材料之间的扩散反应而形成金属间化合物。
金属层做好后、接着涂25微米后的光刻胶,然后用电镀的方法制作金属凸块。
凸块制作完成后在其顶面电镀一层25微米的金(凸块金属不是金的情况),目的是起抗氧化作用。
金凸块制作的传统工艺:
第一步第一步,对芯片进行清洁处理第二步第二步,通过真空溅散的方法,在芯片键合的上表面形成粘着层和阻挡层。
粘着层提供IC芯片上的铝键合点与凸块间良好的键合力与低的接触电阻特性。
常用的材料是Ti、Cr、和Al,这几种金属的与铝和氧化硅的粘着性很好。
扩散阻挡层的作用是阻止芯片上的铝与凸块材料之间的扩散反应而形成金属间化合物。
金属层做好后、接着涂25微米后的光刻胶,然后用电镀的方法制作金属凸块。
凸块制作完成后在其顶面电镀一层25微米的金(凸块金属不是金的情况),目的是起抗氧化作用。
第二章封装工艺流程第二章封装工艺流程金凸块制作的传统工艺金凸块制作的传统工艺金凸块制作的传统工艺金凸块制作的传统工艺凸块转移技术一般的凸块制作工艺流程,可以看出,它的制作工艺复杂,技术难度大,成本高。
因此改进凸块制作技术成为一项研究的热门课题。
Matsushita公司开发了凸块转移技术。
这种技术分2次键合:
第1次是将在玻璃基板上做成的凸块,转移到载带内引脚前端与芯片键合点相对应的位置。
第2次键合。
在引脚前端有凸点的载带由专门的制造商提供,这样就避免了在芯片焊区制作凸点的麻烦,降低了生产成本。
第二章封装工艺流程第二章封装工艺流程凸块转移技术凸块转移技术凸块转移技术凸块转移技术自合技载带动键术第二章封装工艺流程
(1)单层结构载带这仅为一铜带,其上腐蚀出引线图案以及支撑结构。
方法是将光刻胶涂在铜带的两侧。
将要刻蚀掉的部分曝光,腐蚀后留下引线图案。
带上可事先制备出凸点,这种情况下可选用不带凸点的芯片。
再将载带上的引线排与芯片的I/O键合点键合。
单层结构的缺点是全部引线与金属支撑架相连接,妨碍了带上器件的测试检验和通电老化。
(1)单层结构载带这仅为一铜带,其上腐蚀出引线图案以及支撑结构。
方法是将光刻胶涂在铜带的两侧。
将要刻蚀掉的部分曝光,腐蚀后留下引线图案。
带上可事先制备出凸点,这种情况下可选用不带凸点的芯片。
再将载带上的引线排与芯片的I/O键合点键合。
单层结构的缺点是全部引线与金属支撑架相连接,妨碍了带上器件的测试检验和通电老化。
自合技载带动键术第二章封装工艺流程
(2)双层结构载带双层结构载带可用两种方法制作。
用液体聚酰亚胺涂敷铜带(1.4mil厚,1mil=25.4um),然后再干燥处理。
聚酰亚胺的厚度为2-3mil。
将聚酰亚胺进行光刻,然后窗口和齿孔用KOH或NaOH腐蚀出来,再用FeCl3铜标腐蚀液将铜带上所需图形腐蚀出来。
(2)双层结构载带双层结构载带可用两种方法制作。
用液体聚酰亚胺涂敷铜带(1.4mil厚,1mil=25.4um),然后再干燥处理。
聚酰亚胺的厚度为2-3mil。
将聚酰亚胺进行光刻,然后窗口和齿孔用KOH或NaOH腐蚀出来,再用FeCl3铜标腐蚀液将铜带上所需图形腐蚀出来。
自合技载带动键术第二章封装工艺流程(3)三层结构载带所用载带厚度为5mil,比双层带厚,因而更稳定。
它的制作方法是:
用粘接剂涂敷12或24英寸的Kapton带,再将带条分裂成TAB产品所需要的合适宽度。
窗口和齿孔用硬工具冲制而成。
然后将铜带与Kapton带进行叠合处理,使铜带压合在齿孔机的Kapton。
最后光刻铜带,形成引线排。
三层结构的优点是胶带和铜之间有很高的结合强度,且绝缘性能好,吸湿性低。
(3)三层结构载带所用载带厚度为5mil,比双层带厚,因而更稳定。
它的制作方法是:
用粘接剂涂敷12或24英寸的Kapton带,再将带条分裂成TAB产品所需要的合适宽度。
窗口和齿孔用硬工具冲制而成。
然后将铜带与Kapton带进行叠合处理,使铜带压合在齿孔机的Kapton。
最后光刻铜带,形成引线排。
三层结构的优点是胶带和铜之间有很高的结合强度,且绝缘性能好,吸湿性低。
载带制作工艺实例Cu箔单层带1)冲制标准定位传送孔2)Cu箔清洗3)Cu箔涂光刻胶(双面)4)刻蚀形成Cu线图样5)导电图样Cu镀锡退火引芯片凸点的引接和外引载带线与内线焊载带线焊接技术芯片上的凸点和制作完成后,接下要行引载带来进的接,又分引接和外引接。
引线焊这内线焊线焊内接是引芯片接,外引接是引线焊线与焊线焊将线焊接到外或基板。
壳焊区第二章封装工艺流程TAB引接技内线焊术引形指端芯片接到一起的方法主要将载带线图与焊有合再流。
芯片凸点是热压焊焊当Au、Au/Ni、Cu/Au,而载带Cu箔引也是线镀凸点金,使用;而这类属时热压焊载带Cu箔引线镀层为Pb/Sn,或者芯片凸点具有时Pb/Sn,而载带Cu箔引是上述硬金就要用再流。
线属时热压焊完全使用接度高,再流的度低热压焊焊温热压焊温。
接方法都是使用自或半就自化的引这两种焊动动线接机行多点一次接的。
焊进焊主要工操作是艺对位、焊接、抬起、芯片送传4部分。
第二章封装工艺流程自合技载带动键术引接内线焊第二章封装工艺流程TAB内引线焊接技术内引线焊接技术,焊接程序焊接程序TAB内引线焊接技术内引线焊接技术,焊接程序焊接程序接工件:
焊艺条接度焊温T=450-500;焊接压力P=50g;接焊时间t=0.5-1秒。
此外,的平行度、平整度要好,接的焊头焊时倾斜度要合适,否影接效果。
凸点的高度和引则会响焊载带线形的厚度的一致性也影接量。
图会响焊质完成引脚合性能后,芯片引脚面或整内键与电测试与内个IC芯片必再涂上一高分子材料保引脚、凸芯片须层胶护块与,以避免外界的力、震、水汽等因素造成破坏。
压动封的材料胶一般脂为环氧树(Epoxy)和硅橡胶(Silicone)。
脂环氧树用盖印或点的方法涂布,可覆盖整芯片或涂布完成胶个仅内引脚合的芯片表面。
在烘硬化注意加件,避免键烤时应温条泡和力的生。
气预应产第二章封装工艺流程自合技载带动键术外引接技线焊术第二章封装工艺流程经过老化、筛选、测试的载带芯片可以用于各种集成电路。
对于微电子封装的引线框架或在生产线上连接安装载带芯片的电子产品,可使用外引线压焊机将卷绕的载带芯片连接进行外引线焊接,焊接时要及时应用切断装置,将每个焊点外沿处将引线和聚酰亚胺(PI)支撑框架以外的部分切断并焊接。
parameterwirebondTABResistance0.38m0.31mInductance10nH6.7nHCapacitance0.21pF0.11pF倒装芯片合技键术倒装焊(FCB,FlipChipBonding)芯片,芯片正面朝下。
借助于凸点基板直接接与焊区焊。
就省略了互,由互生的散这样连线连线产杂电容和感要比电WB和
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