封装术语解析转自《PCB术语手册》V10.docx
- 文档编号:17618026
- 上传时间:2023-07-27
- 格式:DOCX
- 页数:15
- 大小:28.28KB
封装术语解析转自《PCB术语手册》V10.docx
《封装术语解析转自《PCB术语手册》V10.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《封装术语解析转自《PCB术语手册》V10.docx(15页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。
封装术语解析转自《PCB术语手册》V10
封装术语解析(转自《PCB术语手册》V1.0)
1、BGA(ballgridarray)
s-at4|
F'OY[1]Z球形触点陈列,表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。
而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。
现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。
BGA的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
R"I8W8b/C'Q8K/\_^:
~芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA}"wK^6h[1]C_t芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)&n/X4o"{2j9ZG:
[
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。
半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]E].e
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
R-A$A_LV_r_RJ_zx芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
$Ciy_s_ZVV芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,4、C-(ceramic)q(A\
表示陶瓷封装的记号。
例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
_Ib
X"s)R@I_b8y(`
5、Cerdip*r#@_Qf_BK,_
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。
引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。
在japon,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
_L_c8N5{Mr2Q6、Cerquad-V(m5az8F.N#y
表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。
带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。
散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。
但封装成本比塑料QFP高3~5倍。
引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。
引脚数从32到368。
@~
z
x+e_Lx半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld],X4q
s#}0MD)\W芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
_z.|ExS5R_C芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
3i_Q t'K!
k]%D[1]^p芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA8、COB(chiponboard)0d_Ib#GgP$m
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
9、DFP(dualflatpackage)
*gC;Q[1]~9b.\;X双侧引脚扁平封装。
是SOP的别称(见SOP)。
以前曾有此称法,现在已基本上不用。
半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]2Z.geY)vJ*?
'E
T/X2nk_F_IH)G芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
Z^$t(F
b_wf陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装_a&[U+J2a+M8Q[1]s11、DIL(dualin-line).}%`
DIP的别称(见DIP)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
芯片,设计,版图,晶圆制造,
12、DIP(dualin-linepackage)_U9t#_4Vm_F0IY
双列直插式封装。
插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。
引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。
另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
芯片,设计,版图,晶圆制造,工
r_S@ Yp'g_13、DSO(dualsmallout-lint)芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测
双侧引脚小外形封装。
SOP的别称(见SOP)。
部分半导体厂家采用此名称。
芯14、DICP(dualtapecarrierpackage)半导
双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。
另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。
在japon,按照EIAJ(japon电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
zn/b_T-r7{[1]rXb(u芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA
stKoED+j_s15、DIP(dualtapecarrierpackage);t*g8x$KK6H_L;H
同上。
japon电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
:
n4^l\_X16、FP(flatpackage)O_X[1]Xu#EWu
扁平封装。
表面贴装型封装之一。
QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。
部分半导体厂家采用此名称。
3BO_g7q,b_]0[0I Q
S
4s/M_G-IX17、flip-chip芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测6bU:
~n0Bm
倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
'J^KccR18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
V.Bhl
o_H,v芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
W_k&QM8yBD_.U
_i芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA_-yS_o8g"c0u_G
^19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
Z[1]D_z&E
H&c5F美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
/B^O&I}_x+I|zb[20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,
带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。
在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。
这种封装在美国Motorola公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。
M_I_v;m,`_J3t_~-sP
Z_Jy5u/g21、H-(withheatsink)
pm-i(F6X#P*zzwT?
表示带散热器的标记。
例如,HSOP表示带散热器的SOP。
2E#VvvZm,X~%nYBi{A3i.W
r22、pingridarray(surfacemounttype)
F!
s4G+v&y芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA表面贴装型PGA。
通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。
表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
芯片,设计,版图,
23、JLCC(J-leadedchipcarrier)_[3k
J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。
部分半导体厂家采用的名称。
芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,
(A_D
R_I4_24、LCC(Leadlesschipcarrier)
;F,}6m6W4|S5q"\"m"A芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
芯
E9{d_P3L*p_F[7K)T25、LGA(landgridarray)2h_v_yae*s
Q@_t
触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。
LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。
但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
/u_S
q(]7J%R_Zb芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA26、LOC(leadonchip)],^P q1z/P*t
芯片上引线封装。
LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]4`_Q_R.B)R[1]n27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)半导体技术天地[Semiconductor
薄型QFP。
指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是japon电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,
g&VA5Yl{i28、L-QUAD[1]O#t@Na P_f
S
陶瓷QFP之一。
封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。
是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。
现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
Nn7J P
$R
gW_D
l_Y
P2K半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]29、MCM(multi-chipmodule)
3u%k z/L,j2[|多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。
MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高,成本较低。
MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM-L。
MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
-}`7K_q_])r$?
H30、MFP(miniflatpackage)
p
ey#[_Bx小形扁平封装。
塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。
部分半导体厂家采用的名称。
3FL
yb_]#O7{芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA31、MQFP(metricquadflatpackage)c9h9C)h6SX_]S
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。
指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm的标准QFP(见QFP)。
#~1BY9g8QF_32、MQUAD(metalquad)
*lUL{I美国Olin公司开发的一种QFP封装。
基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。
在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。
japon新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。
?
_@ A.t7l__^
#Y[+}_G_?
0D
l1?
i&F芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA33、MSP(minisquarepackage)_N/SFXw7C&m_E
QFI的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。
QFI是japon电子机械工业会规定的名称。
#U9{{
C)D.Ph_Ouw
N芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)半导体技术天地[Semiconductor
模压树脂密封凸点陈列载体。
美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。
9^$FA
t5N
m
Y(S
35、P-(plastic)芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测
表示塑料封装的记号。
如PDIP表示塑料DIP。
芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,
_v)DHv2]8JKW芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA36、PAC(padarraycarrier)
z5qsU(]_O"h_Y
YU8m芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA凸点陈列载体,BGA的别称(见BGA)。
半导体技术天地[Semiconductor
37、PCLP(printedcircuitboardleadlesspackage)
*Z_YB"YD
lH5b_]半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]印刷电路板无引线封装。
japon富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。
引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。
目前正处于开发阶段。
_b3d'H.ba_s0E
C-38、PFPF(plasticflatpackage)_WX+c(y%L_Lm_a
塑料扁平封装。
塑料QFP的别称(见QFP)。
部分LSI厂家采用的名称。
{_r/Ls2u%r1?
39、PGA(pingridarray)(V1c2i7~V;C
陈列引脚封装。
插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。
封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。
在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模逻辑LSI电路。
成本较高。
引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64到447左右。
了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。
也有64~256引脚的塑料PGA。
另外,还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。
(见表面贴装型PGA)。
#f%PF+j$Ec9P\
[_pc芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA%rmc
A_&F)aV芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA40、piggyback4n_cN#C&s_f__,s
驮载封装。
指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN相似。
在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。
例如,将EPROM插入插座进行调试。
这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。
4L4iGy?
)ei芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QA41、PLCC(plasticleadedchipcarrier)
X],I&d.Y/h
V带引线的塑料芯片载体。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品。
美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用,现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。
引脚中心距1.27mm,引脚数从18到84。
J形引脚不易变形,比QFP容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。
PLCC与LCC(也称QFN)相似。
以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。
但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P-LCC等),已经无法分辨。
为此,japon电子机械工业会于1988年决定,把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ和QFN)。
v/Mg)@L5H^_L
42、P-LCC(plasticteadlesschipcarrier)(plasticleadedchipcurrier)uv
有时候是塑料QFJ的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。
部分LSI厂家用PLCC表示带引线封装,用P-LCC表示无引线封装,以示区别。
芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测
Zs%^"x:
}43、QFH(quadflathighpackage)芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测四侧引脚厚体扁平封装。
塑料QFP的一种,为了防止封装本体断裂,QFP本体制作得较厚(见QFP)。
部分半导体厂家采用的名称。
www.2ic
44、QFI(quadflatI-leadedpackgac)
_K/m5_
^a
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- PCB术语手册 封装 术语 解析 PCB 手册 V10