电子电路基础知识培训.ppt
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电子元器件基础知识培训,弱电必备银泰商业工程物业部制作:
张志永演讲:
张志永,技术是木桶的底,其它因素都是木桶的帮,没有桶底,桶帮再高也没用。
市场经济最终有两个主宰:
一是市场,二是技术;虽然技术本身不是市场,但技术可以垄断市场,没有技术,最终没有市场。
本章主讲电子元器件的基本知识,一、常用电子元器件介绍;
(一)、电阻器件与电容器件;
(二)、电感器件与变压器;(三)、晶体管(半导体)二极管、三极管;二、晶振;三、其它电子器件;四、贴片元器件介绍;五、IC芯片;(集成电路)的介绍;,
(一).电阻(器)用字母R表示图形如下,1电阻的分类:
安结构分为:
固定电阻、可变电阻、排式电阻、贴片电阻;安材料分为:
碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、热敏电阻等安功率分为:
1/16W、1/8W、1/4W,1/2W、1W、2W、3W等作用:
分流、限流、分压、偏置、降压保护及阻抗匹配等;,2电阻器的单位及换算,1M(兆欧)=1000k(千欧)=1000000(欧)3.电阻器阻值大小的表示法、色环表示法:
四色环表示法,五色环表示法,、,最接近边缘的一道色环为第一道色环,末尾间距最大的一道色环表示误差,数字表示法,(多为贴片器件或印在PCB板上)注:
如、R22:
表示电路中的第22个电阻器;,4电阻器色环代码表,5.四色环电阻器的色环识别,第一道、第二道色环的数值为真实有效值,第三道色环的数值为乘以10的倍数,第四道色环为误差色环;橙3,橙3,黑0,金5%;33100=335%,6.五色环电阻器的色环识别,阻值为:
黄4,黄4,黑0,银0.01,棕1%;44010-2=4.41%,7.数字表示电阻器阻值的读取,200,205,334,5R1,103,10k20%,35%,4k7,53,阻值:
10k误差:
20%,阻值:
0.3误差:
5%,阻值:
4.7k误差:
20%,阻值:
5.3误差:
10%,20000002M,330000330k,5.1,20,第一位、第二位数为有效数字,末位数字表示“0“的个数,8、电阻器的产品型号代码意义,R:
电阻W:
电位器M:
敏感电阻,T:
碳膜H:
合成碳膜S:
有机实芯N:
无机实芯J:
金属膜Y:
氧化膜C:
沉积膜I:
玻璃釉膜X:
线绕P:
硼碳膜U:
硅碳膜G:
光敏,0:
1:
普通2:
普通3:
超高频4:
高阻5:
高温6:
7:
精密8:
高压9:
特殊G:
高功率W:
微调T:
可调D:
多圈可调X:
小型Z:
正温度系数,序列号为一个数字或无数字表示,如:
RJ72:
表示为精密金属膜电阻;如:
WHT2:
表示为可调合成碳膜电位器。
、用指针万用表测量电阻的阻值:
首先选择测量档位,将倍率档旋钮置于适当的档位;一般100以下的可选R1档,1001K的可选R10档,1K10K的可选R100档,10K100K的可选R1K档,100K以上的可选R10K档;,9、指针、数字万用表欧姆档选档,:
数字万用表选档,首先将万用表的档位旋钮调到档的适当档位;一般200以下的可选200档,2002K可选2K档,2K20K可选20K档,20K200K可选200K档,200K2M选择2M档,2M20M选择20M档,20M以上的选择200M档;,注:
不同型号的万用表,档位标注与范围有所不通。
10、使用万用表对电阻的检测,、测量档位选定后,对万用表电阻挡进行校0,方法是:
将红、黑两表笔短接,观察指针是否归0位,如不归0位,调整调零旋钮至指针指向0位;、然后将万用表的两表笔(不分正负)分别和电阻的两端相接,表针应指向相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或与电阻上的标示值相差很大,说明该电阻已损坏。
:
注意:
测量时,特别是在测几十k以上阻值的电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部分;被检测的电阻需从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其他元件对测量产生影响,造成测量误差。
:
色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测量一下其实际阻值。
11、测量电阻时的注意事项,注:
更换电阻时同等阻值情况下,大功率的可以代替小功率的。
严禁带电测量,12、电位器(可调电阻器),电位器:
是指其阻值在一定范围内可连续调节的电器;按形式分为线绕式电位器、合成碳膜电位器、有机实芯电位器、直滑式电位器、多圈电位器、带开关电位器。
多用于手动电压调节、亮度调节、音量调节等调节电路。
13、热敏电阻器,NTC:
负温度系数热敏电阻;随温度升高、阻值减小;电压缓冲,限制开机电流的作用;串联于L线上。
PTC:
正温度系数热敏电阻;随温度升高、阻值增大;(也叫防雷管)作用相当于保险管;并联于L、N线之间。
14.压敏电阻器,(也叫突波吸收器)在直流电路中,常选用压敏电压为直流电压额定值1.82倍的压敏电阻。
在交流电路中,应选用压敏电压为额定电压2.22.5倍的压敏电阻。
压敏电压标称含义:
如10471表示10K470V,应用:
1kA(8/20s电流波)的压敏电阻可用在可控硅整流器的保护上;3kA的用在电器设备的浪涌吸收上;5kA的用在对雷击及电子设备的过电压吸收上;10kA的用在对雷击的保护上。
注:
压敏电阻的失效模式主要是短路,当通过的过电流太大时,也可能造成阀片被炸裂而开路。
(二)、电容(电容器),1.电容的单位及作用;1F(法拉)=1000000uF(微法)=1000000000nF(纳法)=1000000000000pF(皮法)特性:
通交流阻直流,作用:
稳压、滤波、功率补偿,调谐、耦合、旁路、延时、能量转换,提高设备出力。
2.电容器用字母C表示,图形如下,3电容器的分类从结构分为:
固定电容和可调电容;从构造分为:
有极性电容:
电解电容、等;无极性电容:
云母电容、纸质电容、瓷片电容、条纶电容等,注:
电容的标称有容量和耐压之分。
4电容分类介绍,根据介质的不同,分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容;陶瓷电容:
以高介电常数,低损耗的陶瓷材料为介质,体积小,自体电感小。
云母电容:
以云母片作介质的电容器,性能优良,高稳定,高精密。
纸质电容:
纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成,结缘介质是浸蜡的纸,相叠后卷成圆柱体,外包防潮物质,有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性,价格低,容量大。
薄膜电容:
用聚苯乙烯,聚四氟乙烯或条纶等有机薄膜代替纸介质,做成的各种电容器,体积小,但损耗大,不稳定。
电解电容:
以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器,容量大,稳定性差。
(使用时应注意极性),5、电容器的分类型号介绍,C电容器,C:
1类陶瓷介质Y:
云母介质I:
玻璃釉介质O:
玻璃膜介质Z:
纸介质J:
金属化纸介质B:
非极性有机薄膜L:
极性有机薄膜介质Q:
漆膜介质T:
2类陶瓷介质S:
3类陶瓷介质H:
复合介质D:
铝电解A:
钽电解N:
铌电解G:
合金电解E:
其他材料电解,1:
圆形(非密封/金属箔)2:
管形(圆柱/金属化)3:
片(密封/金属箔)4:
多层(独石/金属化)5:
穿心6:
支柱式(交流)7:
片式(标准/无极性)8:
高压9:
特殊,第四部分为:
序号;表示对主称、材料相同,仅尺寸、性能指标略有不同(不影响互换使用,给予同一序号;若不能互换使用的则在序号后面用大写字母作为区别代号),6电容器容量的标示,一种是用数字直接标示出来;一种是用色点作代码间接表示出来(其原理和色环电阻识别一样),注:
电容的耐压值表示此电容只能在其标称的电压范围内使用,如超过使用电压范围否则会损坏炸裂或失效。
7.聚脂膜(涤纶)电容标称方法,常用型号如2A222J、2J222J、2A102J、2A104J、2A473J等。
前面是额定电压:
2A表示50V;2J表示630V后面表示容量:
223表示22000PF;222表示2200PFJ表示一等品;K表示二等品;,注:
数字标注法前两位为有效数字,第三位标示“0”的个数。
8.电容的方向性:
在PCB板上标注有极性的电容要分清方向,无极性电容不用分。
、电容本体上有特殊颜色条(如灰色)的一侧为负极.、通过引脚判断:
长正短负.注:
插入电路板上时正负极方向相反,则会出现电容爆裂现象(电容鼓起或开裂)、对于电解电容的正、负极标志不清楚的,必须先判别出它的正、负极。
对换万用表笔测两次,以漏电大(电阻值小)的一次为准,黑表笔所接一脚为负极,另一脚为正极。
注:
在容值相同的情况下,耐压值大的可以代替小的,电容体积的大小无影响。
9、用指针式万用表对电容器的检测,、脱离线路检测采用万用表挡,在检测前,先将电解电容的两根引脚相碰,以便放掉电容内残余的电荷.当两表笔刚接通电容两极时,表针向右偏转一个角度,然后表针缓慢地向左回转,最后表针停下。
表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻,此阻值愈大愈好,最好应接近无穷大处。
如果漏电电阻只有几十千欧,说明这一电解电容漏电严重。
表针向右摆动的角度越大(表针还应该向左回摆),说明这一电解电容的电容量也越大,反之说明容量越小。
注:
在板子上焊拆、测量电容器时(特别是大容量耐压高的)都应先放掉残余电荷,以免电击或影响测量结果。
焊拆前先放电,反正测量法,10、电容器指针万用表检测说明,11、电容器容量的测量及选档,、电容器容量的测量,使用的是“F”档,表笔接口用“Cx”,不分正负极性;常用单位“uF”微法,“nF”纳法;换算关系为:
1uF=1000nF=1000000pF注:
不同型号的万用表,标示、范围及用法各有不同,但其功能原理、作用是相同的。
、测量电容容量的选档为:
一般2nF以下的选用2nF档;2nF20nF的选用20nF档;20nF200nF的选用200nF档;200nF2uF的选用2uF档;2uF20uF的选用20uF档;20uF200uF的选用200uF档。
(二)、电感器(电感线圈)与变压器,电感器是依据电磁感应原理,由导线绕制而成。
是一种储能元件,能将电能转换成磁能并储存起来;具有通直流阻交流、通低频阻高频的特性,作用:
滤波、陷波、耦合、延迟、补偿及电子偏转聚焦电路,谐振电路的振荡元件等。
1、定义:
凡能产生电感作用的器件称为电感器。
在导线或线圈中流过电流时,其周围就会产生磁场,线圈中电流发生变化时线圈周围的磁场也发生变化,变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势,这就是自感作用,,2、常用电感符号(如图),3、电感的分类及单位,、在电路图中用符号L表示,主要参数是电感量又叫自感系数,是表示线圈产生自感能力的物理量,其大小与线圈的直径、线圈匝数、绕制方法、有无磁芯及磁芯材质等有关;单位是亨利,用H表示,常用的有毫亨(mH)、微亨(uH)、毫微亨(nH),换算关系为:
1H=1000mH=1000000uH=1000000000nH数值读取法与电阻识别方法相同;依据电磁感应原理,电感器派生出很多种器件。
、电感的分类;固定电感、可变电感;绕线电感:
单层、多层、蜂房电感;空心电感、磁芯电感、铁芯电感;磁环电感,色环电感;扼流圈;,4、电感的组成及工作原理,、电感线圈的绕制方法和常用磁芯线圈基本组成:
骨架、绕组、磁芯、屏蔽。
绕制方法:
电感器是用漆包线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的一种能够存储磁场能的电子元件。
单层绕组:
间绕和密绕。
用于高频谐振电路的线圈都采用间绕法,以减小线圈的固有电容;用于中短波的谐振线圈多采用单层密绕法。
单层绕电感量较小,约几uH-几十uH,常用在高频电路中。
多层绕组:
平绕、乱绕、蜂房式绕等当电感量大于300uH时采用多层绕。
平绕层与层之间、匝与匝之间分布电容大,蜂房绕法可减小分布电容。
5、电感器的好坏检测,电感的质量检测包括外观和阻值测量,首先检查电感器的外观是否完好,磁性体有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标识完整,接线有无断裂和拆伤等;再用万用表对电感作初步检测,测线圈电阻,并与原已知的正常阻值进行对比;如测得值比正常值显著增大,或指针不动,可能是电感器本体断路,若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路,需用专用仪器进行检测。
4、电感器和变压器,电感器通常分为两大类:
一类是应用自感作用的电感线圈。
另一类是应用互感作用的变压器。
变压器也是一种电感器。
它是将两组及以上的线圈绕在同一个线圈骨架上,或绕在同一铁心上制成的。
是利用两个电感线圈的互感应现象来传递交流电信号和电能的。
在电路中可以起到电压变换和阻抗变换的作用,是电子产品中十分常见的无源器件。
5、变压器的组成和分类,变压器一般由线圈、铁(磁)心和骨架等组成,变压器接电源的线圈称初级,其余均为次级。
当初级加上交流电电压时,在铁心中产生交变磁场,由于铁心的耦合作用,在次级中产生感应电压。
变压器可以根据其工作频率、用途及铁心形状等进行分类。
变压器按其用途可分为:
电源变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器、恒压变压器、耦合变压器、自耦变压器、隔离变压器等多种。
6、常见变压器的介绍,、电源变压器:
有交流变压器、交直变压器;交流变压器是把高压交流电变成需要的低压交流电的设备;输入为交流高压电,输出为低压交流电。
交直变压器是把交流电变成所需要的直流电压的设备。
输入为交流高压电,输出为低压直流电。
、音频变压器:
是工作于音频范围的变压器。
音频功率放大器中的输入变压器和输出变压器都属于音频变压器,有线广播中的线路变压器也属于音频变压器,主要参数是阻抗比和功率。
多用于广播、音频功率放大等系统。
、中频变压器的特点中频变压器的结构特点是磁芯可以调节,以便微调电感量。
磁芯杆带有螺纹,可上下旋转移动。
当磁芯向下移动时电感量增大,向上移动时电感量减小。
中频变压器的主要参数是谐振频率(配以指定电容器)、通频带和电压传输系数。
多用于无线电类,如超外差式收音机、电视机等。
7、常见变压器的介绍,(三)、晶体管(二极管),1.晶体二极管;,2二极管的分类;,按功能分为:
整流二极管、开关二极管、稳压二极管、发光二极管、双向二极管、光敏二极管、变容二极管等;按材质分为:
硅管(Si)、锗管(Ge);按结面积分为:
点接触型、面接触型;,4、二极管标注符号图形,二极管在PCB板上用字母D、LED、ZD表示,图形如下表示:
5.二极管的标称方法:
用字母和数字直接表示出来,每一个型号代表不同的用途。
如D3,ZD5,注:
安装、检测二极管时要分清极性(方向)。
5、二极管特性及用途,单向导电特性二极管的正极电位高于负极电位,二极管导通;正极电位低于负极电位,二极管截止;即二极管正偏导通,反偏截止。
注:
二极管正偏电阻小,具有非线性;反偏电阻大,存在电击穿现象。
正,负,、整流二极管:
利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管;、稳压二极管:
利用反向击穿特性进行稳压的二极管;、发光二极管:
利用磷化镓把电能转变成光能的二极管;、光敏二极管:
将光信号转变为电信号的二极管;、变容二极管:
利用反向偏压改变PN结电容量的二极管。
6、二极管的型号代码,“2”表示二极管,“A”:
为N型锗材料,“B”:
为P型锗材料,“C”:
为N型硅材料,“D”:
为P型硅材料,“P”普通管“V”微波管“W”稳压管“Z”整流管“L”整流堆“U”光敏管“K”开关管“C”变容管,2CZ62整流二极管,2CW60稳压二极管,7、二极管极性识别,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管(指示灯)的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负;或者迎光看本体内部的分布情况来区分,原则是少正多负。
注:
“P”、“N”为两种不同的半导体材料,这两种半导体材料在一起做成的导电极称之为PN结。
P,N,正极阳极,负极阴极,P,N,P型区PN结N型区,8、晶体管的点接触型与面接触型,引线正极,引线负极,锗片,底座,触丝,引线正极,引线负极,塑料外壳,晶片,触丝,锗管,硅管,触丝热压在半导体薄片上,PN结:
半导体与触丝的接触面触丝与半导体的金属面很小,难以通过较大电流结电容小,可在较高频率下工作用于检波、变频、开关电路等及小电流的整流电路中,引线正极,引线负极,合金电极,锗片,焊锡,底座,锗管,硅管,N型硅片,金锑合金层,引线正极,引线负极,铝合金小球,支架,扩散、多用合金及外延等掺杂质工艺PN结接触面大,可通过较大电流结电容相对较大,只能在较低频率下工作用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管,点接触型面接触型,9、晶体二极管的判定方法,利用数字万用表的“”档进行测量,注意表笔的正负方向,测量时显示值为正向导通阻值。
或利用万用表的“”档测量不鸣叫报警即为良品。
用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
10、常用整流二极管,常用的IN4000系列二极管耐压比较如下:
电流(A)均为1快速恢复整流二极管:
不能用普通整流二极管替换使用电流(A)均为1其中常用的FR107的trr=0.5uS(max).,11、稳压二极管,常用IN系列型号如下:
故障特点:
稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。
在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
HZ系列常用型号:
稳压(齐纳)二极管HZ11C3、HZ12C1、HZ6B1、HZ5C2、HZ4A3、HZ20-2等,12、其它二极管介绍,肖特基管:
(SBD),是以其发明人肖特基博士命名的,SBD是肖特基势垒二极管的缩写。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作,而是利用金属(金、银、铝、铂等)与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此,SBD也称为金属半导体(接触)二极管或表面势垒二极管。
是功耗低、电流大、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
阳极金属,N-外延层,N型基片,N+阴极层,阴极金属,SiO2,N,欧姆接触电极,金属触针,晶片,支架,SiO2,Al,正极,N型Si,负极,欧姆接触电极,SiO2,硅片,13、桥堆(桥式整流),桥式整流是使用最多的一种整流电路;用四支二极管围成一个圈就可连接成“桥”式结构,具有全波整流的优点,且优于全波整流。
R,晶体管(三极管),1晶体三极管的实物外形及分类:
从功率上分有:
小功率管、中功率管、大功率管从频率上分有:
低频管、高频管、超高频管、从结构上分有:
NPN型和PNP型,硅三极管和锗三极管,三极管的发明,电子时代的革命,1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士。
他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。
惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。
这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。
因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。
这位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
晶体管的发展带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。
由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
2、晶体三极管用字母Q表示,图形如下,NPN型,PNP型,集电极,发射极,基极,发射极,集电极,基极,3、三极管的结构,有三块半导体材料构成、NPN型结构;,N,P,N,集电极与基极之间的PN结为集电极,发射极与基极之间的PN结为发射极,N型材料和P型材料交界处形成一个PN结为基极,、PNP型结构;,P,N,P,集电极与基极之间的PN结为集电极,发射极与基极之间的PN结为发射极,N型材料和P型材料交界处形成一个PN结为基极,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区发射的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区发射的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
PNP,NPN,4、晶体三极管的结构和类型,发射极,基极,集电极,发射极,基极,集电极,5三极管的方向性,在电路板上安装插件时要注意方向:
E、B、C极。
此三个极一般不能从外观鉴别,只能用仪表测量出来。
或参见对应的晶体管式样书。
利用万用表的hFE档,将NPN型PNP型三极管插入对应的孔内,测试值约200300时对应的即是.,6、简单判断三极管良品的方法:
利用数字万用表的“”档进行测量,注意表笔的正负方向:
看e、b两端箭头的方向,箭头的起始端接表笔正极,箭头末端接表笔负极。
测量时“b”极表笔不动,另一表笔依次对应e、c极测量,显示值为导通电阻值,利用万用表的“”档测量:
表笔正极对其他引脚测量均不鸣叫报警即为良品。
有时三极管会处于“软导通”状态(工作时不良),静态时无法测量,只能更换确认。
7.常用晶体三极管,、场效应晶体管:
(FET)简称;是利用电场效应原理控制半导体中电流工作的半导体器件,是一种电压控制型半导体器件;与普通双极型晶体管(电流控制)相比,场效应管具有输入阻抗高、功率增益大、动态范围大、功耗小,温度稳定性好、噪音低、信号失真小、无二次击穿现象、安全工作区域宽、易于集成等特点,得到广泛应用。
按其结构分为:
结型场效应管(JFET)和绝缘栅型(MOS)。
结型场效应管因有两个PN结而得名;绝缘栅型因栅极与其它电极完全绝缘而得名;而在这两大类场效应管中,按沟道材料的不同有N沟道场效应管和P沟道场效应管,G,S,D,G,S,D,N沟道,P沟道,栅极,源极,漏极,8、场效应晶体管,9、其它常用三极管介绍,又称复合管。
它将二只三极管适当的连接在一起,以组成一只等效的新的三极管。
这等于效三极管的放大倍数是二者之积。
在电子学电路设计中,达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
达林顿电路有四种接法:
NPN+NPN,PNP+PNP,NPN+PNP,PNP+NPN;,达林顿管:
前二种是同极性接法,后二种是异极性接法,等效三极管极性。
达林顿管的典型应用:
1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
2、驱动小型继电器。
3、驱动LED智能显示屏。
10、晶闸管(可控硅),全称为闸流晶体管;也是一种半导体器件,它除了单向导电的整流作用外,还可作为可控开关使用。
普通晶闸管(SCR)是由两只P型半导体和两只N型半导体交替叠合成PNPN结构。
有门极关断晶闸管(GTO)、光控晶闸管(LAT)等。
其三个电极分别为阳极A、阴极K和门极G。
特点为:
在一定电压条件下,只要有一个触发的脉冲信号就可导通,触发脉冲信号消失,晶闸管仍能维持导通状态,可以用微小的功率控制大的功率,常用于驱动控制电路,以及电源中作过载保护器件等。
K,A,G,P,N,P,N,A,G,K,符号,结构,A,K,G,等效电路,11、双向晶闸管(双向可控硅),缩写(TRIAC);是由NPNPN五层半导体材料构成的,相当于两只普通晶闸管反相并联。
它也有三个电极分别为主电极T1、主电极T2和门极G。
T1,T2,G,T1,G,T2,G,N,N,N,N,N,P,P,G,T2,T1,符号,等效电路,结构,二、晶振(振荡器),晶振:
晶振是晶体振荡器的简称,能产生具有一定幅度和频率波形的振荡器,(其实是一个频率产生器,主要把传进去的电压转化为频率信号)一般概念中把晶振等同于谐振器理解;后者就是通常所指的钟振。
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