低频电子线路真题精选.docx
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低频电子线路真题精选.docx
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低频电子线路真题精选[填空题]1电路如例图(a)所示。
当开关S分别在“1”和“2”时,问哪一个位置的Ic较大,哪一个位置的集电极与发射极之间的耐压较高,为什么?
参考答案:
参考解析:
[填空题]
2电路如图所示。
的ID和Vo的值
参考答案:
利用硅二极管恒压降模型求电路
参考答案:
[填空题]4两只全同的稳压管组成的电路如图所示,假设它们的参数V2和正向特性的
Vth、rD为已知。
试绘出它的传输特性。
参考答案:
[填空题]5已知电路参数如图所示,FET工作点上的互导gm=1ms,设rd〉〉Rd。
求电压增益Av
参考答案:
[填空题]6电路参数如图所示。
设FET的参数为gm=
0.8ms,rd=200kΩ;3AG29(T2)的β=40,rbe=1kΩ。
试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。
参考答案:
[填空题]7测得某放大电路中BJT的三个电极
A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB=一6V,Vc=6.2V,试分析
A、B、C中哪个是基极
b、发射极
e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
参考答案:
[填空题]
8测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。
(a)VC=6VVB=2VVE=
5.4V
VB=
0.7VVE=
1.3V
(d)VC=6V
VE=0V(c)VC=6V
VB=4V
(b)VC=6VVB=6VVE=
3.6V
(e)VC=
3.6V
VB=4V
VE=
3.4V
参考答案:
(a)放大区,因发射结正偏,集电结反偏。
(b)放大区,VBE=(2—l.3)V=0.7V,VCB=(6-2)V=4V,发射结正偏,集电结反偏。
(C)饱和区。
(d)截止区。
(e)饱和区。
[填空题]9如图画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:
电阻
Rb、RC的值
参考答案:
[填空题]10如图画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:
要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?
参考答案:
基极正弦电流的最大幅值是20μA。
[填空题]11单管放大电路如图所示已知BJT的电流放大系数β=50。
估算Q点
参考答案:
[填空题]12单管放大电路如图所示已知BJT的电流放大系数β=50。
参考答案:
估算BJT的朝人电阻rbe[填空题]13如图所示的偏置电路中,热敏电阻Rt具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用?
参考答案:
图a所示电路能稳定Q点,过程如下:
图b所示电路不能稳定Q点,因为[填空题]14电路如图所示,设β=100
参考答案:
[填空题]15电路如图所示,设β=100
试求电压增益RO1和RO2
试求输出电阻
参考答案:
[填空题]16一高频BJT,在Ic=
1.5mA时,测出其低频H参数为:
rbe=
1.1KΩ,βo=50,特征频率fT=100MHz,Cb′c=3pF,试求混合∏型参数
gm、rb′
e、rbb′、Cb′e。
参考答案:
[填空题]17电路如图所示(射极偏置电路),设在它的输人端接一内阻Rs=5KΩ的信号源.电路参数为:
Rb1=33KΩ,Rb2=22KΩ。
Re=
3.9KΩ,Rc=
4.7KΩ,RL=
5.1KΩ,Ce=50μF(与Re并联的电容器).Vcc=5V.IE≈
0.33mA,β0=120,rce=300KΩ,rb′b=50Ω,fT=700MHZ及Cb′c=1pF。
参考答案:
上限频率fH[填空题]18设某集成运放的开环频率响应的表达式为
其中fH1=1MHz,fH2=10MHz,fH3=50MHz。
若利用该运放组成一电阻性负反馈放大电路,并要求有45°的相位相度,问此放大电路的最大环路增益为多少?
参考答案:
[填空题]19如图所示为一个一阶低通滤波器电路,试推导电路的传递函数,并求出其-3dB截止角频率ωH。
(A为理想运放)
参考答案:
[填空题]20双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图所示。
求解下列问题。
若vi1=1500μV。
vi2=500μV,求差模输人电压vid,共模输入电压vic的值
参考答案:
[填空题]21双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图所示。
求解下列问题。
入电压为vid时,若从C2点输出,求vc2与vid的相位关系
参考答案:
vc2与vid同相更多内容请访问《睦霖题库》微信公众号
[填空题]22电路如图所示,JFET的gm=2mS,rDS=20kΩ,求:
当输
时的差模电压增益AVD=(vo1-vo2)/vid的值
参考答案:
双端输出[填空题]23电路如图所示,已知BJT的β1=β2=β3=50,rce=200kΩ,VBE=
0.7V,试求单端输出时的差模电压增益AVD2、共模抑制比
KCMR、差模输人电阻Rid和输出电阻Ro。
参考答案:
[填空题]24路如图所示,设所有BJT的β=20,rbe=
2.5KΩ,rce=200KΩ,FET的gm=4mS,其它参数如图所示。
求:
Rid和Ro
参考答案:
[填空题]25某反馈放大电路的方框图如图所示。
试推导其闭环增益
的表达式。
参考答案:
[填空题]26在同相输人加法电路如图所示,求输出电压vo;当R1=R2=R3=Rf时,vo
=?
参考答案:
[填空题]27图为一增益线性调节运放电路,试推导该电路的电压增益的表达式。
参考答案:
[填空题]28在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?
它们中哪一类放大电路效率最高?
参考答案:
在输入正弦信号情况下,通过三极管的电流ic不出现截止状态(即导通角θ=2π)的称为甲类;在正弦信号一个周期中,三极管只有半个周期导通(θ=π)的称为乙类;导通时间大于半周而小于全周(π<θ<2π)的称为甲乙类。
其中工作于乙类的放大电路效率最高,在双电源的互补对称电路中,理想情况下最高效率可达78.5%。
[填空题]29功率放大电路如图所示,已知,VCC=20V,-VCC=20V,负载电阻RL=8Ω。
设晶体管T1,T2的特性相同,死区电压Vces可忽略。
求:
R=0时,电路的最大输出功率PCM及此时的PV,η及每管的功耗PT
参考答案:
[填空题]30功率放大电路如图所示,已知,VCC=20V,-VCC=20V,负载电阻RL=8Ω。
设晶体管T1,T2的特性相同,死区电压Vces可忽略。
求:
R=
0.5Ω,电路的最大输出功率PCM及此时的PV,η,PT
参考答案:
[填空题]31变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示,副边电源电压为v2av2b=√2V2sinωt假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。
iD1、iL、Lv及一极管承受的反向电压vRo的波形;
参考答案:
试画出v2a、v2b、iD1、[填空题]32变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示,副边电源电压为v2a-v2b=√2V2sinωt假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。
均电流
ID、最大反向电压VRM
参考答案:
计算整流二极管的平
[填空题]33电路如图所示,稳压管Dz的稳定电压Vz=6V,VI=18V,C=1000pF,R=RL
=1KΩ电路中稳压管接反或限流电阻R短路,会出现什么现象?
参考答案:
稳压管接反使VO降低到约为
0.7V;而限流电阻R短路,IR电流过大,使IZ电流超过允许值会使稳压管烧坏。
[填空题]34电路如图所示,稳压管Dz的稳定电压Vz=6V,VI=18V,C=1000pF,R=RL
=1KΩ若电容器C断开,试画
vI、vO及电阻R两端电压vR的波形。
参考答案:
[填空题]35在300K下,一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3,受主原子数等于3×1014cm-3。
(1)试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。
由此判断它是N型还是P型锗?
它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现?
=Nd=1015cm-3,重做上述内容。
述内容。
参考答案:
(2)若Na
(3)若Nd=1016cm-3,Na=1014cm-3,重做上[填空题]36在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为
0.5mA时应加多大的电压。
设二极管的指数模型为iD=IS(eυD/mVT-1),其中m=1,VT=26mV。
参考答案:
[填空题]37由理想二极管组成的电路如图所示,试求图中标注的电压V和电流I的大
小。
参考答案:
[填空题]38如图所示电路中稳压管的稳压值为6V,稳定电流为10mA,额定功率为
200mW,试问
当电源电压在18V~30V范围内变
化时,输出Vo是多少?
稳压管是否安全?
参考答案:
[填空题]39如图所示电路中稳压管的稳压值为6V,稳定电流为10mA,额定功率为200mW,试问压的大小应满足什么条件?
参考答案:
要使稳压管起稳压作用,电源电
[填空题]
40已知电路如图所示,试判断下列两种情况下电路中三极管的状态:
(1)
VCC=15VVCC=18V
Rb=390kΩRb=310kΩ
Rc=
3.1kΩRc=
4.7kΩ
β=100
(2)β=100
参考答案:
[填空题]41已知半导体三极管静态工作点电流ICQ=2mA,β=80,|VA|=100V,rbb′=0,试画出器件的混合π型等效电路,并求其参数rb′
e、gm和rce值。
参考答案:
[填空题]42画出如图放大电路的直流通路和交流通路以及ν
B、iB、iE、νE的波形图(设νs=Vsmsinωt,Vsm<<VBE,放大器处于线性状态工作,而且在工作频率下耦合电容Cb和Ce足够大,它们所呈现的阻抗很小,可视为短路)。
参考答案:
[填空题]43设计一个如图所示的分压式偏置电路。
已知β=50,VCC=12V它的静态工作点ICQ=1mA,VCEQ=
4.5V,VBEQ=
0.7V。
试选择Rb1、Rb2、Rc和Re。
参考答案:
[填空题]44如图所示电路,属于何种组态?
若输入信号波形为正弦波,试定性画出ν
BE、iE、iC、νCB及νo的波形,并说明νo与νi的相位关系。
参考答案:
[填空题]45由N沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如图,设静态值VGS=-
0.2V,gm=
1.2mA/V,试求:
电
压放大倍数Aυ,输入电阻Ri和输出电阻Ro。
参考答案:
[填空题]46在如图所示共发-共基组合差分放大器电路中,VB为共基管T3、T4提供偏置。
设超β管T1、T2的β1=β2=5000,T3、T4的β3=β4=200,设T3、T4管的|VA|→∞。
试求差模输入电阻Rid,双端输出时的差模电压增益Aυd。
参考答案:
[填空题]47如图所示为有源负载差分放大器,已知各管参数相同,VBE=
0.7V,β=100,|VA|=100V,试画出差模交流通路和等效电路,并求差模输入电阻
Rid、差模输出电阻
Rod、差模电压增益Aυd=υod/υid。
参考答案:
[填空题]48在图中,已知VCC=15V,R4=R5=
0.5Ω,RL=8Ω,三极管的饱和压降均为
2V,在输入电压足够大时,求:
负载电阻RL上的电流的最大值IL。
max
参考答案:
[填空题]49在如图所示电路中,已知二极管的导通电压VD(on)=
0.7V,三极管导通时的VBE=
0.7V,T2和T3管发射极静态电位VEQ=0。
试问:
各为多少?
参考答案:
T1、T3和T5管基极的静态电位
[填空题]50在如图所示电路中,已知二极管的导通电压VD(on)=
0.7V,三极管导通时的VBE=
0.7V,T2和T3管发射极静态电位VEQ=0。
试问:
若静态时IB1>IB3,则应调节哪个参数可使IB1=IB3?
如何调节?
参考答案:
若静态时iB1>iB3,则可以向电阻增大方向调节电阻R3使iB1=iB3。
[填空题]51在如图所示电路中,已知二极管的导通电压VD(on)=
0.7V,三极管导通时的VBE=
0.7V,T2和T3管发射极静态电位VEQ=0。
试问:
电路中二极管的个数可以是
1、2、3、4吗?
你认为哪个最合适?
为什么?
参考答案:
在电路中采用题图的方式就很好,即用两支二极管和一个小电阻相串联,因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。
如果采用三支二极管相串联也可以,因为晶体管T1与T3之间刚好有三个PN结。
[填空题]52在如图所示电路中,已知二极管的导通电压VD(on)=
0.7V,三极管导通时的VBE=
0.7V,T2和T3管发射极静态电位VEQ=0。
试问:
设R2=10kΩ,R3=100Ω。
若T1和T3管基极的静态电流可忽略不计,则T5管集电极静态电流约为多少?
静态时υi为多少?
参考答案:
[填空题]53在图中,已知VCC=15V,R4=R5=
0.5Ω,RL=8Ω,三极管的饱和压降均为2V,在输入电压足够大时,求:
的输出功率Pomax和效率η
参考答案:
最大
[填空题]54在图中,已知VCC=15V,R4=R5=
0.5Ω,RL=8Ω,三极管的饱和压降均为2V,在输入电压足够大时,求:
不失真输出电压的有效值Vom
参考答案:
最大
[填空题]55比例式电流源电路如图所示,已知各三极管特性一致,VBE=
0.7V,β=100,|VA|=120V,试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。
参考答案:
[填空题]56在如图所示的差分放大器中,已知υi1=
5.01V,υi2=
4.98V,β=100,VBE=
0.7V,试求T1和T2管的集电极静态电流ICQ,共模输入电压υic和差模输入
电压υid。
参考答案:
[填空题]57由N沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如图,设静态值VGS=-
0.2V,gm=
1.2mA/V,试求:
静
态值ID和VDS
参考答案:
[填空题]58已知如图所示放大电路中三极管的参数为β=40,rbb′=300Ω,试估算它的工作点及电压增益,如果放大器输出端外接4kΩ的负载,问这时放大器的电压增益下降到多少?
参考答案:
[填空题]59试用估算法确定如图所示放大电路的Q点。
已知三极管的β=50。
参考答案:
[填空题]60在如图所示的电路中,已知管子的β=100V,VBE(on)=-
0.7V,ICQ=-
2.17mA,rce不计,信号源νs=
0.1sinωt(V),Rs=10kΩ,设rbb′=0,试求三极管各极电压和电流值
iB、ν
BE、iC、νCE。
参考答案:
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