常用电子元器件的认识Word文档格式.docx
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数字
1
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8
9
-1
-2
四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍
数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.
例1:
有一电阻器,色环颜顺序为:
棕,黑,橙,银,则阻值为:
10X10±
10%(Ω)
6.误差代码
Tolerance
±
1%
±
2%
2.5%
3%
5%
10%
20%
Symbols
F
G
H
I
J
K
M
7.电阻的分类
(1).碳膜电阻
(2).金属膜电阻(保险丝电阻)
(3).金属氧化膜电阻
(4).绕线电阻
(5).保险丝
二:
电容器英文Capacitor
┼
1.电路符号
(a)(b)
(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.
2.电容慨念
电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:
C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).
3.种类
电容器可分为:
陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.
4.主要性能参数
(1)标准容量及允许偏差
(2)额定电压
(3)损耗系数DF值
DF=P耗/P总
P耗为充放电损耗功率,P总为充放电总能量.
(4)温度系数
5.标注方法
(2)色标法:
类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF
6.多层陶瓷电容器电介质分类
NPO(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒
X7R(2X1):
二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.
Y5V(2F4):
二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.
7.PlasticFilmCapacitors
(1).PolystyreneFilmCapacitor(聚苯乙烯膜電容器)
Highprecisionofcapacitance.
LowdissipationfactorandlowESR.
Highinsulationresistance
HighstabilityofcapacitanceandDFVStemperatureandfrequency.
(2)PolyesterFilmCapacitor(聚乙烯膜電容器)
Highmoistureresistance
Goodsolderability
Availableontapeandreelforautomaticinsertion
ESRisminimized.
(3)MetallizedPolyesterFilmCapacitor(金屬化聚乙烯膜電容器)
Highmoistureresistance.
Goodsolderability.
Non-inductiveconstructionandsell-healingproperty.
(4)PolypropyleneFilmCapacitor(聚丙烯膜電容器)
Lowdissipationfactorandhighinsulationresistance.
Lowequivalentseriesresistance.
Non-inductiveconstruction
8.X電容
9.Y電容
三.电感器(英文Choke即线圈)
1.电路符号
(普通电感无极性)
2.主要参数
(1)电感量及允许偏差
(2)品质因子(Q值)
感抗xL=WL=2πfLQ=2πfL/RQ即为品质因子
可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器
四.半导体二极管(英文Diode)
DIODE
Test#
Description
VF
Forwardvoltage
IR
Reversecurrentleakage
BVR
Breakdownvoltage
▔
2.单向导电性
二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.
3.结构
是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.
4.种类
(1)普通二极管
(2)发光二极管(3)稳压二极管(4)变容二极管(6)肖特基二极管
5.主要参数
(1)最大平均整流电流IF:
表征二极管所能流过的最大正向电流.在一
个周期内的平均电流值不能超过IF,否则二极管将会烧坏.
(2)最大反向工作电压VR
(3)反向电流IR:
是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值
(4)工作频率:
表示二极管在高频下的单向导电性能.
五.稳压二极管
ZENER
BVZ
MinimumZenervoltage.(Usetest#5)
MaximumZenervoltage.(Usetest#5)
BVzwithprogrammablesoak
ZZ
1KHzZenerImpedance(requiresZZ-1000orModel5310)
i
U
1.电路符号
(图一)(图二)
2.稳压原理
从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.
3.主要参数
(1)稳定电压
(2)稳定电流:
稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差
些.
(3)额定功率损耗
(4)电压温度系数
(5)动态电阻
六.半导体三极管(又称晶体三极管)
TRANSISTOR
hFE
Forward-currenttransferratio
VBE
Baseemittervoltage(seealsoAppendixF)
IEBO
Emittertobasecutoffcurrent
VCESAT
Saturationvoltage
ICBO
Collectortobasecutoffcurrent
ICEO
Collectortoemitercutoffcurrent
ICER,
withbasetoemiterload,
ICEX,
reversebias,or
ICES
short(seealsoAppendixF)
BVCEO
Breakdownvoltage,collectortoemitter,
BVCER
BVCEX
BVCES
BVCBO
Breakdownvoltage,collectortobase
BVEBO
Breakdownvoltage,emittertobase
10
VBESAT
Baseemittersaturationvoltage
IC
c
(a)NPN(b)PNP
cccc
2.结构集电极
Ic
bccc
Ib
P=
N
eccc
Ie
(a)NPN
Iee
(b)PNP
结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+IcIc=βIb,β为三极管电流放大倍数.
3.工作原理
icc
E1
Uc
Ub
E2
uce
Ue
(1)NPN
(2)PNP(3)共发射极输出特性曲线
(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>
E2,即NPN型三极管Vc>
Vb>
Ve,
PNP型三极管Vc<
Vb<
Ve.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)
(2)截止
Ib≦0的区域称截止区,UBE<
0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使UBE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.
(3)饱和区
当VCE<
VBE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.
饱和压降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,锗管UCE(sat)≒0.1V
4.主要参数
(1)共发射极直流电流放大系数β,即Hfe,β=IC/IB
(2)共发射极交流电流放大系数β.β=ΔIC/ΔIB
(3)集电极,基极反向饱和电流ICBO
(4)集电极,发射极反向饱和电流ICEO,即穿透电流
(5)集电极最大允许功耗PCM
(6)集电极最大允许电流ICM
(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO
(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO
(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO
七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)
SCR
IGT
Gate-triggercurrent
IGKO
Reversegatecurrent
VGT
Gate-triggervoltage
BVGKO
Reversegaetbreakdownvoltage
IDRM
ForwardBlockingcurrent
IRRM
ReverseBlockingcurrent
IL
Latchingcurrent
11
IH
Holdingcurrent(seealsoAppendixF)
13
VTM
Forwardonvoltage
15
VDRM
Forwardblockingvoltage
16
VRRM
Reverseblockingvoltage
AK
阳极G控制极阴极
2.工作原理
(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.
(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.
(3)导通后,UAK=0.6~1.2V
(4)要使导通的可控硅截止,得降低UAK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流IH时,可控硅仍能截止.
(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压
(2)通态平均电压UF,约为0.6~1.2V
(3)擎住电流Ica—由断态至通态的临界电流.
(4)维持电流IH:
从通态至断态的临界电流
(5)控制极触发电压UG,一般1~5V
(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.
八.变压器
变压器是变换电压的器件
1.电路符号
..
L1L2
(a)
(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.
1.结构
构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的.3.工作原理
当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.
4.主要参数
(1)变匝比:
变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:
U2/U1=N2/N1=NN为变压器的变压比
(2)效率
是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,
即η=Po/Pi*100%
(3)电压,电流的关系
若η=100%,则有P2=P1,式中:
P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:
U2/U1=I1/I2=N2/N1=N
九.光电藕合器(英文PHOTOCOUPLE)
OPTOCOUPLER
(RequiresOptoAdapter)
LCOFF
Collectortoemitterdarkcurrent
LCBO
Collectortobasedarkcurrent
Breakdownvoltage,collectortoemitter
HFE
Forwardcurrenttransferratio,transistor
Saturationvoltage,basedriven
Reversecurrent
CTR
Currenttransferratio,coupled
VSAT
Saturationvoltage,coupled
光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光
敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.
当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.
IF
ICIC/IF=CTR
十.场效应管
JEFT
VGSOFF
Gatetosourcecutoffvoltage.
lDss
Zerogatevoltagedraincurrent.
BVDGO
Draintogatebreakdownvoltage.
IGSS
Gatereversecurrent.
IDGO
Draintogateleakage.
IDOFF
Draincut-offcurrent.
BVGSS
Gatetosourcebreakdownvoltage.
VDSON
Draintosourceon-statevoltage.
场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体
三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.
场效应管分为:
结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)两
大类.
结型应管
1.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下
dd结型场效应管有三极:
珊极
gg源极
N型sP型s漏极
二.工作原理
结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.
三.结型场效应管的主要参数
1.夹断电压UDS(off),当UDS等于某一个定值(10v),使Id等于某一
个微小电流(如50uA)时,源极间所加的UGS即为夹断电压.
UDS(off)一般为1~10V
2.饱和漏极电流IDS:
当UGS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电
流.
3.直流输入电阻RGS
4.低频跨导GM
5.漏源击穿电压U(BR)DS
6.珊源击穿电压U(BR)GS
7.最大耗散功率PDM
绝缘珊场效应管
MOSFET
VGSTH
Thresholdvoltag
IDss
lDSx
withgatetoSourcereversebias.
BVDss
DraintoSourcebreakdownvoltage.
DraintoSourceon-statevoltage.
IGSSF
GatetoSourceleakagecurrentforward.
IGSSR
GatetoSourceleakagecurrentreverse.
VF
Diodeforwardvoltage.
VGSF
GatetoSourcevoltage(forward)
requiredforspecifiedInatspecifiedVos.
(seeSISQAppendixF)
VGSR
GatetoSourcevoltage(reverse)
requiredforspecifiedIDatspecifiedVDS.
(seealsoAppendixF)
On-statedraincurrent
VGSON
On-stategatevoltage
一.结构和符号
它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS管,其工作原理类似于结型场效应管.
符号和极性
g
diDiD
+
-_
_____-
b
gb
-
ss
(1)增强型NMOS
(2)增强型PMOS
B
iDiD
g
s
(3)耗尽型NMOS(4)耗尽型PMOS
二.主要参数
1.漏源击穿电压BVDS
2.最大漏极电流IDMSX
3.阀值电压VGS(开启电压)
4.导通电阻RON
5.跨导(互导)(GM)
6.最高工作濒率
7.导通时间TON和关断时间
十一.集成电路(英文IntegraedCircuit缩写为IC)
集成电路按引脚分别为:
单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成电路,四列集成电路,反
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