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当有输入信号时,电路中的电压、电流都随输入信号作相应变化,称为。
29.表征放大器静态工作点的参数主要指、、和。
30.多级放大器的级间耦合方式有______________、______________、______________和______________等四种。
32某二级放大器,Au1=100,Au2=1000,则总的放大倍数Au=__________,总的电压增益Gu=__________.
33.多级放大器与单级放大器相比,电压增较_________,通频带较__________。
45.一个多级放大器的电压放大倍数为1000,则GV=,如果
功率放大倍数为1000,则GP=。
46.在放大器中,总希望放大器的输入电阻一些,原因是
,总希望放大器的输出电阻______
一些,原因是。
47.整流电路的负载若出现短路,将使或烧毁。
48.整流电路的主要类型有、、。
49.滤波器可将输入的变为较平滑的直流电。
51.电容滤波器的负载电阻越,滤波电容的容量越,滤波效果越好。
52.稳压二极管工作在区,发光二极管工作在区,光电二极管工作在区,整流二极管工作在区。
53.电容滤波器中电容与负载关系是。
(串、并)
54.发光二极管发光时,其正向压降一般在之间。
55.光电二极管是将能转换成能。
56.晶体管反相器电路如上图,已知R1=15KΩ,R2=50KΩ,RC=2KΩ,β=100,VCC=12V,VBB=6V,三极管导通时,VBE=0.7V,当输入信号VI为6V时,三极管的工作状态是()
58.在桥式整流电路中,变压器次级输出电压的有效值为10V,如果只有电容器C开路,则输出电压VO=V,如果只有VD1开路,则输出电压VO=V。
61、晶体三极管的三个电极分别称为极、极和极,它们分别用字母、和表示。
63、硅晶体三极管发射结的导通电压约为,锗晶体管发射结导通电压约为。
67、点接触型二极管适用于__________,而面接触型二极管适用于_____________。
68、自然界物质按其导电能力可分三大类,分别是____________、_____________和____________。
72、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。
73、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。
79、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
80、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;
当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
83、半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
84.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为和;
饱和区,偏置为和;
截止区,偏置为和。
88、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏,则三个管脚分别为极、__________极和__________极。
90、二极管由一个PN结构成,其特性是__________,即给P区加_______电位,N区加_________电位时,二极管就导通。
它的电压和电流不成正比,所以它是一种____________元件。
92.三极管的静态工作点过低,将使输出电压出现________失真。
93.三极管输入等效电阻rbe与静态工作点_______________关。
96.某放大状态的晶体三极管,当IB=20μA时,IC=1mA,当IB=60μA时,IC=3mA。
则该管的电流放大系数β值为__________。
98.在三种基本组态的晶体三极管放大电路中,具有电压放大作用,且u0与ui同相关系的是__________放大电路。
100、在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。
104、将交流电变成单方向直流电的过程,称()。
105、单相桥式整流电路,输出侧直流电压是交流电压有效值的()倍。
107、在交流放大电路中,当三极管的()正向偏置,而()反向偏置时,三极管具有电流放大作用。
108、滤波电路的主要作用是(),使输出的直流电压波形较()。
109、在单相半波整流电路中,若交流电压为10伏,输出的直流电压约为()伏,二极管承受的最高反向电压约为()伏。
111、已知某三极管放大电路的IB=10μA,IC=1mA,则该管的电流放大系数约为()。
112、在交流放大电路中,测得UCE值近似等于电源电压,集电极电流IC≈0,则该管处于()状态。
115、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于___________,而少数载流子的浓度则与____________有很大关系。
116、漂移电流是____________在____________作用下形成的。
117、二极管的最主要特征是_______________________,它的两个主要参数是_________________和___________________。
121、三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为___________和__________;
饱和区,偏置为_______________和______________;
截止区,偏置为______________和______________。
122、温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将_______________,输出特性曲线将___________,而且输出特性曲线之间的间隔将_____________。
123、要使三极管具有放大电流的作用,必须满足的外部条件是______和______。
125、某放大状态的晶体三极管,当IB=20μA时,IC=1mA,当IB=60μA时,IC=3mA。
130、电容滤波电路中,滤波电容容量越大时,其滤波效果__________________。
131、半导体内的载流子越多,导电能力越________。
132、NPN型晶体三极管,发射结正偏时,应是发射极电位比基极电位________。
134、单相桥式整流电路输出平均电压为36V,负载RL=36Ω,则流过整流二极管的平均电流为________A。
136、当温度升高时,双极性三极管的β将____________,反向饱和电流ICEO_________正向结压降UBE_____________。
138、三极管的输出特性曲线反映的是__________和__________关系的曲线,输出特性曲线可分为__________、__________、__________三个区。
140、理想的二极管,其正向电阻约为,反向电阻约为。
141、晶体三极管工作在区时,关系式IC=βIB才成立,而工作区时,IC=0。
142、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是()。
148、晶体三极管具有放大作用时,发射结(),集电结()。
149、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
150、多级放大器中,前级是后级的,后级是前级的。
151、某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)CEO=30V若它的工作电压VCE=10V,则工作电流不得超过__________,若它的工作电压VCE=1V,则工作电流不得超过__________,则工作电流IC=10mA,则工作电压不得超过__________。
二.判断
1.电容滤波适用于负载经常变换的场合。
()
2.桥式整流电路中的一个二极管接反时,电路将变成半波整流电路.()
3.单级共射极放大电路具有放大和反相作用.()
4.射极输出器对电流,电压及功率均有放大作用.()
5.电感滤波电路的输出波形比较好(与电容滤波比较)。
6.整流电路加上电容滤波电路后二极管的导通时间变长。
7、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
9、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
10、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
13.少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
14.晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的,所以E极和C极可以互换使用。
15.当集电极电流值大于集电极最大允许时,晶体三极管一定损坏。
()
16.三极管的主要参数有最大整流电流和反向击穿电压。
17.在单相半波整流电路中,VO=0.45V2。
18.光电二极管PN结只能加反偏电压。
19.温度升高二极管的反向饱和电流将增大。
21.三极管在放大区具有恒流特性。
22.光电二极管有光线照射时,反向电阻增大。
23.稳压管的伏安特性与普通二极管相比较,其反向击穿区曲线变得平缓。
24.在稳定电压变化量相同的情况下,动态电阻越大越好。
25.与半波相比较,全波的脉动性变小,即纹波系数变大。
26.整流电路中变压器的作用是使交流电变成单向脉动电。
28、无论是P型还是N型半导体,它们整个晶体仍是中性的,对外不显示电性。
29、NPN、PNP二种结构形式的三极管,它们对电源的极性要求相反,因此它们各电极中的电流方向也不同。
33.稳压管正常工作时属于热击穿而不是电击穿。
34.发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态。
35.多级放大电路的输出电阻主要取决于第一级电路。
36.在整流电路中,已知输入电压为20V,带负载时的输出电压为24V,则电路形式为全波整流电感滤波。
37、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
38、P型半导体中,空穴是多数载流子,因此P型半导体带正电。
39、当PN结的P区接电源的负极,而N区接电源的正极,PN结就会导通。
40、一般情况下,硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小。
41、二极管加反向电压时,电压过高会被击穿。
42.晶体三极管具有能量放大作用。
三.选择
1.在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()
A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
2.稳压二极管工作在伏安特性曲线的()
A.死区B.正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区
3.在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()
A.NPN管的发射极B.PNP管的发射极C.PNP管的集电极
4.NPN三极管放大偏置B.集电极为正向偏置C.始终工作在放大区
5.电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压UAB为()
A.-3VB.5V器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管()
A.发射极为反向C.8VD.-8V
6.3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()
A.被击穿B.正常工作C.功耗太大过热甚至烧坏
7.二极管两端加上正向电压时()
A.一定导通B.超过死区电压才能导通C.超过0.7V才能导通D.超过0.3V才能导通
8.若某一单相桥式整流电路中有一只二极管短路,则()
A.VO会升高B.VO会降低C.VO不变D.不能正常工作
9.射极输出器是一种()电路
A.共发射极B.共集电极C.共基极
10.测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示,其中硅材料的NPN管是()
A.BCD
3.5V2.8V12V3V2.7V12V6V11.3V12V6V11.712V
11、单相桥式整流电路,变压器二次电压V2=10V,负载电阻为100Ω,流过二极管的电流IV为()
A.90mAB.45mAC.22.5mAD.100mA
12、三极管的β=99,反向饱和电流ICBO=5μA,则穿透电流ICEO=()
A.500μAB.5μAC.100μAD.495μA
14、有四只晶体二极管,除了β和ICEO不同外,其他参数都相同,用作放大器件时,应选用()
A.β=99ICEO=0.5mA
B.β=140ICEO=2.5mA
C.β=10ICEO=0.5mA
D.β=50ICEO=2.5mA
15、组成整流电路是利用二极管的()
A.正向特性B.反向特性
C.反向击穿特性D.单向导电性
16.晶体三极管工作在饱和状态时,满足()
A.发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏
C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏
17.共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是()
A.相位差0˚B.相位差为90˚
C.相位差为180˚D.相位差为270˚
18.二极管伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线。
A.VD——IDB.VD——RDC.ID——RDD.F——ID
19.NPN型三极管处在放大状态时是()
A.UBE<
0,UBC<
0B.UBE>
0,UBC>
C.UBE>
0D.UBE<
20、在NPN型放大电路中,若b极和e极短路,则()
A、晶体管将深度饱和B、截止C、集电结将是正偏
21、画放大器交流通路时,电容应视为()
A、短路B、开路C、不变
22、在三极管的放大电路中,三极管最高电位的一端是()
A、NPN管的发射极B、PNP管的发射极
C、PNP管的集电极D、NPN管的基极
23、三极管放大器中,各级的功率增益为:
-3dB,25dB和30dB,则总功率增益为()
A、52dBB、47dBc、-180dBD、-2250dB
24、在三极管的放大电路中,三极管最高电位的一端是()
25、三极管放大器中,各级的功率增益为:
26.一个两极电压放大电路,工作时测得AV1=-20,AV2=-40,则总电压放大倍数为()。
A.-60B.60C.800D.-800
27、三极管的β=99,反向饱和电流ICBO=5μA,则它的穿透电流ICEO=()。
A.500μAB.45mAC.22.5MaD.100mA
29.当环境温度升高时,基本放大电路的静态工作点将()。
A.升高B.降低C.由偏置电路决定D.不变
30.如图电路,如果测得VC=VCC,VB=VE=0,则该电路可能发生的故障是()。
A.RB1开路.B.RB2开路C.RC开路D.RE开路
31.某三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,V(BR)CEO=30V,
如果将它接在IC=15mA,VCE=20V的电路中,则该管()。
A.被击穿B正常工作C.功耗太大过热甚至烧坏
32.在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()。
A.NPN管的发射极.B.PNP管的发射极C.PNP管的集电极
33.NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则()。
A.基极电流不变B.集电极对发射极电压VCE下降
C.集电极对发射极电压VCE上升
35、稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
36、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
38、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价
39、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A.增大B.不变C.减小
40、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为A.83B.91C.100
40、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止
41、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)
43、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小
42、如图所示电路,输出的稳压值为()
A.1.4VB.1VC.11VD.-11V
43、在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()
A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
44、稳压二极管工作在伏安特性曲线的()
A.死区B.正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区
45、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()
47、二极管两端加上正向电压时()
A.一定导通B.超过死区电压才能导通
C.超过0.7V才能导通D.超过0.3V才能导通
48.由NPN型管组成的共射放大电路,输入ui为正弦波,输出u0为波形,则该电路产生了()
A.频率失真B.交越失真C.截止失真D.饱和失真
49.两级放大电路,考虑到级间的相互影响后,|Au1|=100,|Au2|=1000,则两级总的电压放大倍数用分贝表示为()
A.60dBB.80dBC.100dBD.120dB
50.某电路中的三极管符号如题3图所示,测得其管脚电位标在图上,则该管是()
A.放大状态B.截止状C.饱和状态D.状态不能确定
52、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(PNP)E、(NPN)
53、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真,下半周失真时为()失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率
54、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=()Uz
A、0.45B、0.9C、1.2
55.题15图所示电路中,已知VCC=12V,RC=3kΩ,晶体管β=50,
且忽略UBE,若要使静态时UCE=6V,则RB应取()
A.200kΩB.300kΩC.360kΩD.600kΩ
56.射极输出器的特点是( )
A.输入电阻高、输出电阻低B.输入电阻高、输出电阻高
C.输入电阻低、输出电阻低D.输入电阻低、输出电阻高
57.半波整流二极管的负载上直流电压为18V,则二极管承受的最高反向电压是。
A.20VB.40VC.28.28VD.56.56
58.三极管组成的放大电路中,没有电压放大作用的是()
A共射极放大电路B共集电极放大电路
C共基极放大电路D共集电极放大电路和共基极放大电路
59.半波整流电路中,若ID=2MA,则流过负载的电流是。
A.2MAB.1MAC.4MAD.0.5MA
60.在桥式整流电路中,若有一只二极管脱焊,则电路会。
A.可能烧毁元气件B.输出电流变大
C.电流变为半波整流D.输出电流为零
61.在滤波电路中,滤波效果最好的电路是。
A.电容滤波B.电感滤波C.RC—π滤波D.LC—π滤波
62.在桥式整流电路中,变压器二次侧电压V2=20V,二极管承受的最高反向电压是。
A.20VB.28VC.24VD.56V
63.整流电路中电压经滤波之后。
A.变为正弦波B.变的更加平滑C.变的更加平稳D.变的频率更高
64.桥式整流电容滤波电路中,VO=30V,若电容短开,则输出电压为。
A.36VB.22.5VC.33.3VD.11.25V
65.半波整流电路中,负载电阻并联一只电容后,电路的输出电压将。
A.升高B.降低C.不变D.变化不定
66.桥式整流电路中,若负载电流ID=1.2A,则流过每只二极管电流为。
A.0.6AB.1.2AC.2.4AD.0.3A
67.有一整流电路,当V2=10V时,其VO
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