SamsungNANDFLASH命名规则Word格式文档下载.docx
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Q:
4CHIPSM
R:
SLC4DIESTACK(S/B)
S:
SLCSingleSM
T:
SLCSINGLE(S/B)
U:
2STACKMSP
V:
4STACKMSP
W:
SLC4DieStack
4~5.Density(注:
实际单位应该是bit,而不是Byte)
12:
512M
16:
16M
28:
128M
32:
32M
40:
4M
56:
256M
64:
64M
80:
8M
1G:
1G
2G:
2G
4G:
4G
8G:
8G
AG:
16G
BG:
32G
CG:
64G
DG:
128G
P:
TSOP1(Lead-Free)
TSOP2(Lead-Free)
TSOP2-R
SMARTMEDIA
TSOP2
COB(MMC)
WSOP
WAFER
Y:
TSOP1
13.Temp
C:
Commercial
I:
Industrial
SmartMedia
SmartMediaBLUE
0:
NONE(ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exception
handlingcode)
3:
WaferLevel3
14.BadBlock
AppleBadBlock
IncludeBadBlock
DaisychainSample
SandiskBin
1~5BadBlock
ini.0blk,add.10blk
AllGoodBlock
15.NAND-Reserved
Reserved
16.PackingType
-Commontoallproducts,exceptofMaskROM
-DividedintoTAPE&
REEL(InMaskROM,dividedintoTRAY,AMMOPackingSeparately)
【举例说明】
K
9
G
A
8
U
M
-
P
C
B
1
2
3
4
5
6
7
10
11
12
13
14
15
16
17
18
K9GAG08U0M详细信息如下:
SmartMedia,S/B:
4~5.Density
16G(Note:
这里单位是bit而不是byte,因此实际大小是16Gb=2GB)
6.Technology
Normal(x8)
7.Organization
NONE8:
x8
8.Vcc
2.7V~3.6V
9.Mode
Normal
10.Generation
1stGeneration
11."
─"
12.Package
14.CustomerBadBlock
15.Pre-ProgramVersion
None
整体描述就是:
K9GAG08U0M是,三星的MLCNandFlash,工作电压为2.7V~3.6V,x8(即I/O是8位),大小是2GB(16Gb),TSOP1封装。
三星内存颗粒
编码规则:
K
4
X
-
X
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;
28、27、2A代表128Mbit的容量;
56、55、57、5A代表256Mbit的容量;
51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;
16代表16位数据;
32代表32位数据;
64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;
70为
7ns;
7B为7.5ns
(CL=3);
7C为7.5ns
(CL=2)
;
80为
8ns;
10
为10ns
(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG
K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)
×
16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:
“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:
一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;
另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
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Micron内存颗粒
Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。
下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM;
46
代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V;
C
代表5V;
V
代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:
16M(地址)×
8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;
-65即150MHz。
实例:
一条Micron
DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。
该内存支持ECC功能。
所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:
容量32M
4bit
16
片/
8=256MB(兆字节)。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:
容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。
编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/
4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。
其它也是如此,如:
HYB39S128800即128MB/8bits;
HYB39S128160即128MB/16bits;
HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。
128Mbits(兆数位)×
16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。
128Mbits(兆数位)
8
片/8=128MB(兆字节)。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny
ball
grid
array)。
并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。
Kingmax内存颗粒有两种容量:
64Mbits和128Mbits。
在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间
4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间
8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间
KSV864T4XXX——128Mbits,8M
地址空间
16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133
/CL=2;
-7——PC133
/CL=3;
-8A——PC100/
CL=2;
-8——PC100
/CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A
的内存颗粒制造,其容量计算为:
64Mbits(兆数位)×
16片/8=128MB(兆字节)。
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量
HY颗粒编号
HY
XX
XX
1
2
3
5
6
7
9
11
12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型:
(57=SDRAM,5D=DDR
SDRAM);
3、工作电压:
空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率:
64:
64M
4K刷新;
66:
2K刷新;
28:
128M
4K
刷新;
56:
256M
8K刷新;
57:
12:
512M
1G:
1G
8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽:
40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量:
1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:
:
SSTL_3、 2
SSTL_2
8、芯片内核版本:
可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:
L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:
JC=400mil
SOJ,TC=400mil
TSOP-Ⅱ,TD=13mm
TSOP-Ⅱ,TG=16mm
TSOP-Ⅱ
11、工作速度:
55
183MHZ、5
200MHZ、45
222MHZ、43
233MHZ、4
250MHZ、33
300NHZ、L
DR200、H
DR266B、 K
DR266A
TOSHIBA
DDR内存:
TC
9
1、TC代表是东芝的产品
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
3、代表内存种类:
S=普通SDRAM,R=Rambus
SDRAM,W=DDR
SDRAM
4、代表容量:
64=64Mb,M7=128Mb
5、表示数据位宽:
04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、表示内核的版本:
可以为空白或A、B、C等字母,越往后代表内核越新
7、代表封装:
FT为TSO
II封装
8、代表内存功耗:
L=低功耗,空白=普通
9、代表速度:
75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns[100MHz
CL=3
宇瞻DDR内存:
W
5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型:
98为SDRAM,94为DDR
RAM
3、代表颗粒的版本号:
常见的版本号为B和H;
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:
0:
10ns、100MHz;
8:
8ns、125MHz;
Z:
7.5ns、133MHz;
Y:
6.7ns、150MHz;
6:
6ns、166MHz;
5:
5ns、200MHz
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