WQBV中文版资料下载.pdf
- 文档编号:5981088
- 上传时间:2023-05-05
- 格式:PDF
- 页数:26
- 大小:2.36MB
WQBV中文版资料下载.pdf
《WQBV中文版资料下载.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《WQBV中文版资料下载.pdf(26页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。
连续读模式访问存储器的效率很高,只要8个时钟的指令开销就可以读24位地址的数据,这样就可以实现XIP。
HOLD,WP管脚,可编程的写保护,可分为顶部,底部,整个存储器。
这些提供了更灵活的控制。
一般地,W25Q128BV支持JEDEC标准,一个64位的独立串行数字,包含制造商和芯片ID。
6管脚描述6.1,封装类型W25Q128BV有8x6mm的WSON(封装代码为E),300mil的SOIC(封装代码为F),封装的细节在数据手册的最后。
6.2,片选信号(/CS)SPI的片选信号可以使能和禁止芯片的操作。
当/CS管脚为高电平时,芯片处在不选择的状态,此时串行数据输出管脚都处在高阻态。
当芯片处在不选中的状态,芯片的功耗将处在待机状态的功耗,除非内部的擦写,编程,写寄存器周期还在进行。
当/CS低电平时,芯片被选择,功耗处在激活状态下的功耗,这时可以进行相应的读写与擦除。
上电后,在指令接受之前,/CS必须从高到低。
上电后,/CS管脚必须跟踪VCC,所以在/CS管脚上加一个上拉电阻比较好。
6.3,串行数据输入,输出,IO口W25Q128BV支持标准的SPI,DUALSPI,QUADSPI操作。
标准的SPI指令使用单向的DI管脚在时钟的上升沿进行传输串行写指令,地址,数据到芯片上。
也使用单向的DO管脚在时钟的下降沿从芯片上读数据,读寄存器的值。
DUAL和QUADSPI指令使用双向的IO管脚,在时钟的上升沿写指令,地址,数据到芯片上,在时钟的下降沿从芯片上读取数据,寄存器值。
QUADSPI指令的使用必须把状态寄存器2中的非易失性的QUAD使能位置位。
QE=1,/WP,/HOLD管脚依次变为IO2,IO3。
6.4,写保护(/WP)结合SRBP和SRP这两个寄存器,小至4KB,大至整个芯片能被硬件保护。
/WP是低电平有效。
当寄存器SR2中的QE位,被置1时,这时的/WP功能将无效,此时/WP已经被用为IO2。
6.5,HOLD(/HOLD)当芯片被选择时,/HOLD管脚可以使芯片暂停中止。
当芯片/HOLD为低电平,/CS也为低电平时,DO管脚将为高阻态,在DI和时钟管脚上的信号将被忽略。
当/HOLD为高电平时,芯片恢复正常操作。
当SPI总线上挂有多个设备时,/HOLD脚就有用了。
/HOLD管脚低电平有效。
当QE置位,/HOLD管脚作为IO3,/HOLD功能此时无效。
6.6,串行时钟串行时钟为串行输入和输出操作提供时序。
7,存储示意图图图2.W25Q128BV串行闪存框图串行闪存框图000033000000hh00003300FFFFhh000022000000hh00002200FFFFhh000011000000hh00001100FFFFhhCCoolumlumnnDDececododeeAnAndd252566-ByBytteePagPageeBufBufffererBBeeggininnnininggPPaaggeeAAddddressressEEnnddininggPPaaggeeAAddddressressWW2525QQ112288BVBVSSPIPICComommmand&
and&
CContontrorollLoLoggiiccByBytteeAddreAddressssLatLatcchh/CCountountererStStatatuussRRegegiissttererWWrrititeeCContontrorollLogLogiiccPaPagegeAdAddresdresssLatLatcchh/CCountountererDDOO(I(IOO11)DDII(I(IOO00)/CCSSCCLLKK/HHOLDOLD(I(IOO33)/WWPP(I(IOO22)HHighighVoVoltltageageGeneratorsGeneratorsxxxx00F00F00hhxxxx00FFFhFFFhSSeecctotor0r0(4K(4KBB)xxxx00000000hhxxxx0000FFhFFhxxxx11F00F00hhxxxx11FFFhFFFhSSeecctotor1r1(4K(4KBB)xxxx11000000hhxxxx1100FFhFFhxxxx22F00F00hhxxxx22FFFhFFFhSSeecctotor2r2(4K(4KBB)xxxx22000000hhxxxx2200FFhFFhxxDFxxDF0000hhxxxDFFxDFFFhFhSSeecctotor13r13(4K(4KB)B)xxD00xxD0000hhxxxD0FFhxD0FFhxxxxEEF00F00hhxxxxEEFFFhFFFhSSeecctotor14r14(4K(4KB)B)xxxxEE000000hhxxxxEE00FFhFFhxxxxFF00FF00hhxxxxFFFFFFFFhhSSeecctotor15r15(4K(4KB)B)xxxxF00F0000hhxxxxF0FFhF0FFhBBlolocckkSSegmegmententatatioionnDatDataaSeSeccururitityyRRegiegisstterer11-33WWrrititeeProtProtececttLoLoggicicandandRRowowDDeeccoodede000000000000hh00000000FFhFFhSFSFDDPPRReeggisistterer00F00FF00hF00h00F00FFFFFFFhhBlBlocockk00(6(64K4KB)B)000000000000hh0000F0000FFFhh3F3FFFFF000h0h3F3FFFFFFFFFhhBloBlocckk6633(64K(64KB)B)3F3F00000000hh3F3F00F00FFFhh40F40FF00hF00h40F40FFFFFFFhhBloBlocckk6644(64K(64KB)B)400400000000hh4000F4000FFFhh7F7FFFFF000h0h7F7FFFFFFFFFhhBloBlocckk112727(64(64KKB)B)7F7F00000000hh7F7F00F00FFFhh80F80FF00hF00h80F80FFFFFFFhhBloBlocckk112828(64(64KKB)B)800800000000hh8000F8000FFFhhFFFFFFFF0000hhFFFFFFhFFFFFFhBloBlocckk225555(64(64KKB)B)FFFF0000h0000hFFFF00F00FFFhh8.功能描述8.1,SPI操作8.1.1,标准SPI指令访问W25Q128BV可以通过与SPI兼容的四线制总线:
CLK,/CS,DI,DO。
标准SPI使用DI管脚,在时钟的上升沿,来进行传输串行写指令,地址,数据到芯片。
在时钟的下降沿使用DO管脚来进行读数据和读状态。
SPI总线操作模式0和模式3都是被支持的。
模式0与模式3的最大区别在于,当SPI总线的主设备处在待机状态,并且没有数据传输到串行FLASH时的CLK的信号状态。
对模式0来说,当/CS在上升沿和下降沿的时候,CLK总是在处在低电平。
在模式3的时候,当/CS处在上升沿和下降沿的时候,CLK总是处在高电平。
8.1.2DUALSPIinstructions8.1.3QUADSPIinstructions8.1.4HOLD功能对于标准的SPI和DUALSPI操作时,当W25Q128BV被激活时(/CS为低电平),可以使用/HOLD信号使W25Q128BV的操作暂停。
当SPI的数据与时钟信号与别的设备共用的时候,/HOLD这个功能就可以用到。
例如,当页缓冲区只有部分写进FLASH,这时一个高优先级的中断要使用SPI总线。
在这种情况下,/HOLD功能就可以保持当前指令的状态,等到SPI总线再次有效的时候,就可以把缓冲区的数据写入FLASH。
/HOLD功能只在标准的SPI和DUALSPI操作下有效,在QUAD下无效。
开始/HOLD功能的条件,芯片必须是处在激活状态,也就是/CS为低电平。
锁定功能在/HOLD信号下降沿如果CLK为低电平的时候被激活。
如果CLK不在低电平,锁定功能将在下一时钟下降沿被激活。
在/HOLD信号的上升沿时,如果CLK已经为低电平,锁定功能将被终止。
如果CLK不是低电平,那么锁定功能将在下一个时钟下降沿被终止。
在锁定期间,DO处在高阻态,DI和CLK信号被忽略。
在整个锁定期间,片选信号应该一直保持低电平,避免重启片内逻辑状态。
8.2,写保护对于把W25Q128BV当非易失性的存储器的应用来说,必须考虑噪声污染和其他的可能破坏数据完整性的系统因素。
为了解决这一问题,W25Q128BV提供了几种保护数据不意外写进FLASH的方法。
8.2.1写保护的特性*芯片复位当VCC低于门槛电压*唤醒后禁止写的延迟时间*写禁止指令,擦写之后自动禁止写*软件写保护和硬件写保护*使用Power-down指令*LockDown写保护*一次编程写保护(永久的,不可逆)无论是唤醒状态还是睡眠状态,当电压VCC低于门限电压Vwi时,W25Q128BV都会复位。
当复位重启这个过程中,所有的操作都是被禁止的,指令也是不被识别的。
在唤醒过程中,当电压VCC升到高于Vwi时,编程和擦除的相关指令仍然要等待一段时间tpuw,这些指令包括写使能,页写,擦除扇区,擦除块,擦除整个芯片和写状态寄存器。
上电过程中,/CS必须踪电压VCC,直到电压达到VCC_min后再延迟tvsl时间。
可以在/CS管脚上加一个上拉电阻来实现。
上电后,芯片处在禁止写的状态,WEL位为0。
在进行页写,扇区擦除,段擦除,芯片擦除,写状态寄存器之前,必须先发送写使能。
完成这些指令后,WEL位自动清除。
通过写状态寄存器和设置SRP0,SRP1,BP相应的位来实现软件控制写保护是很方面的。
这种方法可以设置小到4KB,大到整个芯片为只读,也就是写保护。
结合/WP管脚,可以通过硬件控制来使能或者禁止状态寄存器的改变。
详细的说明请看状态寄存器那一段。
在睡眠模式下,其实提供了一种额外的写保护,因为此时只识别唤醒指令。
9.控制和状态寄存器9.1.1,BUSYBUSY位是在S0中的一个只读位。
当执行页写,QUAD页写,扇区擦除,块擦除,片擦除,写状态寄存器,擦写安全寄存器时,BUSY位将会置1。
在BUSY位置1期间,只识别读状态寄存器指令,擦写SUSPEND指令。
当擦写指令,写状态寄存器的指令完成后,BUSY位自动清零,表示芯片已经准备好接受其他指令。
9.1.2,写使能锁存(WEL)WEL位是在S1中的一个只读位,当执行完写使能的时候置1。
当芯片被写禁止的时候清0当上电过程中或执行以下这些指令后:
写禁止,页写,QUAD页写,扇区擦除,块擦除,芯片擦除,写状态寄存器,擦写安全寄存器时,芯片将处在写禁止状态。
9.1.3,块保护位(BP2,BP1,BP0)BP位都是在状态寄存器中非易失性的,可读可写的位(对应为S4,S3,S2)。
写这些位可以进行相应的写保护控制,读这些位可以知道当前块保护的状态。
读写这些位都是通过相应的状态寄存器指令。
整个芯片或者一部分可以保护起来,当然也可以不保护。
默认的就是不保护。
9.1.4,顶部/底部块保护(TB)、非易失性的TB位,可以控制BP是从顶部开始还是底部开始。
TB=0,从顶部开始,TB=1从底部开始。
默认的是从TB=0顶部开始的。
TB位是可以通过写状态寄存器指令来操作的。
9.1.5,扇区/块保护(SEC)非易失性的SEC位决定是以4KB扇区还是以64KB的块来进行存储。
SEC默认值是0,以64KB的块来进行保护。
9.1.6,完全保护(CMP)CMP是在状态寄存器中的一位非易失性的可读可写的位(S14)。
与SEC,TB,BP位结合,使得存储器的保护措施更加灵活。
一旦CMP位置1,SEC,TB,BP位将保留。
当CMP=0,当顶部4KB以外的部分没有被保护的时候,顶部4KB将被保护。
当CMP=1,除顶部4KB以外的部分将被保护。
默认的CMP=0。
详细情况参看SRMP参考。
9.1.7,状态寄存器保护位(SRP1,SRP0)SRP1,SRP0是状态寄存器中非易失性的可读写的两位(S8,S7)。
SRP位决定着写保护的方法,软保护,硬件保护,电源锁定,一次编程保护。
注意:
1,当SPR1,SRP0=(1,0),一个POWER-DOWN,POWER-UP周期后,SRP1,SRP0就变为了(0,0)状态。
2,这是一条特别的命令。
详细情况联系华邦。
9.1.8,擦写暂停寄状态位(SUS)SUS是在状态寄存器中的只读位(S15)。
当执行完擦写暂停指令位后,SUS置位。
当执行指令7AH以及POWER-DOWN,POWER-UP周期后,SUS被清零。
9.1.9,安全寄存器锁定位(LB3,LB2,LB1,LB0)LB位是在状态寄存器中非易失性的一次编程位(S13,S12,S11,S10)。
LB控制写保护,描述安全寄存器的状态。
默认的LB位都为0,即安全寄存器没有被锁定。
LB位可以通写状态寄存器指令来置1。
LB位都是一次编程,所以一旦写1,相应的256字节的安全寄存器将会变得永久只读。
9.1.10,QUAD使能(QE)QE是在状态寄存器中的非易失性的可读可写的一位(S9)。
QE置位,表示进行的是QUADSPI操作。
默认的QE是0,/WP,/HOLD都是使能的。
当QE是1时,IO2,IO3管脚被被使能。
当芯片处在标准SPI或者DUALSPI,并且/WP,/HOLD管脚夫是直接接在高电电平或者地上时,QE位不要设置为1。
SRP1SRP0/WP状态寄存器状态寄存器描述描述00X软件保护软件保护/WP引脚没有控制权。
状态寄存器可以写使能指令之后被写入,WEL=1。
出厂默认010硬件保护硬件保护当/WP引脚为低电平状态寄存器锁定,不能被写入.011硬件不受保护硬件不受保护当/WP引脚为高电平状态寄存器被解锁,可以写使能指令之后被写入,WEL=1。
10X电源锁定电源锁定状态寄存器的保护,不能被再次写入,直到下一次断电,上电周期。
(1)11XOneTimeProgram
(2)状态寄存器是永久保护,不能被写入。
S7S7S6S6S5S5S4S4S3S3S2S2S1S1S0S0SSRRPP00SSECECTBTBBBP2P2BBP1P1BBP0P0WWEELLBBUUSYSYSTSTATATUUSSRREGIEGISTSTEERRPPRROTOTEECCTT00(non(non-vvolatolatiille)e)SSECECTTORORPPRROTOTEECCTT(non(non-vvolatolatiille)e)TTOP/OP/BOTBOTTTOMOMPRPROTOTECECTT(non(non-vvolatolatiille)e)BLOCBLOCKKPRPROTOTEECCTTBIBITTSS(non(non-vvolatolatiille)e)WWRRIITTEEENENAABLBLEELLATATCCHHEERRAASSE/E/WWRRIITTEEIINNPPRROGROGREESSSS图3a。
状态寄存器-19.1.11,状态寄存器存储保护(CMP=0)SS1155SS1144SS1133SS1122SS1111SS1100S9S9S8S8SSUUSSCMPCMPLBLB33LBLB22LBLB11(R(R)QEQESSRRPP11SSUUSSPPEENNDDSTSTATATUUSSCCOMOMPLEMPLEMEENNTTPRPROTOTECECTT(non(non-vvolatolatiille)e)SSECECUURRIITTYYRREGIEGISSTTEERRLOCLOCKKBIBITTSS(non(non-vvolatolatiilleeOTOTP)P)QUQUAADDEENNAABLBLEE(non(non-vvolatolatiille)e)STSTATATUUSSRREGIEGISTSTEERRPPRROTOTEECCTT11(non(non-vvolatolatiille)e)RRESESEERRVVEEDD图3b。
状态寄存器-2STATUSREGISTER
(1)W25Q128BV(128M-BIT)MEMORYPROTECTION(3)SECTBBP2BP1BP0PROTECTEDBLOCK(S)PROTECTEDADDRESSESPROTECTEDDENSITYPROTECTEDPORTION
(2)XX000NONENONENONENONE00001252thru255FC0000hFFFFFFh256KBUpper1/6400010248thru255F80000hFFFFFFh512KBUpper1/3200011240thru255F00000hFFFFFFh1MBUpper1/1600100224thru255E00000hFFFFFFh2MBUpper1/800101192thru255C00000hFFFFFFh4MBUpper1/400110128thru255800000hFFFFFFh8MBUpper1/2010010thru3000000h03FFFFh256KBLower1/64010100thru7000000h07FFFFh512KBLower1/32010110thru15000000h0FFFFFh1MBLower1/16011000thru31000000h1FFFFFh2MBLower1/8011010thru63000000h3FFFFFh4MBLower1/4011100thru127000000h7FFFFFh8MBLower1/2XX1110thru255000000hFFFFFFh16MBALL10001255FFF000hFFFFFFh4KBU-1/409610010255FFE000hFFFFFFh8KBU-1/204810011255FFC000hFFFFFFh16KBU-1/10241010X255FF8000hFFFFFFh32KBU-1/512110010000000h000FFFh4KBL-1/4096110100000000h001FFFh8KBL-1/2048110110000000h003FFFh16KBL-1/10241110X0000000h007FFFh32KBL-1/512Notes:
1.X=dontcare2.L=Lower;
U=Upper3.IfanyEraseorProgramcommandspecifiesamemoryregionthatcontainsprotecteddataportion,thiscommandwillbeignored.9.1.12,状态寄存器存储保护(CMP=1)状态寄存器状态寄存器
(1)W25Q128BV(128M-BIT)存储器保护存储器保护(3)SECTBBP2BP1BP0PROTECTEDBLOCK(S)PROTECTEDADDRESSESPROTECTEDDENSITYPROTECTEDPORTION
(2)XX0000thru255000000h-FFFFFFh16MBALL000010thru251000000h-FBFFFFh16,128KBLower63/64000100thr
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- WQBV 中文版