清华模电华成英课件.ppt
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清华模电华成英课件.ppt
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模拟电子技术基础,清华大学华成英,绪论,一、电子技术的发展,二、模拟信号与模拟电路,三、电子信息系统的组成,四、模拟电子技术基础课的特点,五、如何学习这门课程,六、课程的目的,七、考查方法,一、电子技术的发展电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无孔不入”,应用广泛!
广播通信:
发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机网络:
路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器工业:
钢铁、石油化工、机加工、数控机床交通:
飞机、火车、轮船、汽车军事:
雷达、电子导航航空航天:
卫星定位、监测医学:
刀、CT、B超、微创手术消费类电子:
家电(空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表)、电子玩具、各类报警器、保安系统,电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。
从电子管半导体管集成电路,1904年电子管问世,电子管、晶体管、集成电路比较,半导体元器件的发展,1947年贝尔实验室制成第一只晶体管1958年集成电路1969年大规模集成电路1975年超大规模集成电路,第一片集成电路只有4个晶体管,而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。
有科学家预测,集成度还将按10倍/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展!
第一只晶体管的发明者(byJohnBardeen,WilliamSchockleyandWalterBrattaininBellLab),第一个集成电路及其发明者(JackKilbyfromTI),1958年9月12日,在德州仪器公司的实验室里,实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想。
42年以后,2000年获诺贝尔物理学奖。
“为现代信息技术奠定了基础”。
他们在1947年11月底发明了晶体管,并在12月16日正式宣布“晶体管”诞生。
1956年获诺贝尔物理学奖。
巴因所做的超导研究于1972年第二次获得诺贝尔物理学奖。
值得纪念的几位科学家!
二、模拟信号与模拟电路,1.电子电路中信号的分类数字信号:
离散性,模拟信号:
连续性。
大多数物理量为模拟信号。
2.模拟电路模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
最基本的处理是对信号的放大,有功能和性能各异的放大电路。
其它模拟电路多以放大电路为基础。
“1”的电压当量,介于K与K+1之间时需根据阈值确定为K或K+1,任何瞬间的任何值均是有意义的,三、电子信息系统的组成,模拟电子电路,数字电子电路(系统),传感器接收器,隔离、滤波、放大,运算、转换、比较,功放,四、模拟电子技术基础课的特点,1、工程性实际工程需要证明其可行性。
强调定性分析。
实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存在一定的误差范围的。
定量分析为“估算”。
近似分析要“合理”。
抓主要矛盾和矛盾的主要方面。
电子电路归根结底是电路。
不同条件下构造不同模型。
2.实践性常用电子仪器的使用方法电子电路的测试方法故障的判断与排除方法EDA软件的应用方法,五、如何学习这门课程,1.掌握基本概念、基本电路和基本分析方法基本概念:
概念是不变的,应用是灵活的,“万变不离其宗”。
基本电路:
构成的原则是不变的,具体电路是多种多样的。
基本分析方法:
不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法,因而有不同的分析方法。
2.注意定性分析和近似分析的重要性3.学会辩证、全面地分析电子电路中的问题根据需求,最适用的电路才是最好的电路。
要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。
4.注意电路中常用定理在电子电路中的应用,六、课程的目的,1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。
2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力。
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能,为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识,学习科学的思维方法。
提倡快乐学习!
清华大学华成英,七、考查方法,1.会看:
读图,定性分析2.会算:
定量计算,考查分析问题的能力,3.会选:
电路形式、器件、参数,4.会调:
仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA,考查解决问题的能力设计能力,考查解决问题的能力实践能力,第一章半导体二极管和三极管,第一章半导体二极管和三极管,1.1半导体基础知识,1.2半导体二极管,1.3晶体三极管,1半导体基础知识,一、本征半导体,二、杂质半导体,三、PN结的形成及其单向导电性,四、PN结的电容效应,一、本征半导体,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
1、什么是半导体?
什么是本征半导体?
导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。
绝缘体惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
半导体硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
2、本征半导体的结构,由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子,自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴,自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。
共价键,一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。
外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。
由于载流子数目很少,故导电性很差。
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?
3、本征半导体中的两种载流子,运载电荷的粒子称为载流子。
温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
二、杂质半导体1.N型半导体,磷(P),杂质半导体主要靠多数载流子导电。
掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。
多数载流子,空穴比未加杂质时的数目多了?
少了?
为什么?
2.P型半导体,硼(B),多数载流子,P型半导体主要靠空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强,,在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?
少子与多子变化的数目相同吗?
少子与多子浓度的变化相同吗?
三、PN结的形成及其单向导电性,物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。
气体、液体、固体均有之。
P区空穴浓度远高于N区。
N区自由电子浓度远高于P区。
扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
PN结的形成,因电场作用所产生的运动称为漂移运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。
内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。
PN结加正向电压导通:
耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。
PN结加反向电压截止:
耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。
由于电流很小,故可近似认为其截止。
PN结的单向导电性,必要吗?
清华大学华成英,四、PN结的电容效应,1.势垒电容,PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。
2.扩散电容,PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
结电容:
结电容不是常量!
若PN结外加电压频率高到一定程度,则失去单向导电性!
问题,为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能?
为什么半导体器件的温度稳定性差?
是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?
为什么半导体器件有最高工作频率?
2半导体二极管,一、二极管的组成,二、二极管的伏安特性及电流方程,三、二极管的等效电路,四、二极管的主要参数,五、稳压二极管,一、二极管的组成,将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。
小功率二极管,大功率二极管,稳压二极管,发光二极管,一、二极管的组成,点接触型:
结面积小,结电容小,故结允许的电流小,最高工作频率高。
面接触型:
结面积大,结电容大,故结允许的电流大,最高工作频率低。
平面型:
结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程,开启电压,反向饱和电流,击穿电压,温度的电压当量,二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
利用Multisim测试二极管伏安特性,从二极管的伏安特性可以反映出:
1.单向导电性,2.伏安特性受温度影响,T()在电流不变情况下管压降u反向饱和电流IS,U(BR)T()正向特性左移,反向特性下移,正向特性为指数曲线,反向特性为横轴的平行线,增大1倍/10,三、二极管的等效电路,理想二极管,近似分析中最常用,导通时i与u成线性关系,应根据不同情况选择不同的等效电路!
1.将伏安特性折线化,?
100V?
5V?
1V?
2.微变等效电路,Q越高,rd越小。
当二极管在静态基础上有一动态信号作用时,则可将二极管等效为一个电阻,称为动态电阻,也就是微变等效电路。
ui=0时直流电源作用,小信号作用,静态电流,四、二极管的主要参数,最大整流电流IF:
最大平均值最大反向工作电压UR:
最大瞬时值反向电流IR:
即IS最高工作频率fM:
因PN结有电容效应,第四版P20,讨论:
解决两个问题,如何判断二极管的工作状态?
什么情况下应选用二极管的什么等效电路?
uD=ViR,ID,UD,V与uD可比,则需图解:
实测特性,对V和Ui二极管的模型有什么不同?
五、稳压二极管,1.伏安特性,进入稳压区的最小电流,不至于损坏的最大电流,由一个PN结组成,反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变,为稳定电压。
2.主要参数,稳定电压UZ、稳定电流IZ,最大功耗PZMIZMUZ,动态电阻rzUZ/IZ,若稳压管的电流太小则不稳压,若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏,因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻!
限流电阻,斜率?
1.3晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低,且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
中功率管,大功率管,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。
少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空穴的扩散,电流分配:
IEIBICIE扩散运动形成的电流IB复合运动形成的电流IC漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?
三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移?
对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
为什么像PN结的伏安特性?
为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了?
1.输入特性,2.输出特性,是常数吗?
什么是理想晶体管?
什么情况下?
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?
为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?
饱和区,放大区,截止区,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB,即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。
四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数:
、ICBO、ICEO,c-e间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率,PCMiCuCE,安全工作区,交流参数:
、fT(使1的信号频率),极限参数:
ICM、PCM、U(BR)CEO,清华大学华成英,讨论一,由图示特性求出PCM、ICM、U(BR)CEO、。
uCE=1V时的iC就是ICM,U(BR)CEO,讨论二:
利用Multisim测试晶体管的输出特性,利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。
讨论三,以V2作为输入、以节点1作为输出,采用直流扫描的方法可得!
约小于0.5V时截止,约大于1V时饱和,描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线,称为电压传输特性。
第二章基本放大电路,第二章基本放大电路,2.1放大的概念与放大电路的性能指标,2.2基本共射放大电路的工作原理,2.3放大电路的分析方法,2.4静态工作点的稳定,2.5晶体管放大电路的三种接法,2.6场效应管及其基本放大电路,2.7基本放大电路的派生电路,2.1放大的概念与放大电路的性能指标,一、放大的概念,二、放大电路的性能指标,一、放大的概念,放大的对象:
变化量放大的本质:
能量的控制放大的特征:
功率放大放大的基本要求:
不失真放大的前提,判断电路能否放大的基本出发点,至少一路直流电源供电,二、性能指标,1.放大倍数:
输出量与输入量之比,电压放大倍数是最常被研究和测试的参数,对信号而言,任何放大电路均可看成二端口网络。
2.输入电阻和输出电阻,将输出等效成有内阻的电压源,内阻就是输出电阻。
输入电压与输入电流有效值之比。
从输入端看进去的等效电阻,3.通频带,4.最大不失真输出电压Uom:
交流有效值。
由于电容、电感及放大管PN结的电容效应,使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降,并产生相移。
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。
5.最大输出功率Pom和效率:
功率放大电路的参数,2.2基本共射放大电路的工作原理,一、电路的组成及各元件的作用,二、设置静态工作点的必要性,三、波形分析,四、放大电路的组成原则,一、电路的组成及各元件的作用,VBB、Rb:
使UBEUon,且有合适的IB。
VCC:
使UCEUBE,同时作为负载的能源。
Rc:
将iC转换成uCE(uo)。
动态信号作用时:
输入电压ui为零时,晶体管各极的电流、b-e间的电压、管压降称为静态工作点Q,记作IBQ、ICQ(IEQ)、UBEQ、UCEQ。
共射,二、设置静态工作点的必要性,输出电压必然失真!
设置合适的静态工作点,首先要解决失真问题,但Q点几乎影响着所有的动态参数!
为什么放大的对象是动态信号,却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压?
三、基本共射放大电路的波形分析,输出和输入反相!
动态信号驮载在静态之上,与iC变化方向相反,要想不失真,就要在信号的整个周期内保证晶体管始终工作在放大区!
四、放大电路的组成原则,静态工作点合适:
合适的直流电源、合适的电路参数。
动态信号能够作用于晶体管的输入回路,在负载上能够获得放大了的动态信号。
对实用放大电路的要求:
共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。
两种实用放大电路:
(1)直接耦合放大电路,问题:
1.两种电源2.信号源与放大电路不“共地”,共地,且要使信号驮载在静态之上,静态时,,动态时,VCC和uI同时作用于晶体管的输入回路。
将两个电源合二为一,有直流分量,有交流损失,UBEQ,两种实用放大电路:
(2)阻容耦合放大电路,耦合电容的容量应足够大,即对于交流信号近似为短路。
其作用是“隔离直流、通过交流”。
静态时,C1、C2上电压?
动态时,,C1、C2为耦合电容!
uBEuIUBEQ,信号驮载在静态之上。
负载上只有交流信号。
2.3放大电路的分析方法,一、放大电路的直流通路和交流通路,二、图解法,三、等效电路法,一、放大电路的直流通路和交流通路,1.直流通路:
Us=0,保留Rs;电容开路;电感相当于短路(线圈电阻近似为0)。
2.交流通路:
大容量电容相当于短路;直流电源相当于短路(内阻为0)。
通常,放大电路中直流电源的作用和交流信号的作用共存,这使得电路的分析复杂化。
为简化分析,将它们分开作用,引入直流通路和交流通路的概念。
基本共射放大电路的直流通路和交流通路,列晶体管输入、输出回路方程,将UBEQ作为已知条件,令ICQIBQ,可估算出静态工作点。
VBB越大,UBEQ取不同的值所引起的IBQ的误差越小。
当VCCUBEQ时,,已知:
VCC12V,Rb600k,Rc3k,100。
Q?
阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路,二、图解法应实测特性曲线,输入回路负载线,IBQ,负载线,1.静态分析:
图解二元方程,2.电压放大倍数的分析,斜率不变,3.失真分析,截止失真,消除方法:
增大VBB,即向上平移输入回路负载线。
截止失真是在输入回路首先产生失真!
减小Rb能消除截止失真吗?
饱和失真,消除方法:
增大Rb,减小Rc,减小,减小VBB,增大VCC。
Rb或或VBB,Rc或VCC,:
饱和失真是输出回路产生失真。
最大不失真输出电压Uom:
比较UCEQ与(VCCUCEQ),取其小者,除以。
清华大学华成英,讨论一,1.用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。
2.用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。
画出图示电路的直流通路和交流通路。
三、等效电路法,半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。
利用线性元件建立模型,来描述非线性器件的特性。
1.直流模型:
适于Q点的分析,利用估算法求解静态工作点,实质上利用了直流模型。
输入回路等效为恒压源,输出回路等效为电流控制的电流源,2.晶体管的h参数等效模型(交流等效模型),在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络,输入回路、输出回路各为一个端口。
低频小信号模型,在低频、小信号作用下的关系式,交流等效模型(按式子画模型),电阻,无量纲,无量纲,电导,h参数的物理意义,b-e间的动态电阻,内反馈系数,电流放大系数,c-e间的电导,分清主次,合理近似!
什么情况下h12和h22的作用可忽略不计?
简化的h参数等效电路交流等效模型,查阅手册,利用PN结的电流方程可求得,在输入特性曲线上,Q点越高,rbe越小!
3.放大电路的动态分析,放大电路的交流等效电路,阻容耦合共射放大电路的动态分析,输入电阻中不应含有Rs!
输出电阻中不应含有RL!
讨论一,1.在什么参数、如何变化时Q1Q2Q3Q4?
2.从输出电压上看,哪个Q点下最易产生截止失真?
哪个Q点下最易产生饱和失真?
哪个Q点下Uom最大?
3.设计放大电路时,应根据什么选择VCC?
2.空载和带载两种情况下Uom分别为多少?
在图示电路中,有无可能在空载时输出电压失真,而带上负载后这种失真消除?
增强电压放大能力的方法?
讨论二,已知ICQ2mA,UCES0.7V。
1.在空载情况下,当输入信号增大时,电路首先出现饱和失真还是截止失真?
若带负载的情况下呢?
讨论三:
基本共射放大电路的静态分析和动态分析,为什么用图解法求解IBQ和UBEQ?
讨论四:
阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析,讨论五:
波形分析,失真了吗?
如何判断?
原因?
饱和失真,2.4静态工作点的稳定,一、温度对静态工作点的影响,二、静态工作点稳定的典型电路,三、稳定静态工作点的方法,一、温度对静态工作点的影响,所谓Q点稳定,是指ICQ和UCEQ在温度变化时基本不变,这是靠IBQ的变化得来的。
若温度升高时要Q回到Q,则只有减小IBQ,二、静态工作点稳定的典型电路,Ce为旁路电容,在交流通路中可视为短路,1.电路组成,2.稳定原理,为了稳定Q点,通常I1IB,即I1I2;因此,基本不随温度变化。
设UBEQUBEUBE,若UBQUBEUBE,则IEQ稳定。
Re的作用,T()ICUEUBE(UB基本不变)IBIC,Re起直流负反馈作用,其值越大,反馈越强,Q点越稳定。
关于反馈的一些概念:
将输出量通过一定的方式引回输入回路影响输入量的措施称为反馈。
直流通路中的反馈称为直流反馈。
反馈的结果使输出量的变化减小的称为负反馈,反之称为正反馈。
Re有上限值吗?
3.Q点分析,分压式电流负反馈工作点稳定电路,Rb上静态电压是否可忽略不计?
判断方法:
4.动态分析,利?
弊?
无旁路电容Ce时:
如何提高电压放大能力?
三、稳定静态工作点的方法,引入直流负反馈温度补偿:
利用对温度敏感的元件,在温度变化时直接影响输入回路。
例如,Rb1或Rb2采用热敏电阻。
它们的温度系数?
清华大学华成英,讨论一,图示两个电路中是否采用了措施来稳定静态工作点?
若采用了措施,则是什么措施?
2.5晶体管放大电路的三种接法,一、基本共集放大电路,二、基本共基放大电路,三、三种接法放大电路的比较,一、基本共集放大电路,1.静态分析,2.动态分析:
电压放大倍数,故称之为射极跟随器,2.动态分析:
输入电阻的分析,Ri与负载有关!
带负载电阻后,2.动态分析:
输出电阻的分析,Ro与信号源内阻有关!
3.特点:
输入电阻大,输出电阻小;只放大电流,不放大电压;在一定条件下有电压跟随作用!
令Us为零,保留Rs,在输出端加Uo,产生Io,。
二、基本共基放大电路,1.静态分析,2.动态分析,3.特点:
输入电阻小,频带宽!
只放大电压,不放大电流!
三、三种接法的比较:
空载情况下,接法共射共集共基Au大小于1大Ai1Ri中大小Ro大小大频带窄中宽,讨论一:
图示电路为哪种基本接法的放大电路?
它们的静态工作点有可能稳定吗?
求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。
电路如图,所有电容对交流信号均可视为短路。
1.Q为多少?
2.Re有稳定Q点的作用吗?
3.电路的交流等效电路?
4.V变化时,电压放大倍数如何变化?
讨论二,清华大学华成英,讨论二,改变电压放大倍数,2.6场效应管及其基本放大电路,一、场效应管,二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法,三、场效应管放大电路的动态分析,一、场效应管(以N沟道为例),场效应管有三个极:
源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:
截止区、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
1.结型场效应管,符号,结构示意图,导电沟道,单极型管噪声小、抗辐射能力强、低电压工作,栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用,沟道最宽,uGS可以控制导电沟道的宽度。
为什么g-s必须加负电压?
UGS(off),漏-源电压对漏极电流的影响,uGSUGS(off)且不变,VDD增大,iD增大。
预夹断,uGDUGS(off),VDD的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于uGS。
场效应管工作在恒流区的条件是什么?
uGDUGS(off),uGDUGS(off),夹断电压,漏极饱和电流,转移特性,场效应管工作在恒流区,因而uGSUGS(off)且uGDUGS(off)。
uDGUGS(off),g-s电压控制d-s的等效电阻,输出特性,预夹断轨迹,uGDUGS(off),可变电阻区,恒流区,iD几乎仅决定于uGS,击穿区,夹断区(截止区),不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。
低频跨导:
2.绝缘栅型场效应管,uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。
当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。
SiO2绝缘层,衬底,反型层,增强型管,大到一定值才开启,增强型MOS管uDS对iD的影响,用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?
iD随uDS的增大而增大,可变电阻区,uGDUGS(th),预夹断,iD几乎仅仅受控于uGS,恒流区,刚出现夹断,uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻,耗尽型MOS管,耗尽型MOS管在uGS0、uGS0、uGS0时均可导通,且与结型场效应管不同,由
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