中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案Word下载.doc
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五
六
七
八
九
总分
得分
一、填空题(每空1分,共32分)
1、 晶体二极管加一定的电压时导通,加电压时,这一导电特性成为二极管的特性。
2.PN
结处于导通状态时电阻_______,处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“Rx1K"
挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。
场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型。
管型
(1)_______
(2)_______(3)_______(4)_______
工作状态
(1)_______
(2)_______(3)_______(4)_______
6.Iceo称为三极管的_______电流,它反映三极管的_______,Iceo越_______越好。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;
画交流通路时将_______视为_______,将直流电源视为_______。
8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。
放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。
二、判断题(每题2分,共14分)
l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。
()
2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。
3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ie值。
4.共基极三极管电路只能放大电压而不能放大电流。
5.二极管一旦反向击穿就会损坏。
6.N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。
三、选择题(每题2分,共14分)
1.某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管,测得VE=-3V,VCE=6V,VBC=-5.4V,则该管是(
)
A.PNP型处于放大工作状态B.PNP型处于截止状态
C.NPN型处于放大工作状态D.NPN型处于截止状态
2.用下图所示电路测试晶体三极管时,合上开关S1、S2后,电压表读数为1.5V,毫安表没有指示,可能是下面哪一种原因?
(
A.集电极内部开路
B.发射极内部开路
C.C、E级间已击穿
D.发射结已击穿
3.判断下图所示电路反馈元件Re引进的是(
A.交流电压串联负反馈
B.交流电流串联负反馈
C.直流电压串联负反馈
D.直流电流串联负反馈
4.下图中Rb是反馈元件,引入的反馈类型是(
A.电流并联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流并联正反馈
D.电压并联正反馈
5.要求放大电路输入电阻大、输出电阻小,可采用_______。
要求放大电路输入电阻小,输出电阻大,可采用_______。
(
A.电压串联负反馈电流并联负反馈B.电压并联负反馈电流并联负反馈
C.电压串联负反馈电流串联负反馈D.电压并联负反馈电流串联负反馈
6.单管共射放大器输入正弦电压,用示波器观察到输出波形的正半周被削顶,该放大器的静态工作点设置得(
A.正常B.偏低C.偏高D.无法确定
四、综合题(第一题8分,第二题12分,第三题18分,第四题8分,共40分)
1、分析下图所示电路,试判断二极管导通还是截止?
为什么?
2、如下图(a)所示,图中若Vcc=16V,Rc=4KΩ,Rb=400KΩ,试在图(b)上用图解法求静态工作点,并求出电压放大倍数Au。
3、如下图所示放大电路中,Vcc=12V,Rb1=20KΩ,Rb2=10KΩ,Rc=Re=RL=2KΩ,β=80,VBEQ=0.6V。
(1)画出电路的直流通路和交流通路。
(2)分析当温度下降时,电路稳定工作点过程。
(3)用自己的话阐述该电路中Rb1、Rb2、Re、Ce这几个元件的作用。
(4)计算静态工作点
(5)若rbe=1KΩ,计算电压放大倍数
4.可调节的简易型恒温器如下图所示,R0为热敏电阻。
请补画缺失的电器元件,并说明工作原理。
附:
参考答案及评分标准
一.1.正向反向截止单向导电2.较小较大3.正负
4.电压栅极结型绝缘栅N
5.
(1)NPN
(2)NPN(3)PNP(4)PNP
(1)截止
(2)放大(3)放大(4)饱和
6.反向穿透电流热稳定性小
7.电容容量较大的电容短路短路(短接线)
8.越大信号电流越小带负载能力
二.×
×
√×
√
三.CBDBAB
四.1.二极管反偏截止
2.画图略
3.
(1)图略
(2)T↓→ICQ↓→IEQ↓→VEQ↓→VBEQ↑→IBQ↑→ICQ↑
(3)Rb1限流,Rb2分压,Re限流,Ce减少信号损耗
(4)VBQ=4V,VEQ=3.4V,ICQ=1.7Ma,IBQ=21.25μA,VCEQ=5.2V
(5)Au=-80
3
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