多晶清洗工艺与流程.pps
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多晶清洗工艺,工程技术中心宋文涛2008.09,摘要:
概述一次清洗(扩散前清洗)二次清洗(去磷硅玻璃清洗)操作注意事项安全注意事项,1.1整个产业链,1.2太阳能电池片的生产流程:
2.1一次清洗的目的:
a.去除切割硅片时硅片表面产生的损伤层,清除硅片表面的油类分子及金属杂质。
b.对硅片表面进行织构化处理,降低硅片表面对光的反射率。
酸制绒,继续腐蚀,继续腐蚀,扫描电镜照片,2.2绒面的作用及其陷光机理:
作用:
减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效,解释机理:
当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。
绒面减少反射的机理,2.2一次清洗设备,2.3一次清洗工艺流程:
酸制绒,漂洗,碱洗,漂洗,HF,漂洗溢流,酸洗,漂洗溢流,喷淋,2.4一次清洗中各反应原理:
制绒槽:
HF-HNO3溶液,去除表面油污、切割损伤层以及制备绒面;反应如下:
3Si+18HF+4HNO33H2SiF6+8H2O+4NO,碱洗槽:
NaOH溶液,主要中和残留在硅片表面的酸,同时发生下列化学反应:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2,酸洗槽:
HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层,反应如下:
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2OHCL,HF同一些金属离子络合,使金属离子脱离硅片表面。
3.1二次清洗的目的:
在形成PN结的扩散过程中,在硅片表面生长了一层一定厚度的磷硅玻璃,磷硅玻璃不导电,为了形成良好的欧姆接触,减少光的反射,在沉积减反射膜之前,必须把磷硅玻璃腐蚀掉。
3.2二次清洗工艺流程:
插片,HF,漂洗溢流,喷淋,3.3二次清洗腐蚀原理:
扩散中磷硅玻璃的形成:
4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2在较高的温度的时候,P2O5作为磷源与Si发生了如下反应:
2P2O5+5Si=5SiO2+4P去除SiO2SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2。
正确使用劳保用品,防患于未然,4.操做注意事项:
控制溶液倒出的速度,用力均匀,叉子和片盒要有一定的角度,轻微振动,有助于气泡释放,表面疏水时,表明已合格,均匀,缓慢,5.安全注意事项:
HNO3、HF、NaOH、HCl、都是强腐蚀性的化学药品,其溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道,所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。
一旦有化学试剂伤害了员工的身体,立即用纯水冲洗,并送医院就医。
氢氟酸:
1.六氟灵的使用2.葡萄糖软膏的使用,谢谢!
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