IRF540中文数据手册解读.docx
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IRF540中文数据手册解读
IRF540N沟道MOS管
特性
‘Thrench'工艺
低的导通内阻
快速开关
低热敏电阻
综述
使用沟渠工艺封装的
N通道增强型场效应功率晶体管
应用:
DC到DC转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。
IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)表面安装的包裹。
管脚
管脚
描述
1
Gate
2
Drain
3
Source
Tab
Drain
SOT404(DJPAK)
tab
极限值
系统绝对最大值依照限制值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
V_DSS
漏源极电压
Tj=25?
Cto175?
C
-
100
V
VDGR
漏门极电压
Tj=25?
Cto175?
C;
-
100
V
V_GS
门源极电压
RGS=20k?
-
士20
V
l_D
连续漏电流
-
23
A
Tmb=25?
C;VGS=10V
-
16
A
I_DM
脉冲漏电流
Tmb=100?
C;VGS=10V
-
92
A
P_D
总功耗
Tmb=25?
C
-
100
W
Tj,Tsig
操作点和
Tmb=25?
C
-55
175
C
存储温度
雪崩能量极限值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
Eas
非重复性雪
Unclampedinductiveload,IAS=10A;
-
230
mJ
崩能量
tp=350s;Tjpriortoavalanche=25?
C;
1
最大非重复
VDDW25V;RGS=50?
;VGS=10V;
-
23
A
1AS
性雪崩电流
refertofig:
14
热敏电阻
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
D
:
安装底座交界
-
-
1.5
K/W
Rhj_mb
处的热阻
周围环境热阻
SOT78封装,自由空间
-
60
-
K/W
Chj-a
SOT404封装,PCB上
-
50
-
K/W
电特性
25C除非另有说明
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
V(BR)DSS
漏源极崩溃电压
Vgs
=0V;ID=0.25mA
100
-
-
V
Tj:
=-55?
C
89
-
-
V
VGS(TO)
门阀电压
VDS
=Vss;ID=1mA
2
3
4
V
Tj=
175?
C
1
-
-
V
Tj:
=-55?
C
-
-
6
V
RDS(ON)
漏源极导通电阻
Vgs
=10V;ID=17A
-
49
77
mQ
Tj=
175?
C
132
193
mQ
gfs
向前跨导
Vds=25V;Id=17A
8.7
15.5
-
S
1GSS
门源极泄漏电流
Vgs=±20V;Vds=0V
-
10
100
nA
1DSS
0门极电压漏电流
VDS=100V;VGS=0V
-
0.05
10
uA
VDS=80V;VGS=0V;Tj=175?
C
-
-
250
uA
Qg(tot)
总共门极电荷
ID=17A
-
-
65
nC
Qgs
门源极电荷
VDD=80V;
-
-
10
nC
Qgd
门漏极电荷
VGS=10V
-
-
29
nC
Tdon
开启延迟时间
Vdd=50V;Rd=2.2?
;
-
8
-
ns
Tr
开启上沿时间
Vdd=10V;Rg=5.6?
-
39
-
ns
Tdoff
关闭延迟时间
Resistiveload
-
26
-
ns
Tf
关闭卜沿时间
-
24
-
ns
Ld
内部漏电感
Measuredtabtocentreofdie
-
3.5
-
nH
Ld
内部漏电感
Measuredfromdrainleadtocentre
-
4.5
-
nH
ofdie(SOT78packageonly)
Ls
内部源极电感
Measuredfromsourceleadtosource
-
7.5
-
nH
bondpad
CiSS
输入电容
Vgs=0V;Vds=25V;f=1MHz
-
890
1187
pF
CoSS
输出电容
-
139
167
pF
CrSS
反馈电容
-
83
109
pF
反向二极管极限值及特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
1S
连续源极电流
IF=28A;
-
-
23
A
1SM
脉冲源极电流
Vgs=0V
-
-
92
A
Vds
二极管正向电压
-
0.94
1.5
V
trr
反向恢复之间
If=17A;Vgs=OV;
-
61
-
ns
Qrr
反向恢复命令
-d|F/dt=100A/us;Vr=25V
-
200
-
nC
NormalisedPowerDerating,PD(%)
Fig.1.Normalisedpowerdissipation.卩。
%才00尸疔碍£“(丁韵
底座温度-自然功率降低百分比
图1:
自然功率损耗
NormalisedCurrentDerating,ID(%)
Fig.2.Normalisedcontinuousdraincurrent.ID%=1001^2^0=f(Tmb);conditions:
VGS>10V
底座温度-漏电流降低百分比
Fig.3.Safeoperatingarea.Tmb=25CC怙&価二H%);Ssinglepube;p^enieter匚
漏源极电压-脉冲漏极电流峰值
图3:
安全操作区域
Fig.4.Transientthermalimpedance,巳怡阿t>=说);parameterD=t/T
脉宽-瞬态热阻抗
Drain-SourceVoltagerVDS(V)
Fig.5.Typicaloutputcharacteristics,7}=25C二f(V°s)
漏源极电压-漏极电流
图5:
典型输出特性
Drain-SourceOnResistance,RDS(on)(Ohms)
Fig.6.Typicalon-stateresistance,T}=25CC.^DS(ON)=f(lD)
漏极电流-漏源极导通阻抗
III
nrxe■inv
厂
ILJA
I■
/
/
n
厂
175C_J
/Tj=
r-'J
//
//
*
PjF
■十
Draincurrent,ID(A)
0064208642086420
32222211111
012345678910
Gate-sourcevoltage,VGS(V)
Fig*7.Typicaltransfercharacteristics.
Id=f(VGS)
图7:
典型传递特性
Fig8Typicaltransconductance,7}二25C
9fS=f(lo)
图&典型跨导
-60-40-2002040608010Q120140160160
Junctiontemperature^Tj(C)
Normaliseddrain-sourceon-stateresistance.
^DS(On/f^DS(ON)25C=f(Tj)
图9:
漏源极导通阻抗
Fig.10.Gatethresholdvoltage.仏g=f(T);conditions:
b二1mA;J二gs
Fig.11.Sub-thresholddraincurrentlD=conditions:
T产25=C;VDS=J
10AII八屮ILIIII八W
(M110100
Drain-SourceVoltage,VDS(V)
Fig.72Typicalcapacitances,CISSiCoss,C*
C=f(VDS):
conditions:
VGS=0V;f=1MHz
00.10.20.30.40.50,60,70.S0.911.11.21,31,41.5
Source-DrainVoltage,VSOS(V)
Fig.73.Typicalreversediodecurrent,
lF=f(VSDS);conditions:
VGS=0V;parameter可
图13:
典型的反向二极管电流
Avalanchetime,(ms)
Fig.74.Maximumpermissiblenon-repetitive
avalanchecurrent(lAS)versusavalanchetime(tAV);
unclampedinductiveload
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- IRF540 中文 数据 手册 解读