正反激实验报告doc.docx
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正反激实验报告doc
正反激实验报告
篇一:
冲激响应实验报告
信号与系统实验报告
学院:
电子信息与电气工程学院
班级:
13级电信班学号:
XX1060104姓名:
李重阳
实验二冲激响应
一、实验目的
1.观察和测量RLC串联电路的阶跃响应的波形和有关参数,并研究其电路元件参数变化对响应状态的影响;
2.掌握有关信号时域的测量方法。
二、实验原理说明
实验如图2-1所示为RLC串联电路的冲激响应的电路连接图。
图2-1冲激响应电路连接示意图
其响应有以下三种状态:
(1)当电阻R>2
(2)当电阻R=2(3)当电阻R<2
L
时,称过阻尼状态;C
L
时,称临界状态;C
L
时,称欠阻尼状态。
C
C20.1μ
现将阶跃响应的动态指标定义如下:
上升时间tr:
y(t)从0到第一次达到稳态值y(∞)所需的时间。
峰值时间tp:
y(t)从0上升到ymax所需的时间。
调节
时间ts:
y(t)的振荡包络线进入到稳态值的?
5%误差范围所需的时间。
最大超调量δ:
δ
p?
ymax?
y(?
)
y?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
100%
1
数。
为了便于用示波器观察响应波形,实验中用周期方波代替阶跃信号。
而用周期方波通过微分电路后得到的尖顶脉冲代替冲激信号。
三、实验内容
1.冲激响应的波形观察
冲激信号是由阶跃信号经过微分电路而得到。
激励信号为方波,其幅度为1.5V,频率为2K。
实验电路如图2-1所示。
①连接P04与P912;
②将示波器的CH1接于TP913,观察经微分后响应波形(等效为冲激激励信号);③连接P913与P914;
④将示波器的CH2接于TP906,调整W902,使电路分别工作于欠阻尼、临界和过
阻尼三种状态;
⑤观察TP906端三种状态波形,并填于表2-1中表2-1:
2
1.欠阻尼状态
2.临界状态
3.过阻尼状态
表中的激励波形为在测量点TP913观测到的波形(冲激激励信号)。
四、实验报告要求
1.描绘同样时间轴阶跃响应与冲激响应的输入、输出电压波形时,要标明信号幅度A、周期T、方波脉宽T1以及微分电路的τ值。
2.分析实验结果,说明电路参数变化对状态的影响。
五、实验设备
1.双踪示波器1台2.信号系统实验箱1台
3
篇二:
高斯正反算实验报告
实验报告
高
斯
正
反
算
姓名:
学号:
XX4157
班级:
测绘10-1班
指导老师:
陶庭叶
目录
一、实
二、实
三、程
四、流
五、运
六、实
验目的-----------------2验内容及步骤--------2序代码-----------------4程图--------------------24算结果-----------------26验感想-----------------29
一、实验目的
1、了解高斯正反算的基本思想。
2.学会编写高斯正反算程序,加深理解。
二、实验内容及步骤
高斯投影正算公式是由大地坐标(L,B)求解高斯平面坐标(x,y),而高斯投影反算公式则是由高斯平面坐标(x,y)求解大地坐标(L,B)。
现行的高斯投影用表都是采用克拉索夫斯基椭球参数,这
次编程计算不仅采用这种椭球参数,还可以选择IAG椭球进行计算。
编程环境是在VC下,采用C++语言编写。
程序主要分为两部分,第一部分是高斯正反算函数,第二部分是主函数。
三、程序代码
1.高斯投影正算
//mydlg1.cpp:
implementationfile#include"stdafx.h"
#include"高斯正反算.h"
#include"mydlg1.h"
#include"math.h"
#defineP206264.8062471
#ifdef_DEBUG
#definenewDEBUG_NEW
#undefTHIS_FILE
staticcharTHIS_FILE[]=__FILE__;#endif
Cmydlg1:
:
Cmydlg1(CWnd*pParent/*=NULL*/):
CDialog(Cmydlg1:
:
IDD,pParent)
{
//{{AFX_DATA_INIT(Cmydlg1)
m_num1=0;
m_num2=0;
m_num3=0.0;
m_num4=0;
m_num5=0;
m_num6=0.0;
m_num7=0;
m_num8=0.0;
m_num9=0.0;
//}}AFX_DATA_INIT
}
voidCmydlg1:
:
DoDataExchange(CDataExchange*pDX){
CDialog:
:
DoDataExchange(pDX);
//{{AFX_DATA_MAP(Cmydlg1)
篇三:
老梁正反激设计总结
反激拓扑设计
反激拓扑的前身是Buck-Boost变换器,只不过就是在Buck-Boost变换器的开关管和续流二极管之间放入一个变压器,从而实现输入与输出电气隔离的一种方式,因此,反激变换器也就是带隔离的Buck-Boost变换器。
先学习下Buck-Boost变换器
工作原理简单介绍下
1.在管子打开的时候,二极管D1反向偏置关断,电流is流过电感L,电感电流iL线性上升,储存能量!
2.当管子关断时,电感电流不能突变,电感两端电压反向为上负下正,二极管D1正向偏置开通!
给电容C充电及负载提供能量!
3.接着开始下个周期!
从上面工作可以看出,Buck-Boost变换器是先储能再释放能量,VS不直接向输出提供能量,而是管子打开时,把能量储存在电感,管子关断时,电感向输出提供能量!
根据电流的流向,可以看出上边输出电压为负输出!
根据伏秒法则
vin*ton=vout*toff
ton=T*D
toff=T*(1-D)
代入上式得
vin*D=vout*(1-D)
得到输出电压和占空比的关系vout=vin*D/(1-D)
看下主要工作波形
从波形图上可以看出,晶体管和二极管D1承受的电压应力都为Vs+Vo(也就是vin+vout);
再看最后一个图,电感电流始终没有降到0,所以这种工作模式为电流连续模式(ccm模式)。
如果再此状态下把电感的电感量减小,减到一定条件下,会出现这个波形!
从上图可以看出,电感电流始终降到0后再到最大,所以这种模式叫不连续模式(DCM模式)。
把上边的Buck-Boost变换器的开关管和续流管之间加上一个变压器就会变成反激变换器!
还是和上边一样,先把原理大概讲下:
1.开关开通,变压器初级电感电流在输入电压的作用下线性上升,储存能量。
变压器初级感应电压到次级,次级二极管D反向偏置关断。
2.开关关断,初级电流被关断,由于电感电流不能突变,电感电压反向(为上负下正),变压器初级感应到次级,次级二极管正向偏置导通,给C充电和向负载提供能量!
3.开始下个周期。
以上假设C的容量足够大,在二极管关断期间(开关开通期间)给负载提供能量!
咱先看下在理想情况下的VDS波形
上面说的是指变压器和开关都是理想工作状态!
从图上可以看出Vds是由VIN和VF组成,VIN大家可以理解是输入电压,那VF呢?
这里我们引出一个反激的重要参数:
反射电压即VF,指次级输出电压按照初次级的砸比反射到初级的电压。
可以用公式表示为VF=VOUT/(NS/NP),(因分析的是理想情况,这里我们忽略了整流管的管压降,实际是要考虑进去的)
式中VF为反射电压;
VOUT为输出电压;
NS为次级匝数;
NP为初级匝数。
比如,一个反激变换器的匝比为NP:
NS=6:
1,输出电压为12V,那么可以求出反射电压VF=12/(1/6)=72V。
上边是一个连续模式(CCM模式)的理想工作波形。
下面咱在看一个非连续模式(DCM模式)的理想工作波形
从图上可以看出DCM的Vds也是由VIN和VF组成,只不过有一段时间VF为0,这段时候是初级电流降为0,次级电流也降为0。
那么到底反激变化器怎么区分是工作在连续模式(CCM)还是非连续模式(DCM)?
是看初级电感电流是否降到0为分界点吗,NO,反激变换器的CCM和DCM分界点不是按照初级电感电流是否到0来分界的,而是根据初次级的电流是否到0来分界的。
如图所示
从图上可以看出只要初级电流和次级电流不同时为零,就是连续模式(CCM);只要初级电流和次级电流同时为零,便是不连续模式(DCM);
介于这俩之间的是过度模式,也叫临界模式(CRM)。
以上说的都是理想情况,但实际应用中变压器是存在漏感的(漏感的能量是不会耦合到次级的),MOS管也不是理想的开关,还有PCB板的布局及走线带来的杂散电感,使得MOS的Vds波形往往大于VIN+VF。
类似于下图
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