工业厂区项目安全设施设计专篇.docx
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工业厂区项目安全设施设计专篇.docx
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工业厂区项目安全设施设计专篇
XXX光伏硅科技有限公司
15000t/a高纯度多晶硅材料项目
安全设施设计专篇
建设单位:
建设单位法定代表人:
建设项目单位:
建设项目单位主要负责人:
建设项目单位联系人:
建设项目单位联系电话:
(建设项目单位公章)
20xx年2月4日
XXX光伏硅科技有限公司
15000t/a高纯度多晶硅材料项目
安全设施设计专篇
设计单位:
设计单位法定代表人:
设计单位联系人:
设计单位联系电话:
(设计单位公章)
20xx年2月4日
建设项目安全设施设计专篇编制小组的人员
人员
姓名
专业名称
签字
备注
负责人
化学工程
编制人
化学工程与工艺
化学工程
给水排水
电气
土木工程
审核人
化学工程
审定人
化学工程
非常用的术语、符号和代号说明
一、术语
化学品:
指各种化学元素、由元素组成的化合物及其混合物,包括天然的或者人造的。
危险化学品:
指具有爆炸、燃烧、助燃、毒害、腐蚀等性质且对接触的人员、设施、环境可能造成伤害或者损害的化学品。
新建项目:
指拟依法设立的企业建设伴有危险化学品产生的化学品或者危险化学品生产、储存装置(设施)和现有企业(单位)拟建与现有生产、储存活动不同的伴有危险化学品产生的化学品或者危险化学品生产、储存装置(设施)的建设项目。
安全设施:
指企业(单位)在生产经营活动中将危险因素、有害因素控制在安全范围内以及预防、减少、消除危害所配备的装置(设备)和采取的措施。
作业场所:
指可能使从业人员接触危险化学品的任何作业活动场所,包括从事危险化学品的生产、操作、处置、储存、搬运、运输、废弃危险化学品的处置或者处理等场所。
危险因素:
对人造成伤亡或者对物造成突发性损坏的因素。
有害因素:
影响人的身体健康,导致中毒、疾病或者对物造成慢性损坏的因素。
危险程度:
对人造成伤亡和对物造成突发性损坏的尺度。
有害程度:
影响人的身体健康,导致中毒、疾病或者对物造成慢性损坏的尺度。
重大危险源:
长期地或临时地生产、加工、搬运、使用或贮存危险物质,且危险物质的数量等于或超过临界量的单元。
临界量:
指对于某种或某类危险物质规定的数量,若单元中的物质数量等于或超过该数量,则该单元定为重大危险源。
单元:
指一个(套)生产装置、设施或场所,或同属一个工厂的且边缘距离小于500m的几个(套)生产装置、设施或场所。
重大事故:
工业活动中发生的重大火灾、爆炸或毒物泄漏事故,并给现场人员或公众带来严重危害,或对财产造成重大损失,对环境造成严重污染。
二、符号和代号
TCS:
三氯氢硅的缩写
STC:
四氯化硅的缩写
第一章 编制说明
1.1 编制依据
1、相关法律、法规、标准、规范、规章及文件(见附录)
2、XX省安全生产监督管理局《危险化学品建设项目安全许可意见书》(一至十五期)
3、江西赣安安全生产科学技术咨询服务中心编制的《XXX光伏硅科技有限公司15000t/a高纯度多晶硅材料项目设立安全评价报告》
4、中国成达工程公司等编制的《XXX光伏硅科技有限公司LDK多晶硅项目消防专篇》
5、建设用地规划许可证
6、XXX光伏硅科技有限公司提供的美国福陆公司的相关设计文件、资料
7、其它
1.2设计范围
一、工艺生产装置(三条生产线,每条生产线能力为5000t/a高纯度多晶硅):
1、硅粉的储存、输送;
2、三氯氢硅合成;
3、三氯氢硅提纯;
4、三氯氢硅还原;
5、四氯化硅氢化(三条线合用一套装置);
6、尾气干法回收(CDI);
7、多晶硅整理;。
8、硅芯的制备;
9、工艺废料处理。
二、辅助生产装置
1、氢气制备和净化装置;
2、空压、制氮单元。
三、公用工程设施
1、循环水站;
2、全厂供配电和车间变电所;
3、锅炉房及导热油炉;
4、纯水站;
5、冷冻站;
6、三废处理;
7、仓储设施。
8、通信设施;
9、厂区供热及工艺外管;
10、道路和运输;
11、消防站。
第二章 建设项目概况
2.1建设项目内部基本情况
项目名称:
XXX光伏硅科技有限公司15000t/a高纯度多晶硅材料项目
项目地址:
XX省XX市经济开发区(马洪)
项目规模:
15000t/a高纯多晶硅
项目性质:
新建项目
投资主体:
英国开曼LDKSOLARCO.,LTD公司
建设单位:
XXX光伏硅科技有限公司
企业性质:
有限责任公司(外国法人独资)
法定代表人:
征地面积:
1002.24亩
本项目占地面积:
490000m2
总建筑占地面积:
77300m2
2.1.1主要技术、工艺和国内、外同类建设项目水平对比情况
本项目采用目前国外普遍采用的改良西门子气相沉积的化学方式来生产多晶硅。
采用先进的CDI尾气干法回收技术,可以充分地利用资源,分离出来的氢气、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅经纯化后可以循环用于生产,使混合气中的各种有用物料得到最大限度回收利用,减少原材料的补给量,有利于降低多晶硅产品的消耗。
同时,多晶硅生产系统的废气、废液、废渣排放量、排放种类大大减少,环境保护从根本上得到了保证,也减少了对环境的污染。
采用国际上成熟的热氢化技术,将四氯化硅转化为三氯氢硅,可实现四氯氢硅工厂内部消化,极大地降低了多晶硅生产的消耗。
采用高效、综合回收的精馏系统,物料消耗、能耗得到大幅度下降。
引进国外的先进的硅芯切割机来制作硅芯,确保了硅芯的品质;同时,可以大大降低硅芯在切割中的原材料消耗,进一步降低制造成本和减少废弃物的排放量。
采用大流量和高压的48对棒进口还原炉工艺技术,大幅度提高了单炉年产量,大大降低了能耗,同时土建及配套设施投资也得到了大大的降低。
先进的产品后处理技术,全部按国际标准进行生产、净化、包装和运输。
在系统综合回收减少原料损耗的基础上,设计有完善的尾气、残液处理系统和先进的废水循环处理系统,确保了各项指标均符合国家环保要求。
该工艺属引进技术,大量关健设备进口,目前是国际上普遍采用的成熟工艺,在国内同行业中属领先技术。
2.1.2建设项目所在的地理位置、用地面积和生产(储存)规模
1、建设项目所在的地理位置、用地面积情况
XXX光伏硅科技有限公司厂址位于江西XX市经济开发区,地理坐标:
东经114°55′-115°02′,北纬2749′-27°51′。
位于沪昆高速公路以北、水马公路以西。
该开发区属低山丘陵地形,山势平缓,用地范围内属冲堆积平原,地势开阔,地形平坦,制高点海拔110.9m,最大高差为65m左右,整个地势呈西北高,东南低,由北向南倾斜。
开发区北部主要为丘陵,植被很好,并有一部分水库,在地势比较平缓的地区基本上为农田。
本项目位于丘陵上,边界南侧约100m为沪昆高速,之间为空地;东侧为水马公路,沿道路有村庄(实施搬迁);西侧和北侧为开发区待建土地。
东北侧为正在建设的马洪220kV变电站;西北侧为该项目配套的1.5万t/a氯化氢生产线装置(30000t/a离子膜烧碱项目),氯化氢装置的西北侧为村庄。
本项目界区内自然场地为丘陵地带,地势起伏较大,场地已平整。
本项目征地面积约为1002.24亩(征地红线范围),占地面积490000m2。
本项目的选址已进行危险化学品建设项目安全设立评价,并取得有关部门的审核通过。
2、生产规模
本项目生产能力为15000t/a高纯度多晶硅材料。
年操作时间:
7200h/a。
运行制度:
四班三运转。
本项目中间产品为三氯氢硅、四氯化硅、氢气等,原料氯化氢、氯气由配套的1.5万t/a氯化氢生产线装置通过管道送来。
本项目各生产装置的生产规模见表2.1-1。
表2.1-1本项目各生产装置的生产规模
序号
装置名称
产品名称
生产规模
(t/a)
年操作时数
(h/a)
备注
1
高纯度多晶硅生产装置
1.1
三氯氢硅合成装置
三氯氢硅、四氯化硅
90000
7200
中间产品,三条生产线
1.2
高纯度多晶硅还原装置
多晶硅
15000
7200
产品,三条线
2
辅助装置
2.1
水电解制氢装置
氢气
1500Nm3/h
7200
中间产品
2.2
空分制氮装置
氮气(液氮)
9900Nm3/h
7200
中间产品
3、装置组成
高纯多晶硅生产厂是一套综合性装置,工厂组成包括主要生产装置、配套的生产设施和公用辅助工程设施三大部分。
主要生产装置(高纯多晶硅生产线):
1)高纯多晶硅生产线共三条,包括硅粉加料及输送、三氯氢硅合成、提纯、三氯氢硅还原,产品处理及尾气干法回收等装置。
2)四氯化硅氢化装置一套。
配套的生产设施:
1)水电解制氢装置
2)空分制氮装置
公用、辅助设施:
1)氯硅烷罐区、槽车卸车及接受站
2)硅粉仓库
3)产品仓库
4)五金配件仓库
5)备品备件仓库
6)供酸房及仓库
7)车间变电所、应急发电机
8)导热油系统
9)锅炉房及配套的柴油罐区
10)脱盐水及高纯水系统
11)冷冻水系统
12)给水系统
13)循环水系统
14)废水处理系统
15)消防水系统
16)空压站
17)废气处理系统
18)中控室
19)医务室
20)实验室
21)维修车间
22)全厂外管。
2.1.3涉及的主要原辅材料及产品的品种、名称、数量
依据对本项目的设计生产规模以及物料衡算、能量衡算,建设工程中涉及的主要原辅材料的品种名称、数量以及产品情况见表2.1-2。
表2.1-2主要原辅材料的品种名称、数量以及产品一览表
序号
名称
规格、单位
数量
备注
一
产品及中间产品
1
高纯度多晶硅
t/a
15000
产品
2
三氯氢硅
t/a
90000/145200
中间产品、合成生产能力为90000t/a,其余的为四氯化硅转化。
3
四氯化硅
t/a
95000
中间产品、TCS合成及氢还原产生
4
氢气
Nm3/h
1400
中间产品
5
氯化氢
t/a
71000
中间产品、氢还原和四氯化硅氢化产生
6
氮气
Nm3/h
2060
保护用气
二
主要原材料、燃料用量
1
硅粉
t/a
16602
纯度≥99.3%(wt)
2
氯化氢
t/a
11184
纯度:
99.99%(V%)
3
氯气
t/a
1600
纯度:
99.99%(V%)
4
去离子水
t/a
186400
电导率≤10us/cm
5
氢氧化钠
t/a
320
NaOH≥25%(wt%)
6
生石灰
t/a
21944
工业级
7
氢氟酸
t/a
720
含量≥49%(wt)
8
硝酸
t/a
3960
含量≥70%(wt)
9
氢氧化钾
t/a
48
分析纯、水电解制氢用
10
五氧化二钒
t/a
4
分析纯,水电解制氢用
11
轻柴油
t/a
102240
燃料
12
蒸气
1.1MPa(G)、t/a
91.2万
13
循环水
0.5MPa,33℃、t/a
16344万
14
自来水
0.4MPa、t/a
960万
15
电
103kwh
377.1万
16
氦气
0.65MPa(G)、103Nm3/a
16480
17
仪表压缩空气
0.8MPa(G)/103Nm3/a
22256
18
压缩空气
0.8MPa(G)/103Nm3/a
54952
2.1.4工艺流程和主要装置、设施的布局及其上下游生产装置的关系
2.1.4.1工艺流程
一、工艺流程简述
1、硅粉处理、输送
原料硅粉经吊运,通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。
硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗,经用氮气升压至与下方料斗压力平衡后,硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。
供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。
2、三氯氢硅合成
原料硅粉输送到硅粉进料仓,经计量后与氯化氢一起进入三氯氢硅流化床合成反应炉。
在三氯氢硅合成炉内,硅粉与氯化氢气体形成沸腾并发生反应生成三氯氢硅,同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、聚氯硅烷、氢气等产物,反应为放热反应。
合成炉设置有冷却系统,通过冷却系统带走热量维持反应温度。
其反应式如下:
Si+3HClSiHCl3+H2
同时伴有副反应:
Si+4HClSiCl4+2H2
Si+2HClSiH2Cl2.
反应产物先进到旋风分离器,将未反应的硅粉分离返回到流化床反应器重复利用。
合成混合气从旋风分离器上部输出,经冷凝器将混合气体中的混合氯硅烷冷凝后进入三氯氢硅分离器,H2和HCl及少量的混合氯硅烷从分离器上部分离后去合成气尾气回收系统;混合氯硅烷液从分离器底部出来经泵加压送至氯硅烷过滤器除去颗粒后进入重氯硅烷分离塔。
3、三氯氢硅提纯
1)三氯氢硅提纯和吸附
三氯氢硅提纯由蒸馏单元和一个吸附单元构成。
从重氯硅烷塔顶点出来气体的冷凝液和三氯氢硅合成尾气回收系统来的混和氯硅烷合并一起进入三氯氢硅提纯塔-1纯化单元;
三氯氢硅提纯塔-1顶部气体经冷凝器冷凝,冷凝液进三氯氢硅提纯塔-2;三氯氢硅提纯塔-1底部物料经四氯化硅提纯塔提纯后,送到四氯化硅氢化。
三氯氢硅提纯塔-2出来的物料和氢化尾气回收系统来的三氯氢硅一起进三氯氢硅提纯塔-3;
三氯氢硅提纯塔-3顶部气体经冷凝器冷凝,经加热进硼,磷吸附床后,高纯度的三氯氢硅被送去贮存作为还原炉的进料使用。
三氯氢硅提纯塔-3底部物料含少量四氯化硅和高沸点杂质进废物储罐后废物处理
2)三氯氢硅氯化和提纯
与三氯氢硅沸点相近的杂质被送到三氯氢硅氯化工序,转化成四氯化硅。
SiHCl3+Cl2SiCl4+HCl
这些杂质更容易从高沸点的四氯化硅中分离和进废物储罐后废物处理,被生产出的氯化氢回收用于流化床反应器,四氯化硅被送到四氯化硅氢化工序,转化生成三氯氢硅和回收。
从还原尾气回收单元A来的氯化物的提纯:
从还原炉的尾气干法回收所提取的混合氯化物,包含三氯氢硅和四氯化硅,经氯硅烷分离塔-1回收三氯氢硅后,再回到还原炉,四氯化硅送氢化工序。
从氢化尾气回收单元B来的氯化物的提纯:
从四氯化硅氢化炉的尾气回收所提取的混合氯化物,包含三氯氢硅和四氯化硅,经氯硅烷分离塔-2,回收三氯氢硅被送到三氯氢硅提纯塔和回收四氯化硅循环进四氯化硅转化工序。
4、三氯氢硅还原
三氯氢硅制备多晶硅即三氯氢硅在氢气气氛下在加热到1080℃的硅棒表面发生沉积反应,析出多晶硅。
经提纯后的高纯三氯氢硅,从还原尾气干法回收工序返回的氢气经缓冲罐后,通入汽化器内按一定的比例与三氯氢硅蒸汽形成混合气体,送入还原炉内。
其反应式为:
SiHCl3+H2Si+3HCl
多晶硅生产需要达到一个特定的直径,这是一种分批生产工艺,这个工艺约为65-70小时。
卸下来的硅棒料被敲碎成为块状,用作光伏行业原料。
根据气相沉淀的工艺,将会产生一些副反应,所以三氯氢硅还原制备多晶硅的统计方程式如下:
2SiHCl3+(H2)→Si+SiCl4+2HCl+(H2)
氢还原反应同时生成二氯二氢硅、四氯化硅、氯化氢,与未反应的三氯氢硅和氢气一起同时送出还原炉,经冷却后,送往还原尾气干法回收工序。
还原炉炉筒夹套通入高压热水,以移除炉内炽热的硅芯向炉筒内壁辐射的热量,维持炉内壁的温度。
出炉筒夹套的高温热水送往热能回收工序,经废热锅炉生产蒸气降温后,循环回本工序各还原炉夹套使用。
这样,充分利用了生产过程中的热能,达到节约能源的目的。
该项目采用48对硅芯的还原炉及工艺技术,达到国际先进水平。
而且还原炉的操作温度和进料流量采用全自动控制,系统自动化程度高,技术先进。
5、四氯化硅氢化
利用四氯化硅与氢气发生氢化反应生成三氯氢硅,是改良西门子法区别于传统西门子法的重要标志之一,使多晶硅厂的四氯氢硅实现了综合运用的封闭循环运转,最大程度降低物料消耗。
热氢化是利用四氯化硅在高温下加氢反应得到三氯氢硅。
经氯硅烷分离提纯工序精制的四氯化硅,送入本工序的四氯化硅汽化器并汽化。
从还原尾气干法回收工序来的氢气经缓冲罐混合后,也通入汽化器内,与四氯化硅蒸汽形成一定的比例的混合气体,进入氢化炉中。
在氢化炉内通电的炽热的碳棒表面附近,四氯化硅与H2发生氢化反应,生成三氯氢硅和氯化氢。
其反应式为:
SiCl4+H2SiHCl3+HCl
出氢化炉的含有三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢、氢气的混和气体,送往氢化尾气干法回收工序。
6、尾气干法回收(CDI)
气体干法分离回收主要由三氯氢硅合成尾气干法回收、三氯氢硅还原尾气干法回收和四氯化硅氢化尾气干法回收组成。
1)冷凝工序
此工序目的主要是气液分离。
氢化来的尾气先经尾气冷凝器降温后进入尾气热交换器再次降温,此时温度还高再用硅油去冷却,最后用氟里昂冷却-40℃,再通过分离罐后,气体部分H2、HCl去压缩工序。
液体氯硅烷去吸收工序。
2)吸收及蒸馏
自尾气热交换器来的尾气、再生气压缩机来的再生气、氢气分布站来的氢气分三路进入压缩机抽气罐,液态氯硅烷被分离出来,尾气经压缩机抽气缓冲罐进入压缩机压缩,压缩后的气体经压缩机卸载缓冲罐至冷凝器冷却,冷却后气体经压缩机卸载罐,其中液态氯硅烷被分离下来,氯硅烷送往氯硅烷缓冲罐,气体由卸载罐顶部出来送往气体中间交换器。
吸收及蒸馏工序的目的主要用于实现氯化氢(HCl)、氢气(H2)和氯硅烷(CS)的分离,其中主要设备为HCl吸收塔和H以HCl蒸馏塔以及相应的冷凝、再沸器等设备。
HCl吸收塔及相关设备的作用主要用于分离气态氢气和液态HCl、CS;HCl蒸馏塔及相关设备的作用主要用于分离在HCl吸收塔工段没有分离的液态HCl和CS。
通过吸收及蒸馏工序基本实现这三种化合物的分离,分离后的HCl、H2和CS经过进一步提纯或蒸馏处理即可作为氢化、还原和TCS合成工序的反应物。
3)H吸附工序
来自吸收工序分离出来的氢气原料气在一定温度、压力下,进入一个处于吸附状态的吸附塔作吸附工作。
原料气自下而上通过其中正处于吸附状态的吸附塔,由其内部的吸附剂进行选择性的吸附,原料气中大部分氢气组分在经过吸附后未被吸附,在吸附压力下从吸附器顶端流出,再通过过滤器出来,再经过一在线分析器分析气体纯度,合格后可送CVD工序,如有过量的返回做再生清洗气。
冷热循环系统是冷热液泵从膨胀罐中抽取硅油做传输进冷凝器进行冷凝。
硅油冷却后传输给吸附塔作冷却工作。
同时热热液泵从膨胀罐中抽取硅油做功传输进入加热器进行加热。
硅油受热后传输给吸附塔作加热工作。
备用泵是当冷热液泵或热热液泵出现故障不能正常工作时,切换到备用泵进行正常工作。
吸附后气体送往排放处理装置处理。
7、多晶硅整理
1)多晶硅卸料
还原炉中的多晶硅棒由机械手取出,用专用小车将硅棒送至整理车间。
同时在此过程中按照国家标准和用户要求对每炉产品进行取样,分析多晶硅的型号、电阻率、施主、受主杂质含量、碳含量、寿命及体内金属含量等指标。
2)多晶硅破碎
在硅棒破碎间内利用可移动式机械手将硅棒放至破碎台,通过敲击将多晶硅棒破碎。
破碎了的硅块需要进行分选,将含石墨头部分人工选出。
含石墨头料进入头尾料处理程序,产品进行表面金属杂质含量分析。
按是否达标分别进入包装工序。
3)包装
由于产品是供LDK太阳能高科技有限公司使用,所以产品采用专用的不锈钢包装盒计量包装。
对表面金属杂质分析不达标的头尾料,须分开包装送LDK太阳能高科技有限公司清洗后使用。
8、硅芯的制备
采用硅芯炉拉制与切割并用的技术,加工制备还原生产时需要的导电硅芯。
1)专用硅棒φ70~80mm,长度2500mm,经过切除头尾后约2400mm,送硅芯切割机,切割成8×8mm或9×9mm的方形硅芯。
配料好的硅芯送至硅棒酸洗间酸洗、干燥,放至硅芯干燥箱内待用。
2)将切割好的硅芯料送到硅芯酸洗间酸洗、清洗、干燥后,送至硅芯拉制工段,硅芯炉拉制规格为φ8×2500mm的硅芯,最后将硅芯送至硅棒酸洗间酸洗干燥后,放至硅芯干燥箱内待用。
3)石墨的处理:
将外购石墨件清洁表面后,送到高温真空煅烧炉处理,降温完成后,再将石墨件送到石墨烘箱保存待用。
9、工艺废料处理
1)废气净化
三氯氢硅提纯工序各精馏塔顶排放的含氯硅烷、氮气的废气,及含氯硅烷、氢气、氮气、氯化氢的多晶硅还原炉置换吹扫气和氯氢化装置、还原尾气回收装置、多晶硅还原炉的事故排放气,被送进残液收集槽,用10%NaOH洗涤,废气中的氯硅烷(以SiHCl3为例)和氯化氢与NaOH发生以下反应形成无害的物质而被除去:
SiCl4+H2O=SiO2+4HCl
SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2
H2SiO3+2NaOH=Na2SiO3+2H2O
2HCl+NaOH=2NaCl+2H2O
氢气从淋洗塔顶部经阻火器放空。
尾气洗涤塔釜洗涤液用泵送至尾气洗涤塔顶循环使用,此后,将含有NaCl、HCl、SiO2、H2SiO3、Na2SiO3和未反应NaOH的部分液体抽出送往全厂污水处理车间,同时向塔釜内补充新鲜NaOH溶液。
2)蒸馏釜残液处理
在三氯氢硅合成过程中,除了生成三氯氢硅的主反应外,同时发生生其他副反应,排出一定量的废液,将其送到本工序加以处理。
另外,装置停车放净的氯硅烷液体也需送入本工序。
需要处理的液体被送入残液收集槽。
用蒸汽将其气化后送入淋洗塔,用10%NaOH洗涤,废气中的氯硅烷(以SiHCl3为例)和氯化氢与NaOH发生以下反应,转化成无害的物质除去:
SiCl4+H2O=SiO2+4HCl
SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2
H2SiO3+2NaOH=Na2SiO3+2H2O
2HCl+NaOH=2NaCl+2H2O
氢气从槽顶逸出,经过阻火器放空。
用泵从槽底抽出含NaCl、HCl、SiO2、H2SiO3、Na2SiO3和未反应NaOH的液体,送往全厂污水处理车间。
3)酸洗液的处理:
将硅芯制备和硅芯检验用的酸洗废液主要是氢氟酸、硝酸,收集到酸液处理槽,用10%的氧化钙溶液中和处理,生成氟化钙和硝酸钙,然后将这些溶液过滤,固体物送到厂内专用渣场堆放。
二、工艺流程简图
2.1.4.2主要装置(设备)、设施的布局及其上下游关系
本项目总图设计的装置为:
1、主生产装置
三氯氢硅(TCS)装置:
三氯氢硅合成、提纯装置;三氯氢硅尾气处理装置;氯化氢吸收装置;气体回收装置;导热油炉。
多晶硅装置:
还原炉;氢化炉;还原炉-氢化炉尾气回收装置;冷冻站;应急泄放系统;尾气处理系统;控制室。
2、配套设施:
水电解制氢、净化装置;氮气站等。
3、公用工程:
实验室;管廊和电缆桥架;电气室;HVAC冷冻站;厂区变电站和配电站;氯硅烷罐区/NaOH储罐;多晶硅应急发电机组;行政办公楼和餐厅;消防站;维修厂房;消防蓄水池;锅炉房;废水处理装置;循环冷却水系统,软水制水系统;厂区用水系统;空气压缩干燥系统;燃料油系统等。
一、总平面布置
1、功能划分
本项目主要由以下区域设施组成:
1)生产区:
三氯氢硅合成车间、三氯氢硅精馏
- 配套讲稿:
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- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 工业 厂区 项目 安全 设施 设计