电子技术复习题1.docx
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电子技术复习题1.docx
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电子技术复习题1
电子技术总复习
一、填空
1.P型半导体中的多数载流子是(空穴);N型半导体中的多数载流子是(自由电子)。
2.半导体二极管有硅管和锗管之分。
硅二极管的正向导通电压为(0.6)~(0.8)V,死区电压为(0.5)V;锗二极管的正向导通电压为(0.2)~(0.3)V,死区电压为(0.1)V。
3.半导体二极管具有单向导电性。
加(正)向电压时导通;加(反)向电压时截至。
硅二极管的正向导通电压为(0.6)~(0.8)V;锗二极管的正向导通电压为(0.2)~(0.3)V。
4.某稳压管的稳定电压UZ=5V,最大耗散功率PZM=100mW,则其最大稳电流IZM=(20)mA。
5.某稳压管的稳定电压UZ=6V,最大稳定电流IZM=20mA,则其最大耗散功率PZM=(120)mW。
6.晶体管有(集电)极、(基)极和(发射)极三个电极,分别用字母(C)、(B)和(E)表示。
7.晶体管的输出特性曲线可分为(放大)区、(截止)区和(饱和)区。
晶体管处于放大区的条件是发射结(正)向偏置,集电结(反)向偏置。
8.电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。
测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。
则晶体管﹝a﹞工作于(饱和)状态,晶体管﹝b﹞工作于(截止)状态,晶体管﹝c﹞工作于(放大)状态。
9.放大电路如图﹝a﹞所示,其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示,图中Q为静态工作点。
则晶体管β=(50),静态IC=(2mA),UCE=5V,电阻RB≈(250kΩ),RC=(2.5kΩ),最大不失真输出电压Uom=(3V)。
10.理想运算放大器的理想化条件是Auo→(∞),rid→(∞),rod→(0),KCMRR→(∞)。
11.负反馈放大电路有(串联电压)负反馈、(串联电流)负反馈、(并联电压)负反馈和(并联电流)负反馈四种类型。
12.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是:
(1)(相位)条件,即必须是(正)反馈;
(2)(幅度)条件,即
(1)。
13.在单相半波整流电路中,设整流变压器副边电压有效值为10V,则整流电压的平均为(4.5)V,二极管承受的最大反相电压为(14.1)V,若负载电流平均值为2A,则流过二极管的电流平均值为(4.44)A。
14.设整流变压器副边电压有效值为U。
单相半波整流电路整流电压的平均值为(0.45)U,二极管承受的最大反相电压为(√2)U;单相全波整流电路整流电压的平均值为(0.9)U,二极管承受的最大反相电压为(2√2)U;单相桥式整流电路整流电压的平均值为(0.9)U,二极管承受的最大反相电压为(√2)U。
157页
15.在图1.1(a)的串联型稳压电路中,已知UZ=5V,晶体管T的UBE=0.7V,则UO=(4.3)V。
在图1.1(b)的串联型稳压电路中,已知UZ=5V,UXX=5V,则UO=(10)V。
16.有0出1,全1出0是(与非)门的逻辑特点。
17.将逻辑式
化简后的结果为Y=(A)。
18.将十进制数(27)10转换为二进制数为(11011)。
19.在决定一件事情的条件中,全部条件满足结果才发生的逻辑关系称为(与门)逻辑。
20.在决定一件事情的条件中,只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为(或门)逻辑。
21.测得某逻辑电路的输入变量A、B和输出变量Y的波形如图1.2所示,则Y=(AB)。
22.触发器有单稳态触发器、双稳态触发器和无稳态触发器之分。
D触发器属于(双稳态)触发器,JK触发器属于(双稳态)触发器,时钟脉冲发生器属于(无稳态)触发器。
二、选择
1.对半导体而言,其正确的说法是(C))。
A.P型半导体由于多数载流子为空穴,所以它带正电;
B.N型半导体由于多数载流子为自由电子,所以它带负电;
C.P型半导体和N型半导体本身都不带电。
2.附图所示电路的二极管是理想器件,AO两端的电压UAO为(C)。
A.4V;B.-4V;C.-10V;D.14V。
3.在图示电路中,二极管D1、D2、D3的工作状态为(B)。
A.D1、D2截止,D3导通B.D1导通,D2、D3截止
C.D1、D2、D3均导通D.D1、D2、D3均截止
4.在图示电路中,二极管D1、D2、D3的工作状态为(A)。
A.D1、D2截止,D3导通B.D1导通,D2、D3截止
C.D1、D2、D3均导通D.D1、D2、D3均截止
5.在图示电路中,稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V,稳压管的正向压降忽略不计,则UO=(A)。
A.5VB.7VC.0V
6.在图示电路中,稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V,正向压降忽略不计,则UO=(A)。
A.5VB.7VC.0V
7.NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位(A)。
A.VC>VB>VEB.VC<VB<VEC.VC>VB<VE
8.PNP型晶体管处于放大状态的条件是(B)。
A.VC>VB>VEB.VC<VB<VEC.VC>VB<VE
9.测得某放大电路中某PNP晶体管三个极的电为分别为-9V,-6.2V,-6V,则-6.2的那个极为(B)极。
A.集电极;B.基极;C.发射极;
10.测得某放大电路中的某NPN晶体管三个极的电位分别为9V,2.5V,3.1V,则这三个极分别为(D)。
A.C,B,E;B.E,B,C;C.E,C,B;D.C,E,B。
11.对某电路中一个NPN晶体管进行测试,测得UBE>0,UBC<0,UCE>0,则该管工作在(A)。
A.放大区;B.饱和区;C.截止区。
12.晶体管的控制方式为(D)。
A.输入电压控制输出电压;B.输入电压控制输出电流;
C.输入电流控制输出电压。
D.输入电流控制输出电流。
13.在固定偏置共发射极放大电路中,当减小RB时,(C)。
A.集电极静态电流减小,集电极与发射极之间的静态电压减小;
B.集电极静态电流减小,集电极与发射极之间的静态电压增大;
C.集电极静态电流增大,集电极与发射极之间的静态电压减小;
D.集电极静态电流增大,集电极与发射极之间的静态电压增大。
14.射极输出器(A)。
A.有电流放大作用,没有电压放大作用;
B.有电压放大作用,没有电流放大作用;
C.有电流放大作用,也有电压放大作用;
D.没有电流放大作用,也没有电压放大作用。
15.若将分压式偏置放大电路中的发射极旁路电容去掉,则其交流电压放大倍数的绝对值(B)。
A.增大;B.减小;C.不变。
16.采用差动放大电路的目的是为了(B)。
A.电压放大B.抑制零漂C.增强带负载能力
17.图2.1所示的差分放大电路的电压放大倍数Ad=
为(A)。
A.
B.
C.
D.
18.OTL功率放大电路的低频响应(B)。
A.比OCL功率放大电路好
B.比OCL功率放大电路差
C.与OCL功率放大电路一样好
19.OCL功率放大电路的低频响应(A)。
A.比OTL功率放大电路好
B.比OTL功率放大电路差
C.与OTL功率放大电路一样好
20.在图示的运算放大器电路中,IL=(C)。
A.
B.
C.
21.射极输出器属于(B)负反馈。
A.串联电流;B.串联电压;C.并联电流;D.并联电压。
22.在图示的运算放大器电路中,UO=(B)。
A.15VB.7.5VC.30V
23.反相比例运算电路属于(D)负反馈。
A.串联电流B.串联电压C.并联电流D.并联电压
24.同相比例运算电路属于(B)负反馈。
A.串联电流B.串联电压C.并联电流D.并联电压
25.某测量放大电路,要求输入电阻高,输出电流稳定,应引入(A)负反馈。
A.串联电流B.串联电压C.并联电流D.并联电压
26.在单相半波整流电容滤波电路中,设整流变压器二次电压有效值为U,二极管承受的最大反向电压为(B)U。
A.
;B.
;C.
;D.
。
27.在下面A、B、C各图中,Y恒为0的是图(C)。
28.与
相等的为(B)。
A.
B.
C.
29.将
化简后得(A)。
A.
B.
C.
30.二进制数(101011),可转换十进制数(A)。
A.(43)10;B.(33)10;C.(65)10;D.(23)10。
31.与
相等的是(B)。
A.
;B.
;C.
;D.
。
三、正误判断题
1.半导体二极管加正向电压时一定导通。
2.半导体二极管加反向电压时一定截止。
3.稳压二极的动态电阻越小,稳压性能越好。
4.硅稳压二极管正向导通时的正向压降为0.6~0.8V。
5.晶体管集电极电流超过ICM,晶体管必定损坏。
6.晶体管无论工作于饱和、截止还是放大状态,其集电极电流均为基极电流的β倍。
7.运算放大器无论工作在线性区还是非线性区,都有
和
的结论。
8.运算放大器只有工作于线性区时,才有
和
的结论。
9.阻容耦合放大电路既可放大交流信号,也可放大直流信号。
10.直接耦合放大电路既可放大交流信号,也可放大直流信号。
11.放大器的输出电阻越小,负载能力越强。
12.放大器的输入电阻越大,取信号源的电流就越小,信号源的内阻压降也越小。
13.共发射极放大电路电压放大倍数的绝对值总是大于1的。
14.射极输出器具有输入电阻大输出电阻小的特点。
15.反相比例运算电路电压放大倍数的绝对值既可大于1也可小于1。
16.射极输出器的反馈类型为电流串联负反馈。
17.同相比例运算电路的电压增益只能大于或等于1。
18.串联负反馈增大输入电阻,并联负反馈减小输入电阻。
19.电流负反馈增大输出电阻,电压负反馈减小输出电阻。
20.负反馈放大电路只能减小失真而不能消除失真。
21.负反馈放大电路能提高放大倍数的稳定性。
22.负反馈放大电路能完全消除波形失真。
23.在单相桥式整流电路中,无论带电容滤波或不带电容滤波,二极管承受的最大反向电压均为整流变压器二次侧电压的
倍。
24.组合逻辑电路的输出状态不仅与当前的输入状态有关,而且与厡输出状态有关。
25.时序逻辑电路的输出状态不仅与当前的输入状态有关,而且与厡输出状态有关。
26.把或非门当非门使用时,不用的输入端应接地,或把所有的输入端接在一起,作为非门的输入端。
27.把与非门当非门使用时,应将多余的输入端悬空或接高电平,或把所有的输入端接在一起,作为非门的输入端。
28.寄存器也可以由单稳态触发器或无稳态触发器组成。
29.计数器也可以由单稳态触发器或无稳态触发器组成。
四、4解析题
1.放大电路如图。
已知RB1=270kΩ,RC=3kΩ,UC=6V,UBE=0.6V,晶体管的β=50。
(1)求静态IB、IC和UCE;
(2)求晶体管的输入电阻rbe;
(3)画出放大电路的微变等效电路;
(4)求电压放大倍数Au;
(5)求放大电路的输入电阻ri和输出电阻ro。
解
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
,
2.放大电路如图2.1所示。
已知
V,
kΩ,
kΩ,
kΩ,
kΩ,
kΩ,
,UBE=0.6V。
(1)估算电路的静态工作点(IB、IC、UCE);
(2)画出电路的微变等效电路;
(3)求晶体管的输入电阻rbe;
(4)求电压放大倍数Au;
(5)求输入电阻ri和输出电阻ro。
解
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
,
3.在图示的射极输出器中,已知RB=100kΩ,RE=1kΩ,RS=1kΩ,晶体管的β=100,rbe=1kΩ。
(1)画出微变等效电路;
(2)求电压放大倍数Au;
(3)求输入电阻ri和求输出电阻ro。
3.试用运算放大器实现
运算。
(1)画出运算电路;
(2)计算各电阻的阻值(设RF=100kΩ)。
解:
(1)
(2)
,
4.试用运算放大器实现
运算。
(1)画出运算电路;
(2)计算各电阻的阻值(设RF=100kΩ)。
解:
(1)
(2)
,
5.模拟运算电路如图3.3所示。
试求:
(1)uo1的表达式;
(2)uo2的表达式;
(3)uo的表达式。
6.模拟运算电路如图所示。
试求:
(1)uo1的表达式;
(2)uo2的表达式。
7.整流电路如图所示。
试求:
(1)整流电压平均值UO1和UO2;
(2)二极管D1、D2、D3中的平均电流ID1、ID2、ID3;
(3)二极管D1、D2、D3承受的最高反向电压UDRM1、UDRM2、UDRM3。
8.求图示直流稳压电路输出电压UO的表达式、最小输出电压UOmin和最大输出电压UOmax。
解:
由图可得
9.写出图示逻辑电路的逻辑表达式,列出状态表,并分析逻辑功能。
10.试设计一逻辑电路供A、B、C三人表决用。
每人有一电键,赞成者按电键,表示1;不赞成者不按电键,表示0。
若多数赞成,则Y=1;否则Y=0。
解
(1)列状态表
(2)写逻辑式并化简
(3)画逻辑图
11.在图(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)各触发器中,时钟脉冲C的波形如图。
试分别画出输出端Qa、Qb、Qc、Qd、Qe、Qf的波形。
设他们的初始状态均为0。
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