模拟电子复习题.docx
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模拟电子复习题
模拟电路复习题第一章
一:
填空题
1.半导体三极管处在饱和状态时,e结和c结的偏置情况是___________
2.将PN结的N区接电源的正极,P区接电源的负极,则为PN结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN结加正偏导通,加反偏截止,称为PN结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管,知β=50,测得其IE=2.04mA,忽略穿透电流,则其IB为________________mA。
6.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位________________。
7.N型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的,其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管,知IB=0.02mA,β=50,忽略其穿透电流,则IE=_________mA。
9.图示电路中,二极管导通时压降为0.7V,若UA=0V,UB=3V,则UO为________。
10.PN结反向偏置时,应该是N区的电位比P区的电位__________
11.某放大状态的晶体三极管,当IB=20μA时,IC=1mA,当IB=60μA时,IC=3mA。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路,二极管VD1,VD2为理想元件出,则UAB为_________伏。
二:
选择题
1.PN结加反向偏置时,其PN结的厚度将( )
A.变宽B.变窄
C.不变D.不能确定
2.理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u0为( )
A.-10V
B.-6V
C.-4V
D.0V
3.NPN型三级管,处在饱和状态时是( )
A.UBE<0,UBC<0
B.UBE>0,UBC>0
C.UBE>0,UBC<0
D.UBE<0,UBC>0
4.某放大状态的三极管,测得各管脚电位为:
①脚电位U1=2.3V,②脚电位U2=3V,③脚电位U3=-9V,则可判定( )
A.Ge管①为eB.Si管③为e
C.Si管①为eD.Si管②为e
5、在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体是()
A)带正电B)带负电C)不带电D)不能确定
6、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为()
A)放大状态B)截止状态C)饱和状态D)不能确定
7.加在二极管上的正向电压从0.65V增大10%,流过的电流增大量为()
A)大于10%B)小于10%C)等于10%D)不变
8.半导体三极管的特点是()
A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压
C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流
9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U1=3.2V,U2=2.5V,U3=12V,则()
A.该管为硅管
B.1为基极,2为发射极,3为集电极
C.该管为NPN型
D.该管为PNP型
E.1为集电极,2为基极,3为发射极
10.理想二极管构成的电路如题2图,该图是()
A.V截止U0=-4V
B.V导通U0=+4V
C.V截止U0=+8V
D.V导通U0=+12V
11.某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在()
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.无法确定伏态
12.对半导体三极管,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )。
A.放大状态 B.截止状态
C.饱和状态 D.无法确定
13.半导体三极管处在放大状态时是()
A.C结正偏e结正偏B.C结反偏e结反偏
C.C结正偏e结反偏D.C结反偏e结正偏
14.理想二极管构成的电路如题2图,则输出电压U0为()
A.-18V
B.-3V
C.+3V
D.+15V
15.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )
A.本征半导体B.温度
C.杂质浓度D.掺杂工艺
16.理想二极管构成的电路如题2图所示,则( )
A.V截止U0=-10V
B.V截止U0=-3V
C.V导通U0=-10V
D.V导通U0=-6V
17.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在( )
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.状态不能确定
18以下几项中,错误使用三极管的是()。
A.温度高的工作场合使用硅管B.导通结电压要求低的场合使用锗管
C.硅管锗管不直接互换D.尽量选用反向电流大的管子
19.某三极管接在电路上,它的三个管脚的电位分别为U1=-12V,U2=-5.2V,U3=-5V,则对应该管的管脚排列依次是()。
A.E、B、CB.B、C、E
C.B、E、CD.C、B、E
模拟电路复习题第二章
一:
填空题
1.单相桥式整流电路输出平均电压为20V,负载RL=40Ω,则变压器副边电压有效值为______V。
2.单相桥式整流电路输出平均电压为30V,则变压器副边的电压有效值为_______V。
3.不加滤波器的由理想二极管组成的单相桥式整流电路的输出电压平均值为9V,则输入正弦电压有效值应为______.
4在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为U2,若负载开路,则每只整流二极管承受的最高反向电压是_______。
5.如果单相桥式整流电路输入电压的有效值为U2,则输出电压的平均值
为,则二极管截止时承受的反向电压的最大值为。
6.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的_________区。
7.单相桥式整流电路输出平均电压为36V,则变压器付边电压有效值为_________V。
8.单相桥式整流电路中,流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的___________。
二:
选择题
1.在输出电压平均值相等时,单相桥式整流电路中的二极管所承受的最高反向电压为12V,则单相半波整流电路中的二极管所承受的最高反向电压为:
()
A)12VB)6VC)24VD)8V
2.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V(有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为( )
A.10VB.
V
C.
VD.20V
3.分析如图所示电路,设电路正常工作,当电网电压波动而使UI增大时(负载不变),IR将增大,则IW将()
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
4.单相桥式整流电路,变压器次级电压为10V(有效值),则整流后的输出直流电压为()
A.4.5VB.9V
C.10VD.12V
5.单相桥式整流电容滤波电路中,变压器次级电压为20V(有效值),则滤波后的输出直流电压为()
A.9VB.20V
C.24VD.40V
6.单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为()
A.15VB.21.21V
C.30VD.42.42V
7.下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是()。
三:
分析题
1.试画出一个由单相桥式整流、电容滤波、三端集成稳压器组成的典型直流稳压电源的电路图,要求输出电压为+5V。
(6分)
2.试设计一个使用交流220V,输出为-9V,采用桥式整流电路、电容滤波电路和三端稳压集成块的直流稳压电源,请在虚框内画出相应的零件,不必标注零件参数。
3.有一单相半波整流电路如图所示,负载RL=2kΩ,要求输出平均电压UO=40V,试求:
(1)变压器副边电压U2;
(2)流过二极管的平均电流ID。
模拟电路复习题第三章
一:
填空题
1.在放大电路中,若负载电阻RL越大,则其电压放大倍数________________。
2.阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种放大电路,既能放大交流信号又能放大直流信号的是________________耦合放大电路。
3.射级输出器的输出电压
与输入电压
相位_______,电压放大倍数近似等于1,且略小于1,故又称为射级跟随器。
4.多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要_______。
5.三种组态的基本放大电路进行比较,输入电阻最大的是共_______极放大电路。
6.信号源的内阻RS越大,则放大电路的源电压放大倍数|Aus|将_________。
7.放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载后的电压放大倍数________(大,小)。
8.放大电路的非线性失真,是由于晶体管工作时进入_________引起的。
9.共集放大电路可用作________、低阻输出级和中间隔离级等用途。
10.放大器的下限截止频率和上限截止频率之间的频率范围称作________。
11.两级放大电路,考虑到级间的相互影响后,知Au1=100,Au2=100,则两级总的电压放大倍数用分贝(dB)表示为___________dB。
12.三种组态的放大电路中,u0与ui相位相反的是共___________极放大电路
13.要放大频率f=0.5Hz的正弦信号,应选用________耦合的放大电路。
14.在共射放大电路中,若负载电阻RL愈大,则其电压放大倍数的值______。
15.基本共射放大电路,若使其偏置电阻RB增大(电路其他参数不变),则ICQ将________。
二:
选择题
1.多级直流放大电路各级都会产生零点漂移,但抑制零点漂移的重点放在()
A)中间级B)最末级C)第一级D)那一级都行
2.NPN型晶体管构成的共射极放大电路,当Rb减小时,Ic将:
()
A)减小B)增加C)不变D)不能确定
3.两极放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5Mv,则输出电压Uo为()
A)-200MvB)-250mVC)10VD)100V
4.图示为共射极放大电路的输出波形,其失真属于( )
A.交越失真 B.截止失真
C.饱和失真 D.线性失真
5.NPN型三极管工作于饱和状态时,三个电极的电位关系为()
A.UB>UC,UB>UEB.UE>UC,UC>UB
C.UC>UB>UED.UE>UB>UC
6.图示电路,若β=100,UBE=0.7伏,则静态基极电流IBQ等于()
A.6μA
B.8μA
C.9.5μA
D.10.5μA
7.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U1=3.2V,U2=2.5V,U3=12V,则()
A.该管为硅管
B.1为基极,2为发射极,3为集电极
C.该管为NPN型
D.该管为PNP型
E.1为集电极,2为基极,3为发射极
8.固定偏流放大电路中,当基极偏流电阻RB减小时()
A.基极电流增大B.电压放大倍数增加
C.集电极电流增大D.交流输出电阻增加
E.rbe减小
9.NPN型三极管处在放大状态时是()
A.UBE<0,UBC<0B.UBE>0,UBC>0
C.UBE>0,UBC<0D.UBE<0,UBC>0
10.由NPN型管组成的共射放大电路,输入ui为正弦波,输出u0为波形,则该电路产生了()
A.频率失真B.交越失真
C.截止失真D.饱和失真
11.两级放大电路,考虑到级间的相互影响后,|Au1|=100,|Au2|=1000,则两级总的电压放大倍数用分贝表示为()
A.60dBB.80dB
C.100dBD.120dB
12.三种组态的放大电路中,共射放大电路的特点是( )
A.既能放大电压也能放大电流信号
B.只能放大电压不能放大电流信号
C.只能放大电流不能放大电压信号
D.只能放大功率不能放大电压信号
13.对半导体三极管,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )。
A.放大状态 B.截止状态
C.饱和状态 D.无法确定
14.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻RL增大时,电压放大倍数将()
A.减少B.增大
C.保持不变D.大小不变,符号改变
15.在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时,则该管工作状态为()
A.饱和B.截止
C.放大D.不能确定
16.某放大状态的三极管,测得其管脚电位为:
①脚u1=0V,②脚u2=-0.7V,③脚u3=6V,则可判定该管为()
A.NPN型①是e极B.NPN型③是e极
C.NPN型②是e极D.NPN型①是c极
17.由NPN型管构成的基本共射放大电路,当输入ui为正弦波时,在示波器上观察输出u0的波形如题5图示,则该电路产生了()
A.频率失真
B.交越失真
C.饱和失真
D.截止失真
18.三种组态的放大电路中,共集电极放大电路的特点是()
A.能放大电流能放大电压B.能放大功率不能放大电压
C.能放大功率不能放大电流D.能放大电压不能放大电流
19.图示电路中,用万用表测量三极管的基极电位比集电极电位高,当输入信号Ui为正弦波时,输出信号
的波形为()
20.某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V,+1.4V,+1.6V,则该晶体管是()。
A.工作在放大区的NPN硅管
B.工作在饱和区的NPN硅管
C.工作在截止区的NPN硅管
D.工作在饱和区的PNP锗管
21.某单级放大电路的通频带为
,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总的通频带
应是( )
A.
=2
B.
>
C.
>2
D.
<
22.三极管的主要参数UCEO其定义是 ()。
A.集电极—发射极反向击穿电压B.集电极—发射极正向压降
C.基极—发射极正向压降D.集电极—发射极反向饱和电流
23.以下几项中,错误使用三极管的是()。
A.温度高的工作场合使用硅管B.导通结电压要求低的场合使用锗管
C.硅管锗管不直接互换D.尽量选用反向电流大的管子
三:
分析题
指出电路,能否实现正常电压放大作用?
并说明理由。
四:
计算题
1.下图所示放大电路中,已知Ucc=12V,UBEQ=0.6V,β=50,现要求UCE=6V,Ic=2mA,求RB,RC的阻值。
2.放大电路如题31图,已知管子的UBEQ=0.7V,rbe=0.9kΩ饱和压降Uces=1V,β=50,C1,C2,CE对交流短路,试估算:
(1)静态量ICQ,UCEQ;
(2)电压放大倍数Au,输入电阻ri;
(3)最大不失真输出电压幅值UOM。
3.电路如下图所示,rbe=2KΩ,β=50,其他参数如图,求:
(1)计算电压放大倍数
u的值
(2)画微变等效电路
4.放大电路如题27图所示,已知UCC=15V,RB=300KΩ,RE=RL=6KΩ,uBEQ=0.7V,β=50,rbe=1.4KΩ。
(1)计算IBQ、UCEQ;
(2)计算电压放大倍数Au=
;
(3)写出输出电阻ro和输入电阻ri的表达式。
5.(本题8分)由硅管组成的放大电路如图所示,UCC=12V,RB1=150k,RB2=50k,RE=11k,RC=RL=2k,β=60,UBE=0.6V。
求;
①静态工作点IC,UCE;
②电压放大倍数Au,输入电阻ri。
模拟电路复习题第四章
一:
填空题
1.要使放大电路的输入电阻小输出电阻增大,在放大电路中应引入______负反馈。
2.正弦波振荡器起振的幅值条件是________。
3.产生正弦波振荡的幅值平衡条件是___________。
4.我们常用的LC正弦波振荡电路主要是变压器反馈式振荡电路和________式振荡电路。
5.正弦波振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置。
只所以能输出信号,是因为电路满足了________________条件。
6.为使某放大电路的输入电阻提高,而且能稳定输出电流,则该放大电路应引入_______负反馈。
7.正弦波振荡的相位平衡条件是_______。
8.射极输出器存在负反馈,其作用是使输入电阻,输出电阻。
其电压放大倍数约为。
9.电压并联负反馈改善放大电路性能至少有以下二点:
______________________
二:
选择题
1.串联负反馈使放大电路输入电阻()
A)增加B)不变C)减小D)确定
2.若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈类型为( )
A.电流串联B.电流并联
C.电压串联D.电压并联
3.电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管,其等复合管β值约为( )
A.β1B.β2
C.β1+β2D.β1·β2
4.欲构成一个正弦波放大器,其电路的组成部分应包括()
A.放大器B.正反馈网络C.负反馈网络
D.选频网络E.稳幅环节
5.引入负反馈可以改善放大器的性能指标,具体改善为()
A.提高放大倍数的稳定性B.减小放大器环内噪声
C.减小放大器的非线性失真D.增大放大器的频带宽度
E.提高放大器的放大倍数
6.图示电路,RF引入了()
A.串联电流负反馈
B.串联电压负反馈
C.并联电压负反馈
D.正反馈
7.希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流,应引入( )负反馈。
A.电压串联 B.电压并联
C.电流串联 D.电流并联
8.为了稳定放大电路的输出电流并提高输入电阻,应采用()。
A.串联电压负反馈
B.并联电流负反馈
C.串联电流负反馈
D.并联电压负反馈
9.要使正弦波振荡电路稳定地工作,则必须满足()。
A.起振条件B.平衡条件
C.稳定条件D.起振、平衡、稳定条件
10.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且带负载能力强,在放大电路中应引入的负反馈类型为( )
A.电流串联B.电压串联
C.电流并联D.电压并联
11.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波,主要是依靠振荡器中的( )
A.正反馈环节B.稳幅环节
C.基本放大电路环节D.选频网络环节
12.若要求放大电路输入电阻低,且稳定输出电流,在放大电路中应引入的负反馈类型为()
A.电流串联B.电流并联
C.电压串联D.电压并联
13.图示LC振荡电路,为了满足振荡的相位条件,应将()
A.1与4连接,2与5连接
B.1与5连接,2与4连接
C.2与3连接,4与5连接
D.1与3连接,2与4连接
三:
分析题
1.试判断图示电路能否产生正弦波振荡
(能,不能)(能,不能)
2.判断下图所示电路是否能够起振,为什么?
3.试用相位平衡条件判断题30图所示的电路是否能产生正弦波振荡。
如可能振荡,指出该振荡电路的类型(如变压器反馈式,电感三点式等),并估算其振荡频率。
已知L=0.5mH,C1=C2=40PF。
4.电路如题26图所示
(1)分析指出图中级间交流反馈的极性与反馈组态;
(2)指出该反馈组态对放大电路输入电阻ri和输出电阻r0有何影响。
模拟电路复习题第五章
一:
填空题
1.图示电路的反馈类型是________。
2.差分放大电路可以抑制。
3.差动放大电路两个输入端的信号,uil=80mV,ui2=60mV,则一对差模输入信号uidl=-uid2=_______mv。
4..电路如题23图,则输出电压u0=_______V。
5.电路如图所示,则u0与ui的关系为_______。
6.集成运放输入级是接收信号的,对它的要求是有较高的_______和很强的抑制零漂的能力。
7.互补对称功率放大电路采用不同类型的两个晶体管组成推挽输出器,在输入交流信号的作用下,两管________工作。
8.运算放大器中采用差动放大电路作输入极是为了________,而输出极采用OCL电路是为了提高带负载能力。
9.如图所示电路,若输入电压ui=-10V,则u0为________。
10.图26电路,R2=22K
中的电流I为_________mA。
11.差动放大电路两个输入端的信号分别为ui1和ui2,当ui1=ui2时,则为______输入信号
12.差动放大电路的共模抑制比KCMR=___________。
二:
选择题
1.若要实现V0=-(10V1+5V2+V3)的运算关系,则可选用( )运算电路。
A.反相比例 B.同相比例
C.反相求和 D.同相求和
2.如图所示,连接正确的复合管是()。
3.理想运算放大器的共模抑制比为()。
A.0B.约50db
C.约100dbD.无穷大
4.两个三极管构成的复合管如下图,则复合管的放大倍数是()。
A.β≈β1β2
B.β=β1+β2
C.β=β1-β2
D.β≈β1/β2
5.集成运算放大器的主要技术指标中,AUO是()。
A.闭环差模电压增益B.开环差模电压增益
C.最大差模输入电压D.最大共模输入电压
6.下列哪个不是直接耦合放大电路克服零点漂移的方法?
()
A.补偿法B.差动放大电路
C.采用调制式直流放大器D.采用射极跟随器
7.直接耦合放大电路存在有零点漂移现象,对此现象有较强抑制作用的电路是()
A.共射极组态B.共集电极组态
C.功率放大电路D.差动放大电路
8.反相输入比例放大器电路中的反馈极性和类型属于()
A.正反馈B.串联电流负反馈
C.并联电压负反馈D.串联电压负反馈
9.运算放大器的共模抑制比是表示运放的()
A.共模信号电压放大倍数
B.差模信号电压放大倍数
C.共模信号电压放大倍数与差模信号电压放大倍数之比
D.差模信号电压放大倍数与共模信号电压放大倍数之比
10.共模抑制比KCMRR是()
A.差模输入信号与共模输入信号之比
B.输入量中差模成份与共模成份之比
C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
11.在运算放大电路中,引入深度负反馈的目的是()
A.提高电路放大倍数稳定性B.使运放工作在线性区
C.使运放工作在非线性区D.降低电路放大倍数稳定性
E.提高电路放大倍数
12.在双端输入的差动放大电路中,输入信号ui1和ui2分别为60mv和40mv,则其共模输入信号uic和差模输入信号uid为()
A.100mv和20mvB.50mv和10mv
C.100mv和10mv
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