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扩展部件如何连接?
整个扩展系统以单片机为核心,通过总线把各扩展部件连接起来,各扩展部件“挂”在总线上。
所谓总线,就是连接系统中各扩展部件的一组公共信号线。
包括:
地址总线(AB);
数据总线(DB);
控制总线(CB)。
存储器的连接
存储器与微型机三总线的连接:
1、数据线D0~n连接数据总线DB0~n
2、地址线A0~n连接地址总线低位AB0~n。
3、片选线CS连接地址总线高位ABn+1。
4、读写线OE、WE(R/W)连接读写控制线RD、WR。
存储器与单片机的连接
存储器与微型机三总线的一般连接方法和存储器读写时序:
1.数据总线与地址总线
为两组独立总线。
2.微型机复用总线结构:
数据与地址分时共用一组总线。
5-1-1单片机扩展的实现
●单片机扩展的首要问题就是构造系统总线,然后再往系统总线上“挂”存储芯片或I/O接口芯片。
●“构造”总线——芯片本身并没有提供地址线和数据线。
具体的构造方法说明如下:
●以P0口的8位口线作地址/数据线。
●复用技术——地址和数据进行分离。
为此在构造地址总线时要添加一个8位锁存器。
先把这低8位地址送锁存器暂存,然后就由地址锁存器给系统提供低8位地址,而把P0口线作为数据线使用。
●以P2口的口线作高位地址线。
●由P2口提供高8位,再加上P0口提供的低8位——64KB。
但实际应用系统中,地址高位并不固定为8位,而根据需要从P2口中引出。
8位地址锁存器:
74LS373、8282等。
控制信号:
构成扩展系统的控制总线。
1.ALE作地址锁存的选通信号,以实现低8位地址的锁存。
2.PSEN作扩展程序存储器的读选通信号。
3.EA作内外程序存储器的选通信号。
4.RD和WR作扩展数据存储器和I/O端口的读写选通信号。
MCS-51用于扩展存储器的外部总线信号:
P0.0~0.7:
8位数据和低8位地址信号,复用总线AD0~7。
P2.0~2.7:
高8位地址信号AB8~15。
ALE:
地址锁存允许控制信号。
:
片外程序存储器读选通信号。
内外程序存储器选择。
片外数据存储器读控制信号。
片外数据存储器写控制信号。
5-1-2总线扩展驱动
当单片机外接芯片较多,超出总线负载能力,必须加总线驱动器。
•单向驱动器74LS244用于地址总线驱动;
•双向驱动器74LS255用于数据总线驱动。
5-2存储器扩展及编址技术
存储器结构框图
存储器内部为双向地址译码,以节省内部引线和驱动器。
如:
1K容量存储器,有10根地址线。
单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。
双向译码X、Y方向各为32根译码输出线和驱动器,总共需要64根译码线和64个驱动器。
存储器外部信号引线:
D0~7数据线:
传送存储单元内容。
根数与单元数据位数相同。
A0~9地址线:
选择芯片内部一个存储单元。
根数由存储器容量决定。
CS片选线:
选择存储器芯片。
当CS信号无效,其它信号线不起作用。
R/W(OE/WE)读写允许线:
打开数据通道,决定数据的传送方向和传送时刻。
5-2-1存储器芯片的扩展
Ø
用多片存储器芯片组成微型计算机系统所要求的存储器系统。
要求扩充后的存储器系统引出线符合微型计算机的总线结构要求。
一、扩充存储器位数:
例1:
用2K×
1位存储芯片组成2K×
8位存储系统。
当地址、片选和读写信号有效,可并行存取8位信息。
例2:
8位存储器芯片组成2K×
16位存储器系统。
地址、片选和读写引线并联后引出,数据线并列引出。
二、扩充存储器容量:
▪地址线、数据线和读写控制线均并联。
▪为保证并联数据线上没有信号冲突,必须用片选信号区别不同芯片的地址空间。
片选方法:
1.线选法:
微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。
2.译码片选法:
微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。
多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。
用1K×
4位存储器芯片组成4K×
8位存储器系统。
三片8KB的存储器芯片组成24KB容量的存储器。
设CE1、CE2、CE3分别连接微型机的高位地址总线AB13、AB14、AB15。
确定各存储器芯片的地址空间:
ABi:
1514131211109876543210~1514131211109876543210
Ⅰ:
1100000000000000~1101111111111111=C000H~DFFFH
Ⅱ:
1010000000000000~1011111111111111=A000H~BFFFH
Ⅲ:
0110000000000000~0111111111111111=6000H~7FFFH
5-2-2存储器扩展的编址技术
●所谓存储器编址,就是使用系统提供的地址线,通过适当的连接,最终达到一个编址唯一地对应存储器中一个存储单元的目的。
●存储器编址分两个层次:
(见P119)
●存储芯片的选择;
●芯片内部存储单元的选择。
●存储器映像则研究各部分存储器在整个存储空间中所占据的地址范围,以便为存储器的使用提供依据。
线选法:
v直接以系统的地址位作为存储芯片的片选信号;
v优缺点:
简单明了,且不需增加电路。
但存储空间的使用是断续的,不能有效地利用空间,扩充容量受限,只适用于小规模系统的存储器扩展。
译码法:
v对系统的高位地址进行译码,以其译码输出作为片选信号。
v有效地利用存储空间,适用于大容量多芯片扩展。
v常用的译码芯片有:
74LS139(双2-4译码器)、74LS138(3-8译码器)和74LS154〔4-16译码器)等。
•G1/G2A/G2B(使能端):
当G1=“1”,G2A=G2B=“0”时,3/8译码器进入译码状态,这时Y0~Y7只有一位是低电平,其余全为高电平。
译码无效时,Y0~Y7全为高电平,无效。
•C、B、A:
译码器输入(C为高位)。
•Y0~Y7:
译码器输出,低电平有效。
3-8地址译码器:
74LS138
Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3
各片存储器芯片分配地址:
0000H~1FFFH;
2000H~3FFFH;
4000H~5FFFH。
5-3程序存储器扩展
工作时,ROM中的信息只能读出,要用特殊方式写入(固化信息),失电后可保持信息不丢失。
1.掩膜ROM:
不可改写ROM
由生产芯片的厂家固化信息。
在最后一道工序用掩膜工艺写入信息,用户只可读。
2.PROM:
可编程ROM
用户可进行一次编程。
存储单元电路由熔丝相连,当加入写脉冲,某些存储单元熔丝熔断,信息永久写入,不可再次改写。
3.EPROM:
可擦除PROM
用户可以多次编程。
编程加写脉冲后,某些存储单元的PN结表面形成浮动栅,阻挡通路,实现信息写入。
用紫外线照射可驱散浮动栅,原有信息全部擦除,便可再次改写。
4.EEPROM:
可电擦除PROM
既可全片擦除也可字节擦除,可在线擦除信息,又能失电保存信息,具备RAM、ROM的优点。
但写入时间较长。
扩展程序存储器电路
常用EPROM芯片:
Intel2716(2K×
8位)
2732(4KB)
2764(8KB)
27128(16KB)
27256(32KB)
27512(64KB)
•CE/PGM——片选低电平有效。
当编程时引入编程脉冲。
•OE——(输出允许)有效时输出缓冲器打开,被寻址单元才能被读出。
•VPP——编程时加十25V编程电压电源。
表5-32716工作方式
8031/8032扩展2KBEPROMIntel2716(总线形式)
●最低地址:
8000H;
●最高地址:
87FFH。
●地址范围:
8000H~87FFH。
EEPROM2816、2817
单片机外接EEPROM电路的存储器电路
EEPROM既能作为程序存储器又能作数据存储器。
将程序存储器与数据存储器的空间合二为一。
片外存储器读信号=PSEN·
RD
5-4数据存储器扩展
扩展数据存储器电路常用RAM芯片:
Intel6116(2KB)、6264(8KB)、62256(32KB)等。
图5.10静态RAM2114引脚图
8031(8051)扩展2KBRAMIntel6116。
5-5存储器综合扩展
数据存储器和程序存储器的综合扩展。
1、同时扩展数据存储器和程序存储器:
程序存储器的读操作有PSEN信号控制,数据存储器的读和写分别由RD和WR信号控制。
不会造成操作上的混乱。
2、通过扩展可读写存储器:
(1)利用EEPROM芯片扩展;
(速度较慢)
可扩展2816或2817等。
(2)改造RAM存储芯片。
(见P131)
可改造6116等。
5-5-1同时扩展程序存储器和数据存储器
单片机连接8KBEPROM2764和8KBRAM6264各一片。
5-5-2扩展既可读又可写的程序存储器
5-6存储器系统的特点和使用
哈佛(Har-yard)结构,即将程序和数据存储器截然分开,各有自已的寻址方式,寻址空间和控制信号。
80C51单片微机的存储器映像图。
一、特点:
复杂性:
1、程序存储器与数据存储器同时存在;
2、内外存储器同时存在;
3、存储器地址空间的重叠和连续。
图5.380C51存储器结构和地址空间
二、使用:
存储器地址空间的区分和衔接:
①在物理上设有4个物理存储空间:
程序存储器:
片内程序存储器;
片外程序存储器;
数据存储器:
片内数据存储器;
片外数据存储器。
②在逻辑上设有3个逻辑存储空间:
1、内外程序存储器统一编址,形成一个完整的空间;
2、内外数据存储器分开编址,都是从“0”单元开始。
1、存储空间的区分:
(1)内部程序存储器与数据存储器的区分;
(2)外部程序存储器与数据存储器的区分;
(3)内外数据存储器的区分。
图5.17存储空间的区分
2、内外程序存储器的衔接。
内外ROM衔接形式
小结:
v构造系统总线,然后再往系统总线上“挂”存储芯片或I/O接口芯片。
v超出总线负载能力,必须加总线驱动器。
v复用技术——地址和数据进行分离,需用地址锁存器。
v程序存储器可以分为片内和片外两部分,处理器访问片内和片外程序存储器,可由EA引脚所接的电平来确定。
v存储器可分为4个物理存储空间和3个逻辑存储空间。
v存储器扩展:
程序存储器扩展;
数据存储器扩展;
综合扩展。
v存储器系统的特点(哈佛结构)和编址技术:
编址——线选法、译码法。
v存储器的区分与衔接。
练习题:
(一)问答题
(二)填空题
(三)选择题
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