56字节Flash模块S12XFTMR256K1V1.docx
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56字节Flash模块S12XFTMR256K1V1.docx
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56字节Flash模块S12XFTMR256K1V1
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
表19-3)。
验证后门访问键命令不能执行,从Flash块
其中比较关键的后门,以避免代码失控。
表19-51。
验证后门访问键命令FCCOB需求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
0000x0C不需要
001键0
010重点1
011重点2
100关键3
陈叶冯结算后推出验证后门访问键的命令,将内存控制器
检查FSECKEYEN位,以确认此命令是启用的。
如果没有启用,内存控制器设置在命令fstat登记ACCERR位和终止。
如果该命令已启用,内存控制器比较了FCCOB提供给在Flash后门比较关键的关键
配置与关键0比0x7F_FF00领域,如果后门钥匙匹配,安全性等将被释放。
如果后门密钥不匹配,安全是没有公布和所有未来的尝试执行验证后门访问键的命令是流产(设置ACCERR直到复位发生)。
陈叶冯标志的
验证后,后门访问键的运作,已完成。
表19-52。
验证后门访问键命令错误处理
注册错误误码条件
命令fstat
ACCERR设置如果CCOBIX[2:
0]=100at命令启动
如果设置了不正确的,关键是提供后门
如果设置后门的主要通道尚未启用(KEYEN[1:
0]=10,见
第19.3.2.2)
如果设置后门关键自上次重置匹配
FPVIOL无
MGSTAT1无
MGSTAT0无
19.4.2.12设置用户保证金水平命令
在设置用户保证金水平命令使内存控制器为今后的读取操作的一个具体的P-闪光或D闪光块保证金水平。
表19-53。
设置用户保证金水平命令FCCOB需求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
000
字符0x0D全球地址[22:
16]确定
闪存块
001保证金水平设定
S12XS系列参考手册,修订版1.09
596飞思卡尔半导体
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
陈叶冯结算后推出设置用户保证金水平命令,内存控制器将设置
用户为目标块保证金水平,然后设置陈叶冯标志。
有效利润率为设置用户保证金水平指挥级别设置的定义如表19-54。
表19-54。
有效设置用户保证金水平设定
CCOB
(CCOBIX=001)
级别描述
0x0000返回到正常水平
0x0001用户保证金-11级
0x0002用户保证金-02级
1阅读保证金的擦除状态
2阅读保证金的编程状态
表19-55。
设置用户保证金水平命令错误处理
注册错误误码条件
命令fstat
ACCERR设置如果CCOBIX[2:
0]=001at命令启动
如果不设置命令可在当前模式(见表19-28)
如果设置了无效的全局地址[22:
16]是供应
如果设置无效的保证金水平设置供应
FPVIOL无
MGSTAT1无
MGSTAT0无
注意
用户保证金水平可以用来检查快闪记忆体的内容有足够的利润正常水平读操作。
如果遇到意外的结果时,检查用户的盈利水平在快闪记忆体的内容,信息的潜在损失已被侦破。
19.4.2.13场保证金水平设置命令
设置现场指挥保证金水平,在特殊模式才有效,导致记忆体控制器来设置保证金水平,为今后的读取操作的一个具体的P-闪光或D闪光块中指定。
表19-56。
设置现场指挥部FCCOB保证金水平的要求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
000
0x0E全球地址[22:
16],以确定闪存块
001保证金水平设定
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飞思卡尔半导体597
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
陈叶冯结算后推出SET域保证金水平命令,内存控制器将设置
领域内的目标块保证金水平,然后设置陈叶冯标志。
有效保证金设置级别的设置
外地保证金水平命令的定义如表19-57。
表19-57。
有效设置字段保证金水平设定
CCOB
(CCOBIX=001)
级别描述
0x0000返回到正常水平
0x0001用户保证金-11级
0x0002用户保证金-02级
0x0003场保证金-11级
0x0004场保证金-02级
1阅读保证金的擦除状态
2阅读保证金的编程状态
表19-58。
外地保证金水平设置命令错误处理
注册错误误码条件
命令fstat
ACCERR设置如果CCOBIX[2:
0]=001at命令启动
如果不设置命令可在当前模式(见表19-28)
如果设置了无效的全局地址[22:
16]是供应
如果设置无效的保证金水平设置供应
FPVIOL无
MGSTAT1无
MGSTAT0无
警告
外地保证金水平必须只能验证过程中使用的初始工厂编程。
注意
外地保证金水平可以用来检查闪存内容已在正常水平设置数据保留足够的余量。
如果遇到意外的结果在实地检查时,保证金水平闪存内容,快闪记忆体内容应该删除和重新编程。
19.4.2.14擦除验证Ḏ闪光组命令
在擦除验证Ḏ闪光科命令将验证在D区的代码闪光被删除。
那个
擦除验证Ḏ闪光组命令定义数据的出发点,以核实和数字
字。
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598飞思卡尔半导体
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
表19-59。
擦除验证Ḏ闪光组命令FCCOB需求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
000
0x10全球地址[22:
16]确定为D-闪光块
001全球地址[15:
0的第一个词]得到验证
010字人数核实
陈叶冯结算后推出清除验证Ḏ闪光组命令,将内存控制器
确认选定的D节闪存被删除。
陈叶冯旗将在后成立的擦除验证
Ḏ闪光科操作已经完成。
表19-60。
擦除验证Ḏ闪光组命令错误处理
注册错误误码条件
命令fstat
ACCERR设置如果CCOBIX[2:
0]=010at命令启动
如果不设置命令可在当前模式(见表19-28)
如果设置了无效的全局地址[22时]是供应
如果一个错位设置字地址是提供(全局地址[0]=0)
如果被请求的设置部分违反的D年底闪光块
FPVIOL无
MGSTAT1集,如果有任何错误,在读期间所遇到的
MGSTAT0设置的任何非纠正的错误,已经在读中遇到
19.4.2.15程序D-Flash命令
该程序D闪光行动计划之一的D四个先前抹去字闪光块。
该程序D闪光操作将确认目标位置(S)的成功在完成编程。
警告
阿闪光字,必须在被删除前的状态正在制定方案。
比特内累积编程闪存词是不允许的。
表19-61。
程序D-Flash命令FCCOB需求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
000
0x11全球地址[22:
16]确定为D-闪光块
001全球地址[15:
0]的字进行编程
010计划的价值字0
011字1计划的价值,如果需要的话
100字2计划的价值,如果需要的话
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飞思卡尔半导体599
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
表19-61。
程序D-Flash命令FCCOB需求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
101字3项目的价值,如果需要的话
陈叶冯结算后启动程序D-的用户Flash命令提供的话将被转移
对内存控制器进行编程和地区,如果没有保护措施。
在程序DCCOBIX指数值闪光指挥发射确定有多少话将进行编程了D-闪光块。
在陈叶冯会计师标志设置时,操作完成。
表19-62。
程序D-Flash命令错误处理
注册错误误码条件
命令fstat
ACCERR设置如果CCOBIX[2:
0]“在指挥发射010
设置如果CCOBIX[2:
0]“在指挥发射101
如果不设置命令可在当前模式(见表19-28)
如果设置了无效的全局地址[22时]是供应
如果一个错位设置字地址是提供(全局地址[0]=0)
设置如果违反要求的组字的D年底闪光块
FPVIOL设置如果所选区域的D-快闪记忆体保护
MGSTAT1设置任何错误,如果已在运行中遇到的核实
MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的
19.4.2.16擦除Ḏ闪光部门命令
在擦除Ḏ闪光部门操作将擦除在D部门的闪光块的所有地址。
表19-63。
擦除Ḏ闪光部门命令FCCOB需求
CCOBIX[2:
0]FCCOB参数
000
0x12全球地址[22:
16]确定
Ḏ闪光块
001全球地址[15:
0内的任何地方部门]被删除。
见D组19.1.2.2闪光部门的规模。
陈叶冯结算后推出擦除Ḏ闪光部门命令,内存控制器将删除
选定的闪存部门和验证它删除。
陈叶冯旗将在后成立的擦除Ḏ闪光部门操作已经完成。
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600飞思卡尔半导体
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
表19-64。
擦除Ḏ闪光部门命令错误处理
注册错误误码条件
命令fstat
ACCERR设置如果CCOBIX[2:
0]=001at命令启动
如果不设置命令可在当前模式(见表19-28)
如果设置了无效的全局地址[22时]是供应
如果一个错位设置字地址是提供(全局地址[0]=0)
FPVIOL设置如果所选区域的D-快闪记忆体保护
MGSTAT1设置任何错误,如果已在运行中遇到的核实
MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的
19.4.3中断
该闪存模块可以产生一个中断时,闪光指挥作业已经完成或当
闪光指挥作业已检测到ECC的故障。
表19-65。
闪光中断源
中断源
中断标志
本地启用全球率(Ccr)面膜
陈叶冯闪光指令完成
(命令fstat寄存器)思科认证网络专家
(FCNFG注册)我位
ECC的双击闪存读取DFDIF位故障
(FERSTAT寄存器)DFDIE
(FERCNFG注册)我位
ECC的单一的闪存读取SFDIF位故障
(FERSTAT寄存器)SFDIE
(FERCNFG注册)我位
注意
向量地址和其相对中断优先级的确定
微控制器的水平。
19.4.3.1描述的Flash中断运行
该闪存模块使用结合思科认证网络专家中断使能位产生的陈叶冯旗
闪光指挥中断请求。
该闪存模块结合使用的DFDIF和SFDIF旗的
在DFDIE和SFDIE中断使能位来生成的Flash错误中断请求。
对于登记册涉及的位详细说明,请参阅第19.3.2.5,“闪光配置寄存器
(FCNFG)“,第19.3.2.6,”闪光错误配置寄存器(FERCNFG)“,第19.3.2.7,”闪光
状态寄存器(命令fstat)“,和第19.3.2.8,”闪光错误状态寄存器(FERSTAT)“。
产生中断的Flash模块使用的逻辑如图19-27。
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飞思卡尔半导体601
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
思科认证网络专家
陈叶冯
Flash命令中断请求
DFDIE
DFDIF
闪存错误中断请求
SFDIE
SFDIF
图19-27。
闪存模块中断的执行情况
19.4.4等待模式
该闪存模块不受影响如果MCU进入等待模式。
该闪存模块可以收回的微控制器
等待通过的陈叶冯中断(见第19.4.3,“中断”)。
19.4.5停止模式
如果一个闪光的命令处于活动状态(陈叶冯会计师=0)当MCU请求停止模式,当前的Flash操作将在CPU之前完成,不得进入停止模式。
19.5安全
该闪存模块提供安全信息的微控制器。
闪光安全状态的定义是由美国证券交易委员会登记FSEC位(见表19-10)。
在复位时,闪存模块初始化寄存器使用数据从Flash配置领域的安全字节读取全局地址FSEC
0x7F_FF0F。
在脱离复位的安全状态,可永久性地改变通过编程的Flash配置领域的安全字节。
这里假设您是从模式开始在有必要的P-闪存擦除和编程命令可用,并在区域上的P-Flash是保护。
如果Flash安全字节编程成功,它的新价值,将在下次MCU的复位的影响。
下面的小节描述了这些与安全相关的主题:
•Unsecuring使用后门MCU的重要通道
•Unsecuring在专用单芯片模式单片机使用BDM
•模式与安全对Flash命令可用性
19.5.1Unsecuring使用后门MCU的重要通道
微控制器可以通过抵押后门关键网络接入功能,需要的后门钥匙(4个16的地址0x7F_FF00-0x7F_FF07编程位字的内容,知识)。
如果
在KEYEN[1:
0]位在启用状态(见第19.3.2.2),验证后门访问键命令(见第19.4.2.11)允许用户现有的四个比较准键
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602飞思卡尔半导体
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
密钥存储在闪存通过内存控制器。
如果在检查中提出的后门钥匙
访问键命令匹配闪存存储后门钥匙,在美国证券交易委员会的FSEC位
寄存器(见表19-10)将改为不安全的微控制器。
在0x0000和0xFFFF键值
不得作为后门钥匙。
虽然验证后门访问键命令是积极的,个P-闪光块
0将无法进行读访问,将返回无效数据。
用户代码存储在P-快闪记忆体必须有一个接收来自外部刺激的后门密钥的方法。
外部刺激,这通常是通过一个片上串行端口。
如果KEYEN[1:
0]位在启用状态(见第19.3.2.2),微控制器可以通过后门进入所述的关键序列无抵押:
1。
遵循验证后门访问键命令的命令序列的解释
第19.4.2.11
2。
如果验证后门访问键命令成功,微控制器和抵押
在美国证券交易委员会注册的FSEC[1:
0]位是被迫的10不安全状态
验证后门访问键命令监察内存控制器和非法关键将禁止验证后门访问键命令将来使用。
阿MCU的复位是唯一的方法
重新启用验证后门访问键的命令。
后门钥匙后,已正确匹配,MCU将被抵押。
微控制器后,无抵押,该部门包含Flash安全字节可擦除和安全字节的闪存,可重新编程的不安全状态,如果需要的话。
在不安全的状态,用户对通过编程的后门项的内容完全控制地址的Flash配置方面0x7F_FF00-0x7F_FF07。
作为在Flash安全字节(0x7F_FF0F)定义的安全是没有改变通过验证
后门访问键的命令序列。
在处理存储的后门钥匙
0x7F_FF00-0x7F_FF07不会受到验证后门访问键的命令序列。
后微控制器的闪存模块,安全状态下复位是由Flash安全字节
(0x7F_FF0F)。
验证后门访问键的命令序列不会对项目的影响和擦除的闪存保护登记,FPROT定义的保护。
19.5.2Unsecuring在专用单芯片模式单片机使用BDM
微控制器可以在特殊的无担保的单芯片模式,擦除由下列方法之一的P-闪光和D-快闪记忆体:
•单片机复位到特殊的单芯片模式,拖延而擦除试验是由双目显示模组,发送BDM命令来禁用保护的P-闪光和D-快闪记忆体,并执行所有块擦除命令写入顺序擦除的P-闪光和D-快闪记忆体。
•复位单片机的特殊扩展到广泛的模式,在P禁用保护闪光和D-闪存和运行从外部存储器代码执行命令清除所有块擦除写入序列的P-闪光和D-快闪记忆体。
陈叶冯旗后套表明,所有块擦除操作完成,重置成特殊的单芯片模式的微控制器。
双目显示模组将执行验证所有块擦除命令写入顺序,以确认为P-闪光和D-快闪记忆体被删除。
如果P-闪光和D-快闪记忆体的核实
S12XS系列参考手册,修订版1.09
飞思卡尔半导体603
128字节Flash模块(S12XFTMR128K1V1)
抹去MCU将被抵押。
所有BDM命令将启用安全字节的Flash可
被编程的不安全状态下列方法:
•发送BDM命令来执行'计划的P-闪光'命令序列程序的Flash安全字节的无担保国家和复位单片机。
19.5.3模式与安全对Flash命令可用性
在闪存模块命令的可用性依赖于MCU的运行模式和安全状况如表19-28。
19.6初始化
在每个系统复位的闪存模块执行一个复位序列,确立了闪存座配置参数,FPROT和DFPROT保护寄存器的初始值,以及FOPT和FSEC寄存器。
该闪存模块恢复到内置的默认值,是离开模块在充分保护和安全的状态,如果在错误的复位顺序执行过程中遇到。
如果一个双位故障复位过程中检测到的序列,在命令fstat同时登记MGSTAT位将被设置。
陈叶冯会计师仍然是明确整个复位序列。
该闪存模块拥有了所有的重置序列的初始部分CPU的访问。
尽管Flash内容包括:
当持有被删除,写入
在FCCOBIX,FCCOBHI和FCCOBLO登记,以防止被忽略命令活动在内存控制器依然繁忙。
重置序列的完成标志是陈叶冯定高使写入FCCOBIX,FCCOBHI,并FCCOBLO寄存器来启动任何可用的Flash命令。
如果复位时发生任何Flash指挥工作正在进行中,该命令将立即中止。
这个词的国家正在制定方案或部门/块被擦掉不能保证。
S12XS系列参考手册,修订版1.09
604飞思卡尔半导体
第20章
64字节Flash模块(S12XFTMR64K1V1)
表20-1。
修订历史
修订
编号修订
日期节
受影响
描述变化
V01.042008年1月3日-化妆品变化
V01.052008年12月19号20.1/20-605
20.4.2.4/20-640
20.4.2.6/20-642
20.4.2.11/20-64
6
20.4.2.11/20-64
6
20.4.2.11/20-64
6-澄清单比特错误校正的P-闪光词组
-添加的声明代码失控在执行读取一次,计划一次,验证后门访问键的命令,从闪存包含相关领域的区块
-将重点0到相关后门比较关键报告
-更改“断电复位”到“重设”节20.4.2.11
V01.062009年9月25日
20.3.2/20-613
20.3.2.1/20-615
20.4.1.2/20-634
20.6/20-654以下的更改是为了澄清在复位序列模块行为有关的闪存访问和登记,同时积极闪存命令:
-关于注册地址谨慎而写入命令活跃
-致函FCLKDIV是允许在复位序列是明确的,而陈叶冯会计师
-关于注册地址谨慎而写入命令活跃
-致函FCCOBIX,FCCOBHI,FCCOBLO寄存器复位过程中忽略序列
20.1简介
在FTMR64K1模块实现如下:
•64千字节的P-闪光(程序闪存)内存
•4字节的D-闪光(数据闪存)内存
快闪记忆体是理想的单电源应用领域允许无需外部的程序高电压源重新编程或擦除操作。
该闪存模块包括一个内存控制器,执行命令来修改快闪记忆体的内容。
在用户界面的内存控制器由索引闪存共同Command对象(FCCOB)登记写着与指挥,全球地址,数据,以及任何需要的命令参数。
记忆体控制器必须完成前一个命令执行的FCCOB寄存器可以写入一个新的命令。
S12XS系列参考手册,修订版1.09
飞思卡尔半导体605
初步
警告
阿闪光词或短语必须在被删除之前的状态正在制定方案。
累积比特闪存编程在单词或短语是不允许的。
快闪记忆体可被理解为字节对齐的话,或错位的话。
读访问时间为一个字节总线周期和一致的话,两个总线周期错位的话。
对于闪存,擦除
位读取和程序1位值为0。
这是不可能的,从闪存块读命令,而任何具体的闪存模块执行。
它可以从一个闪存模块读取数据的同时命令在不同的闪存块执行。
P均闪光和D-与纠错码(ECC)的实施,可以解决单个比特错误和检测双比特错误快闪记忆体。
为P-快闪记忆体,环境保护运动委员会的执行需要一个节目将于8字节对齐的基础上(一个Flash短语)做。
由于P-闪存始终是读
由词组,只有一个包含字节或字短语访问单比特错误将得到纠正。
20.1.1术语
命令写序-微控制器的指令序列执行内置(包括编程和擦除算法)在快闪记忆体。
Ḏ-闪存-的D-闪存构成了非易失性存储器的数据存储。
Ḏ闪光部门-该D-闪存部门是最小的D部分,快闪记忆体,可以被删除。
在D-闪存部门包括一个256字节总数的4行64个字节。
非易失命令模式-一种非易失性存储器模式使用CPU设置的FCCOB通过登记为Flash命令执行所需的参数。
词组-一个不结盟集团4个16位字内的P-快闪记忆体。
每个短语包括8个
单比特错误校正和故障检测的双位ECC的位在词组。
个P-闪存-的P-闪存构成了申请的主要非易失性内存存储。
个P-闪光部门-的P-闪存部门的P最小的部分,快闪记忆体,可以被删除。
每个P-闪存部门包含1024个字节。
计划仪表飞行规则-位于非易失性的信息登记在P-闪存块,它包含了设备ID,版本ID,以及经实地计划。
该方案是可见的飞行技术研究所在全球内存映射通过设置在MMCCTL1寄存器PGMIFRON位。
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飞思卡尔半导体606
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