半导体物理物理教案03

1、精品半导体物理习题答案供参考关键字精品第一章半导体中的电子状态例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反.即:vk vk,并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零.解:K状态电子的速度为: 1同理,K状态电子的。

2、比较前后两次电流表示数,说明半导体的电阻随温度升高而减小光敏性,有的半导体在光照下电阻大为减小制成光敏电阻,用于对光照反映灵敏的自动控制设备中先做实验,电路图见图10用四节干电池串联作电源图中三极管。

3、半 导 体 物 理 学,刘恩科等国防工业出版社,参考书目,1.半导体物理学作者:李名復页数:376科学出版社,出版日期:1991年2月第1版凝聚态物理学丛书.2.半导体物理学作者:果玉忱页数:271国防工业出版社,出版日期:1988年12月。

4、常州信息职业技术学院 2009 2010 学年第 一 学期半导体器件物理课程期末试卷班级 姓名 学号 成绩装订线项目一二三四五总分满分100得分一 填空题共25分每空分硼铝镓等 三族元素掺入到硅中,所形成的能级是 受主 施主能级或受主能级。

5、常州信息职业技术学院 2010 2011 学年第 一 学期半导体器件物理课程期末试卷班级 姓名 学号 成绩装订线项目一二三四五总分满分100得分一 选择题:含多项选择, 共30分,每空1分,错选漏选多选均不得分1半导体硅材料的晶格结构是 A。

6、3 试指出空穴的主要特征.4 简述GeSi和GaAs的能带结构的主要特征.5 某一维晶体的电子能带为其中E03eV,晶格常数a51011m.求: 1能带宽度; 2能带底和能带顶的有效质。

7、 jskt ln np0 lp pn0ktnp np0ln pn0lp ni2ni2 因为np0,pn0,上式可进一步改写为 pp0nn0pni2。

8、5.费米能级化学势答:费米能级与化学势:费米能级表示等系统处于热平衡状态,也不对外做功的情况下,系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化,等于系统的化学势.处于热平衡的系统有统一的化学势.这时的化学势等于系统的费米能级。

9、半导体器件物理施敏课后答案半导体器件物理施敏课后答案半导体器件物理施敏课后答案篇一:半导体物理物理教案03级学院部:材料与能源学院 系所;微电子工程系 授课教师:魏爱香,张海燕 课程名称;半导体物理 课程学时:64 实验学时:8 教材名称。

10、半导体物理习题及答案讲课讲稿半导体物理习题及答案复习思考题与自测题第一章 1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同. 答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的。

11、第三次作业,1计算能量在 到 之间单位体积中的量子态数.解:导带底附近状态密度为:由状态密度定义:所以单位体积量子态数:两边积分,第三次作业,第三次作业,2试证明实际硅锗中导带附近状态密度公式为解:对于实际半导体硅锗,在它们的导带附近,等能。

12、半导体物理学简答题及答案复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 ,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同.原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的 形式存在,没。

13、半导体物理课后习题答案精第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Eck和价带极大值附近能量EVk分别为:h2k2h2kk12h2k213h2k2Ec ,EVk3m0m06m0m0m0为电子惯性质量,k11禁带宽度;2 导带底。

14、项目 一 二 三 四 五 总分 满分 100 得分 一选择题:含多项选择,选择题:含多项选择,共共 30 分,每空分,每空 1 分分,错选漏选多选,错选漏选多选均不得分均不得分1半导体硅材料的晶格结构是A A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿。

15、半导体物理与器件第四版答案半导体物理与器件第四版答案篇一:半导体物理第五章习题答案1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm3,已知空穴寿命为100s,计算空穴的复合率. 解:复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子空穴对数。

16、半导体物理学简答题及答案精半导体物理学简答题及答案精 第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同.答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子。

17、半导体器件物理第二章答案21. PN结空间电荷区边界分别为 与兀,利用np 讨导出pnxj表达式.给出N区空穴为小注入与大注入两种情况卞的几X表达式.解:在处 x exp E,K1E,jPnx n; expj n;e八 P 忑po ,严 A。

18、半导体物理复习资料附答案第一篇 习题 半导体中的电子状态11 什么叫本征激发温度越高,本征激发的载流子越多,为什么试定性说明之.12 试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因.13 试指出空穴的主要特征.14简述GeSi和GaAS的。

19、最新半导体物理习题及答案复习思考题与自测题第一章 1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同. 答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式。

20、半导体物理习题答案13章第1章 半导体中的电子状态1设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量EJk和价带极大值附近能量 Evk3h2k2mbm0为电子惯性质量, k1 12a, a 0.314nm.试求:2 2分别为Eck3moh2k 。