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整理单晶硅生产工艺应用

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2、硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间.热导率较大.化学性质稳定,又易于形成稳定的热氧化膜.在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护,还可以形成金属氧化物半导体结构,制造MOS场效应晶体管和。

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4、硅单晶的非平稳少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间.热导率较大.化学性质稳固,又易于形成稳固的热氧化膜.在平面型硅器件制造中能够用氧化膜实现PN结表面钝化和爱护,还能够形成金属氧化物半导体结构,制造MOS场效应晶体管和。

5、105欧厘米,掺杂后电阻率可控制在104104 欧厘米的宽广范围内,能满足制造各种器件的需要.硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间.热导率较大.化学性质稳定,又易于形成稳定的热氧化膜.在平面型硅器。

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9、单晶硅的生产原理与工艺单晶硅的生产原理与工艺化学与材料科学系 应用化学专业学号:06140107 姓名:李国雄 摘要 简要介绍了晶体硅的性质用途和工业发展应用现状,较详细地介绍和比较了多晶硅和单晶硅的生产工艺.通过对不同用途所采用的不同工艺。

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