模拟电子技术期末试题

1、模拟电子技术基础期末考试试题填空选择复习题填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V.2二极管的正向电阻 小 。

2、4. 某三极放大电路,电压放大倍数分别为502010,则电路的电压总增益为 难A10dB BdB C50dB D80dB5. 对于放大电路,所谓开环是指 .A. 无信号源 B. 无反馈通路 C. 无电源 。

3、22 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏集电结反偏 .某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va 1V,Vb , Vc , 这是 硅 管硅锗, NPN 型,集电极管脚是 a .23三种不同耦合方式的放。

4、6.理想的功率放大电路应工作于状态.A. 甲类互补B. 乙类互补C. 甲乙类互补D. 乙甲类互补进7. NPN共射电路的Q点设置在接近于处将产生顶部失真.A. 截止区 B. 饱和区 C. 击穿区 D. 。

5、 11差分放大电路输入端加上大小相等极性相同的两个信号,称为 共模信号,而加上大小相等极性相反的两个信号,称为 差模 信号. 12为了消除乙类互补功率放大器输出波形的 交越 失真,而采用 甲乙 类互补功率放大器。

6、模拟电子技术基础期末考试试题 填空选择复习题填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V.2二极管的正向电阻 小 。

7、模拟电子技术试题1A050620052006学年第二学期期末考试试题A卷模拟电子技术使用班级: 总分得分一填空题共15分,每空1分1整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性,稳压二极管的稳压作用是利用PN结的 特性.2双极型三极管是 控制器。

8、模拟电子技术基础试题模拟电子技术基础试题A卷 学号 姓名 .一判断下列说法是否正确,用或表示判断结果. 10分1在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为虚地. 2电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流. 3使输入量减小的反馈是负反馈。

9、模拟电子技术试题答案模拟电子技术试题答案一判断题1. N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电.2. 点接触型晶体二极管因其结电容很小,因此工作频率也很小,比较适用于做小信号检波.3. 室温下,当锗晶体二极管导通后,在正常使用的电。

10、模拟电子技术基础试题填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V;锗二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V.2二极管的正向电阻 ;反向电阻 .3二极管的最主要特性是 .结外加正向。

11、模拟电子技术基础期末试题 填空选择复习题填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V.2二极管的正向电阻 小 ;反。

12、模拟电子技术基础期末试题填空选择复习题填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 ,导通后在较大电流下的正 向压降约为;错二极管的门槛电压约为,导通后在较大电流下的正 向压降约为.2 二极管的正向电阻小反向电阻大.3 二极管的最主要特性是 单。

13、电子技术基础模拟试题二判断题:每小题 2 分,共 20 分 1逻辑电路的输出变量与其输入变量之间为一定的逻辑关系. 2逻辑变量的取值可以是任意种. 3非门输出电压的大小与输入电压的大小成比例. 4带使能端的译码器可作数据分配器使用. 5具有。

14、模拟电子技术基础期末复习题演示教学填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V;锗二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V.3二极管的最主要特性是 .结外加正向电压时,扩散电流 漂。