模拟电路复习范围

1、14级 模拟电路第14单元 复习自测题14级 模拟电路第14单元 复习自测题第一单元 半导体器件 在P型半导体中,多数载流子是 B A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 在N型半导体中,多数载流子是 A A. 电子 B. 空穴 C。

2、 NMOS二极管负载存在体效应时的阻抗:忽略随Vout的变化时,增益只于WL有关,与偏置电流电压无关,线性度很好. PMOS管负载缺点:a. 大增益需要极大的器件尺寸 b. 输。

3、测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示,试说明三极管的类型是 D A. NPN型硅管; B. PNP型硅管; C. NPN型锗管; D. PNP型锗管 某三极管各个电极的对地电位如下图。

4、装 订 线汕头大学20092010年秋季学期模拟电子技术考试试卷A开课单位 任课老师 评 卷 人 学生姓名 学号 所在开课班号 所在学院 题号一二三四五六七八九总分得分一 单项选择题201. 二极管电路如图1所示,处于导通工作状态的二极管是。

5、五六七八九总分得分一 单项选择题201. 二极管电路如图1所示,处于导通工作状态的二极管是 A Dl导通 B D2导通 CD1和D2均导通 D Dl和D2均不导通图。

6、专用集成模拟电路上机步骤及考试复习第 周 第 次课 20 年 月 日教学时数2章节:第十讲 IC设计工具Tanner Pro教学目的及要求:1掌握如何运用Tanner Tools进行原理图及版图设计2掌握采用SeditTSPICESPRLE。

7、2若UI35V时负载开路,则会出现什么现象为什么第2章 放大电路的基本原理和分析方法1. 掌握放大电路的主要技术指标2.2节放大电路技术指标测试示意图2. 掌握放大电路静态和动态的概念和分析方法直流通路和交。

8、电路基础部分一是非题1欧姆定律适合各类电阻. F 2在电路中,必须全部元件均为线性元件才可以用基尔霍夫定律去分析求解. F3通常电路分析均可以用节点电压和回路电流法.T 4叠加定理仅适用于线性电路. T 5任何有源二端网络都可用戴维南定理求。

9、2.直观形象;3.适合分析工作在大信号状态下的放大电路.缺点:1.特性曲线存在误差;2.作图麻烦,易带来误差;3.无法分析复杂电路和高频小工作信号.5.7微变等效电路法优点:1.简单方便;2.适用于分析任何基。

10、VB2.7V,VE2V,VC6V,则该BJT为 .A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP锗管 D.PNP硅管4. 通用型集成运放适用于放大 .A高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 5. 放大电路在。

11、 信号;将大小相等方向相同的输入信号称为 信号.差分放大电路有放大 信号,抑制 信号的作用.同相输入信号反相输入信号共模输入信号差模输入信号4直接耦合放大器存在的。

12、当负载变化时,若希望输出电流稳定.应采用 反馈.6某负反馈放大电路的闭换放大倍数Af100,当开环放大倍数A变化10时,Af的相对变化量在0.5以内,则这个放大电路的开环放大倍数A 。

13、它是在异常和危险情况下系统生存的关键.所谓鲁棒性,是指控制系统在一定的参数摄动下,维持某些性能的特性.4 版图设计过程:设计规则检查DRC电气规则检查ERC一致性校验LVSRC分布参数提取5 MOS。

14、完整版14级模拟电路第14单元复习自测题14级 模拟电路第14单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P型半导体中,多数载流子是 B A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质1.2 在N型半导体中,多数载流子是 A A. 电子 B。

15、版中考物理一模专题复习41 串联电路电流电压电阻的计算变化量变化范围等学生版本章专题复习四 电路计算题01 串联电路中电流电压电阻的计算包含变化量变化范围电表示数等题目12019崇明二模在图10所示的电路中,电源电压为6伏且不变电阻R1的阻。

16、14级 模拟电路第14单元 复习自测题培训资料14级 模拟电路第14单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P型半导体中,多数载流子是 B A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质1.2 在N型半导体中,多数载流子是 A A. 电。

17、级模拟电路第14单元复习自测题14级 模拟电路第14单元 复习自测题第一单元 半导体器件 在P型半导体中,多数载流子是 B A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 在N型半导体中,多数载流子是 A A. 电子 B. 空穴 C.离子 D。

18、电路与电子学模拟复习题含答案汇总电路基础部分一是非题1欧姆定律合适各种电阻. 欧姆定律只合用于纯电阻电路2在电路中,一定所有元件均为线性元件才能够用基尔霍夫定律去剖析求解.否基尔霍夫定律是剖析线性电路和非线性电路的基本定律3往常电路剖析均能。

19、14级模拟电路第14单元复习自测题14级 模拟电路第14单元 复习自测题第一单元 半导体器件 在P型半导体中,多数载流子是 B A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 在N型半导体中,多数载流子是 A A. 电子 B. 空穴 C.离子。

20、 模拟模拟CMOSCMOS集成集成电路电路期末期末复习复习题题库库及及答案答案 整理人:李明 1 MOSFET跨导是如何定义的.在不考虑沟道长度调制时,写出MOSFET在饱和区的与和1的关系表示式.画出它们各自的变化曲线.2 MOSFET的。

21、整理专用集成模拟电路上机步骤及考试复习第 周 第 次课 20 年 月 日教学时数2章节:第十讲 IC设计工具Tanner Pro教学目的及要求:1掌握如何运用Tanner Tools进行原理图及版图设计2掌握采用SeditTSPICESPR。