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化学气相淀积学习资料

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3、通常分别用 neni和 ng来表示等离子体内的电子密度粒子密度和未电离的中性粒子密度,而当 neni时,则可用 n 来表示二者中任一个带电粒子的密度,简称为等离子体密度.然而,一般等离子体中可能含有不同价态的离子,也可能含有不同种类。

4、在硅片衬底上淀积薄膜有多种技术,主要的淀积技术有化学气相淀积CVD和物理气相淀积PVD,其他的淀积技术有电镀法旋涂法和分子束外延法.化学气相淀积CVD是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。

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