关于光刻工艺整理的一些资料关于光刻工艺整理的一些资料光刻工艺光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一.主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备.光刻的成本约为整个硅片制造工艺的13,耗费时间约占整,光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度
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1、关于光刻工艺整理的一些资料关于光刻工艺整理的一些资料光刻工艺光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一.主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备.光刻的成本约为整个硅片制造工艺的13,耗费时间约占整。
2、光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为。
3、最新整理液态感光至抗蚀刻及图形转移工艺doc液态感光至抗蚀刻及图形转移工艺PCB制造工艺Technology中,无论是单双面板及多层板MLB,最基本最关键的工序之一是图形转移,即将照相底版Artwork图形转移到敷铜箔基材上.图形转移是生产。
4、e）以前使用干膜常出现的起翘、电镀渗镀、线路不整齐等问题。
湿膜是液态膜，不起翘、渗镀、线路整齐，涂覆工序到显形工序允许搁置时间可达，解决了生产工序之间的关联矛盾，提高了生产效率。
f）对于当今日益推广的化学镀镍金工艺，。
