常用半导体器件

1、 二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是A.&。

2、105 eV /Kni、pi与T成指数关系，随温度升高而迅速增大。
室温下（T=300K即27oC），1.51010 cm3 （Si）2.41013 cm3 （Ge）ni的数值虽然很大。

3、 （3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后。

4、半导体器件芯片常用型号参数12页word文档半导体器件常用型号参数其实,任何一门学科都离不开死记硬背,关键是记忆有技巧,死记之后会活用.不记住那些基础知识,怎么会向高层次进军尤其是语文学科涉猎的范围很广,要真正提高学生的写作水平,单靠分析文。

5、11常用半导体元件11常用半导体元件课题11.1二极管教学目标知道PN结的单向导电性.描述二极管的电压电流关系.解释主要参数.教学重点1二极管的电压电流关系.2二极管的主要参数.教学难点二极管的电压电流关系.教学过程一复习线性电阻和非线性电。

6、不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知ui10sint（v），试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
。

7、半导体激光器常用参数的测定半导体激光器常用参数的测定半导体激光器常用参数的测定一 实验目的:掌握半导体激光器常用的电学参数及其测试方法一 实验基本原理1 普通光源的发光受激吸收和自发辐射普通常见光源的发光如电灯火焰太阳等地发光是由于物质在受。

8、 （3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后。

9、01半导体器件返回第一章 半导体器件1 半导体基础知识物质按导电性能可分为导体绝缘体和半导体.物质的导电性能取决于原子结构.导体一般为低价元素,绝缘体一般为高价元素和高分子物质,半导体一般为外层电子为4.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。

10、二极管的外形、内部结构示意图和符号如图11.1所示。
（a）外形 （b）内部 （c）符号图11.1二极管二极管的阳极引脚由P型半导体一侧引出，对应二极管符号中三角形底边一端。
二极管的阴极引脚由N型半导体。

11、 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS0V时，能够工。

12、模拟电子技术基础 第一章 常用的半导体器件第一章 常用的半导体器件半导体基础知识导体:非常容易导电 一般金属都是导体结构:低价元素,最外层电子少于4个其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流.1.1绝缘体:基本不导电 如:橡胶。

13、模拟电路1章 常用半导体器件题解第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3P。

14、职业中专电工电子第六章 常用半导体器件第六章 常用半导体器件第一节 二极管一填空1N型半导体以 导电为主,P 型半导体以 导电为主 . 2二极管具有单相导电性, 时导通, 时截止.3二极管伏安特性曲线是指二极管两端的 和管中 的关系曲线由 。

15、半导体器件芯片常用型号参数共24页文档半导体器件常用型号参数一半导体二极管参数符号及其意义CT势垒电容Cj结极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压电容Cjo零偏压结电容CjoCjn结电容变化。

16、模拟电子技术 常用半导体器件复习题讲解第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

17、模拟电子技术 常用半导体器件复习题第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3。

18、 半导体器件重点半导体特性,杂质半导体特性;二极管的伏安特性;二极管电路分析.难点二极管的伏安特性;二极管电路分析.7.1 半导体二极管 7.1.1 本征半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体.常用的半导体材料有硅锗和砷化镓等。

19、变频器主电路常用的电力半导体器件电力电子器件电力电子器件 电子技术的基电子技术的基础础电力电子器件电力电子器件电力电子电路的基础电力电子电路的基础电子器件:晶体管和集成电路 电子器件:晶体管和集成电路 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的。

20、第一章 常用半导体器件,第一章 常用 器件,半导体,金属,惰性气体,硅锗,4,4,4,小,易,大,二者之间,不易,二者之间,半导体,1.1.1 本征半导体,1.1 半导体基础知识,纯净的晶体结构的半导体,无杂质,半导体硅和锗的最外层电子价电。

21、常用半导体器件内容提要本章主要讲述了半导体基础知识第一章 常用半导体器件内容提要:本章主要讲述了半导体基础知识,PN结的特性,二极管晶体三极管场效应管的构成及特性曲线和主要参数等,同时介绍了单结管晶闸管集成电路中的元件等基础知识.重点:二极。

22、1.3双极型三极管BJT,又称半导体三极管晶体管,或简称为三极管,Bipolar Junction Transistor,三极管的外形如下图所示,三极管有两种类型:NPN 和 PNP 型.主要以 NPN 型为例进行讨论,图 1.3.1三极管。