场效应及其工作原理

1、场效应晶体管有二种结构形式:1.绝缘栅型场效应晶体管 又分增强型和耗尽型二类 2.结型场效应晶体管只有耗尽型 场效应晶体管在集成电路中被广泛使用,绝缘栅场效应晶体管MOSFET分为增强型和耗尽型两大类,每类中又有N沟道和P沟道之分.不象双极。

2、D（Drain）为漏极，相当c；G（Gate）为栅极，相当b；S（Source）为源极，相当e。
图4.1 N沟道增强型 MOSFET结构示意图（动画）,绝缘栅型场效应三极管MOSFET（Metal Oxide Semicondu。

3、是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、UP 夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT 开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅。

4、为便于讨论，先假设漏-源极间所加的电压vDS=当栅-源电压vGS=0时，沟道较宽，其电阻较小，如图2（a）所示。
当vGS0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个P+N结耗尽层将加宽。
由于N区掺杂浓度小于P。

5、由于N区掺杂浓度小于P+区，因此，随着|vGS| 的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大，如图2（b）所示。
当|vGS| 进一步增大到一定值|VP| 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断，如图2（c）所。

6、我知道自己很对不起您，您当初对我那么好。
#而我。
# 对不起。
#我也忘了，当初我们怎么弄的那么僵，也许，是我的几个字把我们之间的关系弄僵了。
#那时，每天我的心都很乱。
#我其实知道自己错了，也想过要去找您道歉。
#但我怕我怕您的眼神。
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#所以，我选择了错下去。
#我知道自己快离开了。
#听了你的话之后，想了许多。
#心里很内疚。
#惭愧。
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#我让那么多对我好的人，感到很失望。
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#这次我真的清醒了。
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#我再也不会学坏了，也不会跟那些人接触了。
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# 您经常说要改掉我这个好说话的毛病，当初我不以为然，而后才想到了自己的过失，之前犯错误的时候总是想“人非圣贤，孰能无过？#”现在才想到，错误都是自己的，不要找任何的外在原因，我相信我一定会改好的，并时时刻刻注意自己的言行。
# 学校还是个小社会，如果是在社会上，顶撞了上司，后果将会非常严重。

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9、第 3 章场效应管,概述,3.1 MOS 场效应管,3.2 结型场效应管,3.3 场效管应用原理,概 述,场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件.它体积小工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件,场效应管与三。

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