半导体器件物理期末答案

1、D吸铁石对白纸的压力与白板对白纸的弹力大小相等,是作用力与反作用力6某物体以一定的初速度沿足够长的斜面从底端向上滑去,此后该物体的运动图像不可能的是图中是位移v是速度t是时间7下列说法正确的是A电动势相同的电,其。

2、其中E03eV,晶格常数a510.求: 1能带宽度; 2能带底和能带顶的有效质量.6 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。

3、在外电F作用下,电子的波失K不断改变,其变化率与外力成正比,因为电子的速度与k有关,既然k状态不断变化,则电子的速度必然不断变化.7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出。

4、行政班级: 姓名: 学号: 选课班级: 密封线 密封线内不得答题 赣南师范学院考试卷 A卷 20102011学年第一学期期末考试参考答案A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七。

5、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效2012半导体物理学期末试题一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称该能带中的空穴为 E .A. 曲率大。

6、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称。

7、势垒电容相当于极板间距为耗尽层宽度的平板电容,电容的大小又与宽度成反比.所以随着反偏电压的增加,势垒电容反而下降.3.什么是单边突变结为什么pn结低掺杂一侧的空间电荷区较宽对于一个半导体,当其P区的掺杂浓度远大于N区。

8、20102011学年第一学期期末考试参考答案A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人。

9、者的青睐,获得更大的企业利益,在网络上得到广大网络消费人群的认可. 二产品概况: 休闲食品的最主要卖点其独特美味或者给予消费者美好休闲享受而不是补充营养的东西.休闲食品主要有三种消费特征:风味型营养型享受型特产型,消费者涵盖全部人群:儿童零。

10、1017cm3A1014cm3 B1015cm3 C1.11015cm3 D2.25105cm3 E1.21015cm3 。

11、4同一种施主杂质掺入甲乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的34, mnm0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是 D .A.甲的施主杂质电离能是乙的83,弱束缚电子基态轨道半径为乙的34B.甲的施主杂质电离。

12、四五六七总分复核人得 分评卷人一填空30分,每空3分1 危险废物的主要特征并在于它们的相态,而在于它们的危险特性,即具有毒性腐蚀性传染性 反应性 浸出毒性 。

13、4证明正格子晶面 与倒格矢 正交.5能写出任一晶列的密勒指数,也能反过来根据密勒指数画出晶列;能写出任一晶面的晶面指数,也能反过来根据晶面指数画出晶面.见课件例题 。

14、4同一种施主杂质掺入甲乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的34, mnm0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是 D .A.甲的施主杂质电离能是乙的83,弱束缚电子基态轨道半径为乙的34B.甲的施主杂质电离。

15、2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102Vm,107 Vm的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间.根据: 得 第二章 半导体中杂质和缺陷能级7. 锑化铟的禁带宽度Eg0.18eV,相对。

16、3如图所示,解释一下n0T关系曲线.若费米能EF5eV,利用费米分布函数计算在什么温度下电子占据E5.5eV能级的概率为.并计算在该温度下电子分布概率0.90.1所对应的能量区间.两块n型硅材料,在某一温度。

17、固体电子器件原理期末考试题A卷及答案得 分评分人一能带图 27分1. 画出硅pn结零偏反偏和正偏条件下的能带图,标出有关能量. 9 分2. 画出n型衬底上理想的金属半导体接触理想金属半导体接触的含义:金属半导体界面无界面态,不考虑镜像电荷的。

18、半导体器件原理简明教程习题答案半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华1.1简述单晶多晶非晶体材料结构的基本特点解整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料 ;原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多。

19、项目 一 二 三 四 五 总分 满分 100 得分 一选择题:含多项选择,选择题:含多项选择,共共 30 分,每空分,每空 1 分分,错选漏选多选,错选漏选多选均不得分均不得分1半导体硅材料的晶格结构是A A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿。