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    反激变换器Flyback的设计和计算步骤.docx

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    反激变换器Flyback的设计和计算步骤.docx

    1、反激变换器Flyback的设计和计算步骤反激变换器(Flyback)的设计和计算步骤齐纳管吸收漏感能量的反激变换器:0. 设计前需要确定的参数A 开关管Q的耐压值:VmqB 输入电压范围:Vinmin VinmaxC 输出电压VoD 电源额定输出功率:Po(或负载电流Io)E 电源效率:XF 电流/磁通密度纹波率:r(取,见注释C)G 工作频率:fH 最大输出电压纹波:Vopp1. 齐纳管DZ的稳压值VzVz = Vmq 95% - Vinmax,开关管Q承受的电压是Vin + Vz,在Vinmax处还应为Vmq保留5%裕量,因此有 Vinmax + Vz Von dt = Np Ae dB

    2、- Np = (Von dt) / (dB Ae) = (Von D/f) / (dB Ae) = (Von D) / (dB Ae f) = (Von D) / (2r/(r + 2) Bpk Ae f) = (1 + 2/r) (Von D)/(2 Bpk Ae f)F Np计算完后应验证此值是否适合磁芯的窗口面积,及骨架、隔离带、安全胶带、二次绕组和套管等,通常在反激变压器中这些都不会有问题;如果需要减少Np,可以考虑增大r,减小D,或增大磁芯面积,但磁导率和气隙不会解决问题。G 电感与磁导率的相关方程:L = (1/z) (u u0 Ae / le) N2,其中气隙系数 z = (le

    3、 + u lg) / le 。对于铁氧体材料的气隙变压器,z 取值10 20是较好的折中选择。H 反激(buck-boost)中二极管平均电流等于负载电流Io,损耗是Pd = Io Vd,而二极管正向压降Vd随其额定电流上升而下降,故折中考虑,选取其额定电流为2 Io 。I Buck-boost 中二极管最大承压是 Vinmax + Vo,在反激中Vinmax折算到二次侧为 Vinmax / n,同时给额定值留出20%的裕量,所以最终选择二极管的额定耐压定位 Vdm = Vdm = (1 + 20%) (Vo + Vinmax / n) 。J 对所有拓扑,开关管有效值电流在Dmax处最大,且

    4、Iqrms = Il_dmax (Dmax (1 + r_dmax2/12),开关管的损耗 Pq = Iqrms2 Rds,其中Rds是开关管的正向压降,此压降随开关管的额定电流增大而减小,所以折中选择开关管的额定电流为 2 Iqrms 。K Buck-boost 中开关管最大承压是 Vinmax + Vo,在反激变换器中Vo折算到一次侧为 Vor,同时给额定值预留20%的裕量,所以最终选择开关管的耐压为 Vqm = (1 + 20%) (Vor + Vinmax)L Buck-boost 中输入电容最恶劣电流有效值发生在Dmax,其值为 Irms_cin = Il_dmax (Dmax (1

    5、 - Dmax + r_dmax2/12) ,一般选择电容时其额定纹波电流应等于或大于此值。M 根据如下:Co 实际上需要维持t_on时的电荷流失,此电荷量为 dQ = Io t_on,而此时电容电压的变化是 dUco = dQ / Co = Vopp,由此得 Co = lo t_on / Vopp 。N Buck-boost 中输出电容最恶劣有效值发生在Dmax, 其值为 Irms_co = Io (Dmax + r_dmax2/12) / (1 - Dmax) ,一般选择电容是器额定纹波电流应等于或大于此值。O 考虑漏感电流不超过一次绕组电流的20%,仅为估计,无计算根据。P RCD电路的

    6、分析和计算如下:(1)工作过程:开关管截止后,漏感电流通过D对C迅速充电,然后C通过R放电,消耗漏感能量于R上。(2)充电过程时间很短,相对整个周期可以忽略。(3)C不能太大,否则吸收能量过多,影响变压器能量传递,同时R成为变换器的死负载。(4)R不能太小,否则放电太快,C电压降到反射电压(Vor)时R开始消耗二次传过来的能量,所以R要使C的放电电压在开关导通时不小于反射电压。根据以上分析,计算推导如下:Vcmax Vor,把Vc线性化,可得 Vcmax / Vor = T / t_ON,T为开关周期,t_ON为开关导通时间,由此得Vcmax = Vor / D (式1)当开关导通时C上电压刚

    7、好等于反射电压有:Vcmax e(-(1 - D) T / (R C) = Vor,由 T = 1 / f 整理得R C = (D - 1) / (f ln(D) (式2)Vc的最小值 Vcmin = Vcmax e(-T / (R C) (式3)此时漏感能量全部被RC电路吸收,有如下方程: Llk Ipk2 = C (Vcmax2 - Vcmin2) (式4)整理式3和式4可以得到C = Ipk2 Llk / (Vcmax2 (1 - e(2 ln(D) / (1 - D)由上式和式2可以得R = (D - 1) / (C f ln(D)电阻R消耗的功率是 Pr = Llk Ipk2 fQ

    8、LCD无损吸收网络的分析和计算:(1)开关管截止时,一方面变压器漏感和一次绕组通过D1对Cr充电,把漏感能量储存于Cr;另一方面,Lr的电流储能通过D1、D2反馈给电源输入电容C_IN 。(2)开关管导通时,Cr通过D2、Lr进行放电,把能量传递给Lr,能量由电容电压转换为电感的电流能量。(3)稳态下,设Cr开始充电(Q截止)时电压是Vcr0,充电结束时电压是Vcr1,则为了不吸收便压器正常工作的能量传递有 Vcr0 = Vor;考虑能量的传递过程则有 Llk Ipk2 = Cr (Vcr12 - Vcr02),令 k = Vcr1 / Vcr0,同时设Vcr0 = Vor,整理得 Cr =

    9、Llk Ipk2 / (Vor (k2 - 1) 。(4)稳态下,Cr的放电过程(Q导通)也就是Cr、Lr的谐振过程,所以Cr的电压方程是 uc = Vcr1 cos(wt),Lr的电流方程是 il = (Cr / Lr) Vcr1 sin(wt),其中角频率 w = 1 / (Lr Cr) 。此处我们需要在导通时间结束时Cr上的电压降至Vcr0,由此得 Vcr1 cos(w (D / f) = Vcr0,且 w (D / f) PI / 2,PI是圆周率。整理方程得 Lr = D2 / (Cr f2 (arccos(Vcr0 / Vcr1)2) 。(5)Q截止状态下Cr充电的时间和Q导通状态下Lr的续流放电时间很短,因此在分析过程中忽略。


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