1、集成电路技术综合练习真题精选填空题1什么是离子注入损伤？参考答案 ：离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。填空题 2有哪些损伤类型？参考答案 ：损伤类型：空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。填空题 3所谓集成电路，是指采用（），把一个电路中所需的二极管、（）、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的（）或介质基片上一同制作出来，形成完整电路，然后（）在一个管壳内，成为具有特定电路功能的微型结构。参考答案 ：半导体工艺；晶体管；半导体晶片；封装填空题 4什么是沟道效应？参考答案 ：对晶体靶进行离子注入时，当离
2、子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的，而是将沿沟道运动并且很少受到原子核的碰撞，因此来自靶原子的阻止作用要小得多，而且沟道中的电子密度很低，受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损失率就很低。在其他条件相同的情况下，很难控制注入离子的浓度分布，注入深度大于在无定形靶中的深度并使注入离子的分布产生一个很长的拖尾，注入纵向分布峰值与高斯分布不同，这种现象称为离子注入的沟道效应。填空题 5如何降低沟道效应？参考答案 ：减少沟道效应的措施：（1）对大的离子，沿沟道轴向（110）偏离710o；（2）用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（3）增加注入剂量；（
3、4）表面用SiO2层掩膜。填空题 6同时减小（）与（），可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积，提高电路集成度。因此，缩短MOSFET尺寸是VLSI发展的趋势。参考答案 ：L、tox；W填空题 7与扩散源相比，离子注入有哪些优点？参考答案 ：1.可在较低的温度下，将各种杂质掺入到不同的半导体中；2.能够精确控制晶圆片内杂质的浓度分布和注入的深度；3.可实现大面积均匀性掺杂，而且重复性好；4.掺入杂质纯度高；5.由于注入粒子的直射性，杂质的横向扩散小；6.可得到理想的杂质分布；7.工艺条件容易控制。填空题 8需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容，包括（）及必须满足的（）。系统规格定义系
4、统边界及系统与环境相互作用的信息，在这个规格中，系统以（）的方式体现出来。参考答案 ：系统功能；制约；黑盒子填空题 9扩散源有哪些存在形态？参考答案 ：扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。填空题 10体系结构设计的三要素为：（）。参考答案 ：建模、探索、细化填空题 11热扩散机制有哪些？参考答案 ：替位式扩散、填隙式扩散、填隙替位式扩散填空题 12高位综合是指从（）描述自动生成（）描述的过程。与人工设计相比，高位综合不仅可以尽可能地缩短（），而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。参考答案 ：算法级；RTL级；开发周期填空题 13氧化膜厚度的测定方法？参考答案 ：双光干涉法、比
5、色法填空题 14逻辑综合在推断RTL部品时，将值的变化通过时钟触发的信号推断为（），将与时钟无关但某个条件下保持值不变的信号推断为（），将某个条件下生成Z的信号推断为（），将其它的推断为（）。参考答案 ：D-FF；Latch；三状态门；组合电路填空题 15热氧化常见的缺陷有？参考答案 ：表面缺陷、结构缺陷、氧化层中的电荷填空题 16布局布线的步骤分为：（）、电源布线、（）、时钟布线、（）等。参考答案 ：布图规划；布局（设计）；布线（设计）填空题 17影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施？参考答案 ：（1）可动离子电荷（Qm）：加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺
6、氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂（2）固定离子电荷Qf：（1）采用干氧氧化方法（2）氧化后，高温惰性气体中退火（3）界面陷阱电荷Qit：在金属化后退火（PMA.；低温、惰性气体退火可降低（4）氧化层陷阱电荷Qot：选择适当的氧化工艺条件；在惰性气体中进行低温退火；采用对辐照不灵敏的钝化层可降低多项选择题18、集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。A.漏电流增大导致总功耗增加B.栅极氧化膜厚度接近物理极限C.电路规模增大导致动态功耗增加D.配线延迟不能相应降低从而影响性能参考答案 ：A,B,D填空题 19影响氧化速率的因素有？参考答案 ：温度、气体分压、硅晶向、掺杂填空题 20热
7、氧化工艺有哪些？参考答案 ：有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化单项选择题21、MOSFET的温度特性体现为：（）。A.温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B.温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降参考答案 ：D更多内容请访问睦霖题库微信公众号填空题 22氧化硅的主要作用有哪些？参考答案 ：1、作为掩膜，2、作为芯片的钙化和保护膜，3、作为电隔离膜，4、作为元器件的组成部分。多项选择题23、关于CMOS反相器，以下描述中哪些是正确的（）。A.AB.BC.CD.D参考答
8、案 ：A,C,D填空题 24SiO2中杂质有哪些类型？参考答案 ：替代式杂质、间隙式杂质多项选择题25、以下哪些为微处理器IP必须具备的功能（）。A.FetchB.DecodeC.ExecuteD.EncodeE.WritebackF.Compile参考答案 ：A,B,C,E填空题 26何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？参考答案 ：连接两个SiO四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松。单项选择题27、以下描述比较不同抽象度设计的仿真速度，哪些是正确的（）。A.算法级门级RTL级B.RTL级门级算法
9、级C.门级算法级RTL级D.算法级RTL级门级参考答案 ：D填空题 28何谓掺杂？参考答案 ：在一种材料（基质）中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料（基质）产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。多项选择题29、以下问题描述中，哪些有可能通过可测性设计发现（）。A.制造误差B.性能问题C.制造故障D.功能未满足顾客的需求参考答案 ：A,C填空题 30SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？参考答案 ：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。多项选择题31、以下描述与可测性设计的设计制约相关，哪
10、些是正确的（）。A.禁止使用循环组合电路B.FF的时钟信号必须能够从外部端口直接控制C.FF的复位信号必须能够从外部端口直接控制D.扫描测试时，RAM和内核需要分开进行设计参考答案 ：A,B,C,D填空题 32 CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？参考答案 ：包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光多项选择题33、在以下关于内建自测试法的描述中，哪些是正确的（）。A.由于内嵌测试模式发生器，不需要额外生成测试模式B.由于只输出GO/NOGO，故障分析很困难C.由于
11、内嵌测试输出评估部，不需要高价测试设备，可降低成本D.不可用于Burn-In测试参考答案 ：A,B,C填空题 34硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？参考答案 ：腐蚀方式：喷淋及浸泡多项选择题35、以下时间因素中，会对电路最终的工作频率产生影响的有：（）。A.clock skewB.组合电路的最大延迟C.FF的Setup时间D.FF的Hold时间参考答案 ：A,B,C,D填空题 36硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？参考答案 ：清洗顺序：去分子去离子去原子去离子水冲洗烘干、甩干多项选择题37、在以下关于布局布线算法的描述中，哪些是正确的（）。A.是一种高速计算近似值的算法B.是在实际可行的时间内计
12、算布局布线最优解的算法C.是求局部最优解的算法D.为了让近似值接近最优解，有必要改变执行条件（初解、控制参数）多次进行重新计算参考答案 ：A,C,D填空题 38硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？参考答案 ：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型多项选择题39、以下属于光刻工艺的为：（）。A.光刻胶涂覆B.曝光C.显影D.腐蚀参考答案 ：A,B,C,D填空题 40与Al布线相比，Cu布线有何优点？参考答案 ：铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。多项选择题41、以下为封装外型的为：（）。A.DIPB.QFPC.BGAD.CSP参考答案
13、：A,B,C,D填空题 42什么是低K材料？参考答案 ：低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料填空题 43集成电路按照应用领域可以分为：（）与模拟集成电路。参考答案 ：存储器、微处理器、逻辑集成电路填空题 44简述硅单晶研磨清洗的重要性。参考答案 ：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率填空题 45以下代码描述了4位到2位的解码器模
14、块DEC（具体见以下注释）。请使用VerilogHDL描述语言写出能满足下列条件的测试平台模块testbench：1.DEC作为testbench的子模块，所有输入信号都由testbench生成并供给；2.输入信号din必须随机生成；3.必须在testbench内部自动判定DEC输出信号dout正确与非；4.能够将波形保存至文件。填空题 46切片可决定晶片的哪四个参数？参考答案 ：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。多项选择题47、在以下关于布局布线的描述中，哪些是正确的（）。A.布线分全局布线与详细布线两个阶段，决定布线途径B.当某个布线变为不可能时，确定并拆除成为
15、其障碍物的布线群，进行重新布线，使其不再成为其它布线的障碍C.基于阶层的布局设计包括自顶向下的布图规划和自下向上的模块布局D.自顶向下的布图规划包括对阶层模块进行面积预估、确定aspect比、放置模块及模块间时间制约的分割参考答案 ：A,B,C,D填空题 48将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？参考答案 ：包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。多项选择题49、以下属于版图设计的验证科目有：（）。A.DRCB.LVSC.时序验证D.信号完全性参考答案 ：A,B,C,D填空题 50小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？参考答案 ：小尺寸MOS器件中的二级效应包括：短
16、沟道效应；窄沟道效应；饱和区沟道长度调制效应；迁移率退化和速度饱和；热电子效应。多项选择题51、SOC设计采用基于IP分离的可测性设计，具体的实现手段有：（）。A.Distributed BISTB.DirectAccessC.Test BusD.Boundary Scan参考答案 ：B,C,D填空题 52连线寄生效应对集成电路性能的影响。参考答案 ：连线寄生效应的影响：连线存在着寄生电阻、电容；由于金属的电阻率是基本不变的，这将导致按比例缩小后电路内连线的电阻增大；芯片面积增大使连线长度增加，连线RC延迟影响加大；连线寄生效应对电路可靠性和速度带来影响。填空题 53形成SOI材料的主要技术有
17、哪些？参考答案 ：注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。多项选择题54、以下关于可测性设计的描述中，哪些是正确的（）。A.可测性设计就是在设计阶段考虑测试因素，牺牲一部分芯片面积换得测试的容易化B.可测性设计使用自动生成工具（ATPG），易于生成故障覆盖率高的测试模式C.可测性设计由于增加了设计负荷，将一定导致芯片整体开发成本的增加D.可观察性与可控制性是衡量可测性设计的两个尺度参考答案 ：A,B,D填空题 55输入缓冲器的作用是什么？参考答案 ：作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。多项选择题56、以下关于逻辑综合的描述，哪些是正确的（）。A.逻辑综合的结果是唯一的B.逻辑综合
18、技术可分为生成顺序电路和生成组合电路两类C.布尔逻辑公式的简化一般与制造工艺无关D.同一逻辑可以由多种电路实现，逻辑综合则选择与面积、延迟时间、功耗等要求最接近的电路参考答案 ：B,C,D填空题57N+埋层的作用是什么？参考答案 ：减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生PNP管效应。多项选择题58、以下关于设计抽象度的描述中，哪些是正确的（）。A.算法级描述决定系统的实施方式（体系结构、算法）B.门级描述是基于基本元件（AND/OR/NOT/FF等）的电路设计C.门级描述决定硬件的处理方式（数据电路与控制电路）D.RTL描述包括时钟级的时序设计参考答案 ：A,B,D填空题 59NMOS晶体管可分为哪种类型？参考答案 ：增强型NMOS和耗尽型NMOS。填空题 60集成电路的加工过程的基本操作是什么？参考答案 ：形成某种材料的薄膜；在各种材料的薄膜上形成需要的图形；通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。
