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    无机材料科学基础综合测试3.docx

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    无机材料科学基础综合测试3.docx

    1、无机材料科学基础综合测试3测试三一、名词解释(每小题3分,共18分)1同质多晶现象2静电键强度3非均态核化4结构驰豫5重构表面6不一致熔融化合物二、填空(每小题2分,共20分)1. 在O2作面心立方密堆积的晶体中,为获得稳定结构,正离子将所有八面体空隙均填满的晶体有_ _;填满一半四面体空隙的晶体有_(请各举一例)。它们分别属于和_ 型结构。2. 反尖晶石的表达式可写成,其中填入 的四面体空隙, 填充 的八面体空隙,单位结构内含有 个分子数。3. 下列硅酸盐晶体矿物:CaAl2Si2O8、KAl2AlSi3O10(OH)2、Be3Al2Si6O18、Ca2Mg5Si4O11(OH)2分别属于、

    2、和结构。4. 已知MgO晶体的肖特基缺陷生成能为6ev,则该晶体在1600时的空位浓度为_。5. 加ThF4到CaF2中形成间隙型固溶体,则缺陷反应方程式为 ,固溶体分子式为。6. 化合物TiO2X由于在组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是_,属于_型非化学计量化合物,应在_气氛下形成。7. 晶体线缺陷中,位错线与滑移方向平行的是,用符号表示,产生原因为。8. 粘土粒子破键引起的荷电与介质的pH值有关,高岭土在酸性介质中边棱带_电荷;在碱性介质中边棱带_电荷。9. 一种玻璃的摩尔组成为30molNa2O10molAl2O360molSiO2,则四个基本结构参数分别为Z_,R_,X_,Y_。10

    3、. 三种典型离子化合物PbI2、PbF2、CaF2的比表面能分别为1.3105J/m2、9.0105J/m2、25.0105J/m2,由此可以预计这三种化合物的表面双电层厚度的大小次序为。三、选择(每小题2分,共22分)1 三元系统相图中,若存在n条边界曲线,则此系统相图中能连接出的连结线数目必是 A. (n1)条 B. n条 C. (n+1)条 D. 数目不定2在n个球构成的六方或面心立方最紧密堆积中,存在的八面体空隙数为 A.个B.个 C. n个 D. 2n个3某离子分合物的正、负离子半径在r/ r0.562,则正离子的配位数为 A. 3 B. 4 C. 6 D. 84萤石(CaF2)晶体

    4、结构中,所有Ca2+作面心立方密堆积,F填充 A. 全部四面体空隙 B. 全部八面体空隙 C.四面体空隙D.八面体空隙5钙钛矿(CaTiO3)结构中,正、负离子配位数CaTiO=1266,其中与每个O2配位的正离子为 A. 4个Ti4+,2个Ca2+ B. 4个Ca2+, 2个Ti4+ C. 3个Ca2+, 3个Ti4+D. 6个Ca2+6在Al2O3中掺入0.5mol%NiO和0.02mol%Cr2O3所制成的金黄色人造黄玉,经分析认为是形成了置换型固溶体,于是此人造黄玉的化学式可写成 A. Al1.9946Ni0.005Cr0.0002O2.9975B. Al1.9948Ni0.005Cr

    5、0.0004O3 C. Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975D. Al1.9948Ni0.005Cr0.0002O37若有一个变价金属氧化物MO,在还原性气氛下形成缺氧型非化学计量化合物,金属正离子M和氧离子数之比为M:O=1.11,则:其化学式为 A. MO0.91 B. M1.1OC. MO0.89D. MO1.18多种聚合程度不等的负离子团同时并存而不是一种独存,是硅酸盐熔体结构远程无序的实质。当熔体的组成不变时,熔体中各级聚合体的数量与温度的关系是:温度升高,A. 高聚体的数量多于低聚体的数量B. 高聚体的数量少于低聚体的数量C. 高聚体的数量增加D. 高聚体的

    6、数量减少9在简单碱金属硅酸盐熔体R2OSiO2中,正离子R+的含量对熔体的粘度颇具影响当R2O含量较高,即O/Si比值较大时,降低粘度的次序为:K+Na+Li+,这是因为A. K2O引入的游离氧最多,则降低粘度的作用最大B. SiO4连接方式已接近岛状,四面体基本上靠RO键相连,R+半径越大,RO键力越弱C. 因rLi+rNa+ PbF2 CaF2三、选择(每小题2分,共20分)1三元系统相图中,若存在n条边界曲线,则此系统相图中能连接出的连结线数目必是(B) A. (n1)条 B. n条 C. (n+1)条 D. 数目不定2在几个球构成的六方或面心立方最紧密堆积中,存在的八面体空隙数为(C)

    7、 A.个 B.个 C.n个 D. 2n个3某离子分合物的正、负离子半径在r/ r0.573,则正离子的配位数为(C) A. 3 B. 4 C. 6 D. 84萤石(CaF2)晶体结构中,所有Ca2+作面心立方密堆积,F填充(A) A. 全部四面体空隙 B. 全部八面体空隙 C.四面体空隙 D.八面体空隙5钙钛矿(CaTiO3)结构中,正、负离子配位数CaTiO=1266,其中与每个O2配位的正离子为(B) A. 4个Ti4+,2个Ca2+ B. 4个Ca2+, 2个Ti4+ C. 3个Ca2+, 3个Ti4+ D. 6个Ca2+6在Al2O3中掺入0.5mol%NiO和0.02mol%Cr2O

    8、3所制成的金黄色人造黄玉,经分析认为是形成了置换型固溶体,于是此人造黄玉的化学式可写成(C) A. Al1.9946Ni0.005Cr0.0002O2.9975B. Al1.9948Ni0.005Cr0.0004O3 C. Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975 D. Al1.9948Ni0.005Cr0.0002O37若有一个变价金属氧化物MO,在还原性气氛下形成缺氧型非化学计量化合物,金属正离子M和氧离子数之比为M:O=1.11,则:其化学式为(A) A. MO0.91 B. M1.1O C. MO0.89 D. MO1.18多种聚合程度不等的负离子团同时并存而不是一

    9、种独存,是硅酸盐熔体结构远程无序的实质。当熔体的组成不变时,熔体中各级聚合体的数量与温度的关系是:温度升高(D) A. 高聚体的数量多于低聚体的数量 B. 高聚体的数量少于低聚体的数量C. 高聚体的数量增加D. 高聚体的数量减少9在简单碱金属硅酸盐熔体R2OSiO2中,正离子R+的含量对熔体的粘度颇具影响当R2O含量较高,即O/Si比值较大时,降低粘度的次序为:K+Na+Li+,这是因为(B)A. K2O引入的游离氧最多,则降低粘度的作用最大B. SiO4连接方式已接近岛状,四面体基本上靠RO键相连,R+半径越大,RO键力越弱C. 因rLi+rNa+rk+,Li+极化能力最强D. SiO4间的

    10、SiO键是粘度的主要表征,R+半径越小,对SiO键的削弱能力越强10粘土的许多性能与所吸附的阳离子种类有关。当粘土吸附下列不同阳离子后,其性能的变化规律以箭头(大小)表示的是(C)H、Al3、Ba2、Sr2、Ca2、Mg2、NH3、K、Na、Li A. 泥浆的稳定性 B. 泥浆的流动性 C. 泥浆的滤水性 D. 泥浆的电位11当液体(L)与固体(S)相接触,固体不被液体所润湿,则两相的表面张力关系应为(D) A. B. C. D.四、计算与问答(共40分)1氯化铯(CsCl)结构中,已知离子半径:Cs为0.182nm,Cl为0.155nm;原子量:Cs为132.91,Cl为35.45。1)请计

    11、算球状离子所占据的空间分数(即空间利用率);2)CsCl晶体的密度。假设Cs离子和Cl离子沿立方对角线接触。(10分) 【解】2图1为Al2O3料浆电位和粘度与pH值的关系,请分析该实验结果并说明在实际Al2O3陶瓷生产中的意义。(12分)图1【解】从图1可见,当pH从115时,料浆电位出现两次最大值。pH3时,电位183mV;pH12时,电位70.4mV。对应于电位最大值时,料浆粘度最低。而且在酸性介质中料浆粘度更低。原因:Al2O3为水溶性两性氧化物,在酸性介质中例如加入HCl,Al2O3呈碱性,其反应如下:Al2O3在酸性介质中生成AlCl2、AlCl2和OH离子,Al2O3胶粒优先吸附

    12、含铅的AlCl2和AlCl2离子,使Al2O3成为一个带正电的胶粒,然后吸附OH而形成一个庞大的胶团如图3(a)示。当pH较低时,即HCl浓度增加,液体中Cl增多而逐渐进入吸附层取代OH。由于Cl的水化能力比OH强,Cl水化膜厚,因此Cl进入吸附层的个数减少而留在扩散层的数量增加,致使胶粒正电荷升高和扩散层增厚,结果导致胶粒电位升高。料浆粘度降低。如果介质pH再降低,由于大量Cl压入吸附层,致使胶粒正电荷降低和扩散层变薄,电位随之下降。料浆粘度升高。在碱性介质中例如加入NaOH, Al2O3呈酸性,其反应如下:这时Al2O3胶料优先吸附AlO2,使胶粒带负电,然后吸附Na形成一个胶团,这个胶团

    13、同样随介质pH变化而有电位的升高或降低,导致料浆粘度的降低和增高。Al2O3陶瓷生产中应用此原理来调节 Al2O3料浆的pH值,使之悬浮或聚沉。3图2为ABC三元系统相图。(1)说明化合物D1、D2和D3的性质;(2)划分副三角形,判断各三元无变量点E、F、G、H、I的性质,并写出相平衡方程;(3)用箭头标出DABC边上及各界线上的温降方向,并判断各界线性质;(4)写出组成为M熔体的析晶过程相平衡表达式,并计算液相组成点刚达到结晶结束点时所存在的各相的百分含量(用线段表示);(5)请画出AB、BC、AC二元系统相图,并注明各相区。(18分)【解】1)D1为不一致熔融二元化合物,D2为一致熔融二元化合物D3为不一致熔融三元化合物(3分) 2)如图划分副三角形,可得:E为低共熔点,LEAD3CF为低共熔点,LFAD3D1G为低共熔点,LGBD3D1H为单转熔点,LHD2D3BI为单转熔点,LICD2D3(5分) 3)DABC边上及各界线上的温降方向如图所示,其中EI和Se1为转熔线,有:EI:LEICD3Se1:LEAD1(2分)4)M熔体的结晶路线如图所示,析晶过程相平衡表达式为:(3分)当液相组成点刚达到结晶结束点G时,有:液相量固相D3量固相B量 (2分)


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