1、模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有
2、关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 )，
3、二极管导通(短路); 若 V阳 u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第七章 放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数 反馈深度环路增益： 1当时，下降，这种反馈称为负反馈。 2当时，表明反馈效果为零。3当时，升高，这种反馈称为正反馈。4当时 ， 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。 3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电
4、压；具有稳定输出电压的作用。 （输出短路时反馈消失） 电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 （输出短路时反馈不消失）4. 反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端） 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。 Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端） 5. 反馈极性-瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号 的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用 + 表示，降低用 表示）。（3）确定反馈信号的极性。
5、（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。 三. 反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四. 负反馈对放大电路性能的影响 1. 提高放大倍数的稳定性2.3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍五. 自激振荡产生的原因和条件1. 产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。 2.
6、产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 第八章 信号的运算与处理分析依据- “虚断”和“虚短”一. 基本运算电路1. 反相比例运算电路 R2 =R1/Rf 2. 同相比例运算电路 R2=R1/Rf 3. 反相求和运算电路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和运算电路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55. 加减运算电路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5二. 积分和微分运算电路1. 积分运算2. 微分运算 第九章 信号发生电路一. 正弦波振荡电路的基本概念1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件： 2. 起振条件: 幅值条件 ：相位条件:3.正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1) 放大电路-建立和维持振荡。(2) 正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。(3) 选频网络-以选择某一频率进行振荡。(4) 稳幅环节-使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类(1) RC振荡器-振荡频率较低,1M以下;(2) LC振荡器-振荡频率较高,1M以上;(3) 石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。
