1、 ROM：只读存储器。即只能有条件的写入，但可随机读取；断电后存储在其中的数据不会丢失。它的作用是，保存不能丢失的，计算机运行时必须使用的程序和数据，如主板BIOS及适配卡的BIOS等。目前在嵌入式系统，如掌上电脑等更加普遍地使用ROM，但在这些系统中通常称为闪存或固件。它们具有ROM的性质。 DRAM：动态随机访问存储器。即可随机的写入也可随机的读取；断电后存储在其中的数据即刻丢失。这种内存的另一重要特点是，需要每隔一定的时间，将存储在其中的数据重新写入一次，即刷新。DRAM的作用是，保存处理器需要使用的程序和需要处理的数据的拷贝，和处理器处理之后的数据。 SRAM：静态RAM。它与DRAM
2、特性类似，只是不需要定时刷新。由于SRAM的价格比DRAM昂贵，但比DRAM速度快，因此它往往作为缓存使用。2. 性能参数1. 内存的速度：内存速度通常以ns（纳秒），或MHz表示速度。也称为工作频率，SDRAM的核心频率与数据传输频率是一致的，但是到DDR内存，内存的核心工作频率、数据传输频率是不同的，后文将介绍。纳秒（ns）：是衡量时间长短的单位，等于一秒的十亿分之即10-9秒。在衡量内存的速度时表示内存一个工作周期占用时间的长短，如PC133的SDRAM的工作周期是7.5纳秒。兆赫兹（MHz）：是表示频率快慢的单位，即每秒百万个周期。在衡量内存的速度时表示内存在一秒内会运行多少个周期。如
3、PC133的SDRAM的工作频率是133 MHz。纳秒与兆赫兹之间互相转换的方法：频率（MHz）= 1秒 / 周期（ns）例如工作周期7.5 ns的内存的工作频率是：133 MHz = 1秒 / 7.5 ns2. 数据带宽：是指内存一个工作周期内移动的数据位数，常用单位是bit3. 数据传输率：在单位时间内内存传输的数据量，单位是MB/S。内存数据传输率=数据带宽X内存数据传输频率/8 （MB/S）3. 笔记本电脑内存分类 由于笔记本电脑内部空间较小，结构紧凑，大部分笔记本电脑最多只有两个内存插槽。笔记本电脑使用专用的内存插槽SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）
4、，它的尺寸比标准的DIMM要小很多。目前联想笔记本采用的主流内存类型有：SDRAM、DDR、DDRII。下面我们分别进行介绍：4. SDRAM内存SDRAM的全称是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器），这种内存可以使所有的输入输出信号保持与系统时钟同步。由于SDRAM的位宽为64Bit，因此可以单条工作。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等3种规格，其中66、100、133分别代表内存工作的频率，既66MHz、100MHz、133 MHz。从PC100开始，加入了SPD芯片。SPD是Serial Presence D
5、etect的缩写，它指的是内存条上一个E2PROM芯片以及它里边记录的数据；SPD里面的数据有128Byte，每一个都代表特定的意思，分别指出该内存条的各种信息，包括容量、组成结构、性能参数以及厂家信息等。工作电压：3.3V插槽规格：SO-DIMM 144 PIN 适用机型：联想早期PENTIUM III、PENTIUM 4笔记本。144Pin SO-DIMM笔记本内存5. DDR内存DDR内SDRAM称是DDR SDRAM，其本质上也就是SDRAM，原理与普通SDRAM基本相同。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数
6、据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器（Double Data Rate SDRAMDDR SDRAM），也就是实际数据传输频率（也称等效传输频率）是核心工作频率的2倍。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。各规格DDR内存性能参数列表：2.5VSO-DIMM 200PIN采用INTEL855系列芯片组的联想笔记本，普遍采用DDR内存。200Pin SO-DIMM笔记本内存6. DDR II DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下
7、降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4 bit Prefetch -4bit数据读预取）。DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。既DDR2采用“ （4位预取）”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据频率也能达到800MHz也就是所谓的DDR2 800。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性
8、能与散热性。深入了解DDRII的技术，请参见本章附件。1.8V接口规格：MicroDIMM 214PIN采用INTEL915系列芯片组的联想笔记本4. 内存容错技术内存错误通常分为两大类：硬错误（hard fail）和软错误（soft error）。硬错误即芯片工作一段时间后，由于缺陷、物理破坏或其他问题而永久性的损坏。要修复这种错误通常要求替换一些存储硬件，如芯片、SIMM或DIMM。硬错误的出现.频率可以用HER来表示。软错误不是永久性的，而且它们不会再发生或者只是偶尔会再次发生。通过关机重启系统，软错误就可以被有效的“修复”。引起软错误的原因可能有： 电源不稳或电压抖动。 类型或速度不匹
9、配。 无线电波干扰。 静电放电。 不适时的脉冲。 宇宙射线干扰。如何处理这些软错误呢?最好的方法是增强系统的容错能力，这意味着要在PC系统中实现检测和尽可能纠错的方法。常用内存容错技术有：1 奇偶校验：是通过记录一串数据中1或0个数的奇偶性来判断数据串在传输过程中是否有错误的一种校验方法。奇偶校验能检测到错误，但却无法纠正系统错误。IBM的标准奇偶校验设置是9个内存芯片构成一个内存体，每个芯片处理一位数据：每个字符8位，加上一个奇偶校验位。奇偶校验位允许内存控制电路对其他8位进行标记保证系统中每个字节完整性的内置检查。如果电路检测到错误，计算机停止工作并显示信息通知用户发生了故障。如果用户使用
10、了GUI（图形用户操作界面）操作系统如Windows，奇偶校验错误通常使之进入锁定状态。当重启系统时，BIOS会检测错误并显示相应的错误信息。2 ECC（纠错码）：ECC不仅能检测错误还允许修正一位错误，就是说，系统可以继续工作而不必中断也不会破坏数据。但对于双位出错只能检测而不能修复。研究表明，大约98的内存错误是单个位出错。对于最常用的ECC，内存控制器对已访问的数据字段进行单位的错误检测和修复（双位错误可被控制器检测但无法修正）。这种ECC又叫做SEC-DED（Single-bit Error Correction-Double-bit Error Detection，单位错误修正双位错
11、误检测）。它要求在一个4字节的系统附加7位在原来的 32位上，而一个8字节的系统则要附加8位到原来的64位。一个4字节（32位）系统（如486）中 ECC的开销显然要大于不带或带奇偶校验的开销。5. 常见故障及排除方法1 由于内存原因引发的常见故障现象：1）加电自检阶段：开机后或重启时，电源指示灯亮但无显示，却有报警声。系统启动阶段：启动过程中死机、蓝屏。2）安装操作系统：在安装操作系统过程中，拷贝文件时蓝屏，或在启动准备进入安装界面的过程中死机。或在完成操作系统安装后的第一次重启时，提示保护错。3）休眠唤醒阶段：待机、休眠后不能唤醒或唤醒时报错。4）系统及软件运行中：操作系统运行时速度慢，经
12、常蓝屏、死机。2故障排除方法：当怀疑内存故障后，不要盲目更换内存，可以先进行以下操作：1）对内存进行重新插拔，这主要是由于笔记本在移动过程中受到震动导致内存松动，或使用环境温度变化造成插槽轻微变形，导致内存与插槽接触不良，易在加电自检阶段出现故障，而内存本身没有故障，经过重新插拔后可有效排除故障。2）清洁内存金手指，内存长期使用中，金手指表面会产生氧化，导致与内存插槽接触不良，易在加电自检阶段出现故障，而内存本身没有故障，用橡皮擦拭金手指去除氧化层后，通常可排除故障。3）用内存测试软件对内存进行检测，可辅助确认内存是否存在故障，常用的内存测试软件有DocMemory、Goldmemory、RM
13、T等。6. 附件：内存测试软件介绍1 DocMemory内存测试软件1）软件介绍DocMemory是一个基于DOS系统的内存测试软件。在系统运行状态下，可测试绝大部分的内存可能故障。DocMemory可测试EDO、SDRAM、RAMBUS、DDR等各种类型的内存。DocMemory兼容性较好，但测试时间偏长，推荐优先使用另一测试软件RMT。2）系统配置硬件配置：Intel 386以上CPU或AMD Athlon 或 Cyrix CPU的PC系统 内存：无最大最小要求，可兼容EDO、SDRAM、DDR、RAMBUS等软件环境：DocMemory必须在启动软盘上运行，必须运行于纯DOS方式下。3）
14、安装软件在DocMemory所在目录下运行SETUP. EXE，进入安装界面，在软驱内放一张空白软盘，选择MAKE BOOT-DISK选项，安装程序会格式化软盘并拷贝所需文件。在要测试的系统上用此软盘启动即可自动进入测试程序。4）操作步骤在要测试的系统上用DocMemory制作的测试软盘启动即可自动进入测试程序，程序将自动运行测试。运行DocMemory之后，启动界面如图：选择Quick-Test即可运行测试，运行过程中，若当前内存存在故障，程序将报错并发出鸣叫提示，这时可按ESC键停止测试，否则，程序将自动运行直至所有测试项目测试完毕。测试完成后按Alt+X键退出，回到DOS下。5）功能测试
15、 Quick-Test：运行全部测试项目一次 Burnt-Test：若需老化测试可用此项，测试项目与Quick-Test相同，Burnt-Test为循环多次测试 在图一菜单可按ESC跳过，进入主界面对测试进行自定义 按Alt+P进入测试项目选择菜单，默认为全选 按Alt+O设置循环次数，设置范围为1-9999，默认为1 按Alt+G可设置测试范围，可选择基本内存或扩展内存，默认为全选 全部设置完毕后按F5开始测试1）测试通过：在每一个子功能测试通过则提是“PASS”，并进入下一个功能测试2） 若有一项子功能测试出错，则程序报出错信息提示：Error! Failed Address：*; Tes
16、tcode：并有鸣叫报警，按S键可停止报警，按ESC可停止继续测试 退出测试完毕后按Alt+X键，程序结束退回到dos状态。2 RMT3.01 内存测试软件RMT3.01内存测试软件，是一个基于DOS系统的专业内存测试软件。RMT3.01可测试EDO、SDRAM、RAMBUS、DDR等各种类型的内存。RMT3.01采用保护模式编程，对内存进行全地址空间的测试，必须运行于DOS方式下。RMT测试时间很短，但在个别主板上存在兼容问题，现象是运行主机重启，此类系统推荐使用另一测试软件DocMemory。Intel 386以上CPU、以及相应兼容的PC系统软件系统环境：在DOS6.22下或WINDOW
17、S 9.X下，纯DOS命令模式，不加载任何内存管理器如HIMEM等，如启动WIN98的6Safe Mode DOS Command Prompt模式下或98启动软盘启动。3）软件安装RMT3.01可COPY在软盘上；无需单独安装，用户只需把所有文件同时拷贝到同一个目录下，即可使用。启动PC系统，进入WINDOWS或DOS的Safe Mode DOS Command Prompt模式下，在DOS命令提示符下，进入RMT目录，运行RMT.EXE，程序将自动运行测试。注意：如在软盘运行，不能对加写保护，RMT运行时要写记录文件，否则不能运行。RMT3.01将包括以下主要文件：1）RMT.EXE主运行
18、程序2）TEST301.DAT主运行程序所必须的数据文件3）EGAVGA.BGI，*.CHR界面所需文件以上文件，若缺一则将是RMT301执行出错并退出。运行RMT.EXE之后，程序将进入保护模式，自动运行，不接受任何键盘中断。运行过程中，若当前内存存在故障，程序将检测出错并当即停止并提示，不进行其余测试项目的测试；否则，程序将自动运行直至所有测试项目测试完毕。检测项目如下： 测试：进入测试之后，RMT3.01进行一下动作1） 初始化，并判断内存控制器类型；2） 判断内存容量，并进行最原始的逐个单元测试，亦即Sizing Extended Memory。若当前内存容量是128MB则显示128M
19、B；3） 进入实际测试； 测试结果1） 测试通过，在每一个子功能测试通过则提是“done”，并进入下一个功能测试，若全部测试通过，则程序自动释放空间，”free memory”，并退出；2） 若有一项子功能测试出错，则程序停止，不再进行下一功能的测试；出错信息提示：*;7. 附件：DDR2中的新技术与问题在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降
20、延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。2、封装和
21、发热量：DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR
22、2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。3、DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR
23、SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
