1、【反相器的设计】1：在Layers面板的下拉列表中选取Active选项，再从Drawing工具栏中选择按钮，在Cell0编辑窗口的N Well中画出横向14格纵向5格的方形Active区。2：选取Layers面板中下拉列表中的P Select选项，在N Well中绘制横向18格，纵向9格的P Select区。3：绘制Ploy图层：多晶硅就是PMOS管的栅极，需设计光刻掩膜版限制多晶硅的区域。在MOSIS/ORBIT 2.0U的设计规则中，规则3.1规定了Ploy的最小宽度为2个Lambda。设计规则检查：执行Tools/DRC命令进行设计规则检查，没有错误。4:绘制Active Contact
2、图层：PMOS的源漏区接上电极，才能在其上施加偏压。5:绘制Metal1图层：用于与源漏区和多晶硅的接触、各器件之间的连接线等6：保存：将Cell0的名称重新命名，执行Cell/Reame命令，打开Rename Cell Cell0对话框，将cell名称改成pmos，这样就建立了一个pmos组件。7：同以上步骤，建立一个nmos组件。8：引用nmos和pmos单元：执行Cell/Instance命令，打开Select Cell to Instance对话框，选择nmos单元单击OK按钮，可以在编辑画面出现一个nmos单元；再选择pmos单元单击OK，在编辑画面多出一个与nmos重叠的pmos单
3、元，可以用Alt键加鼠标拖曳的方法分开pmos和nmos。9：执行Tools/DRC命令，打开Design Rule Check对话框，单击Run，没有错误。10：新增PMOS NMOS衬底接触点单元 。11：引用Basecontactp和Basecontactn单元：执行Cell/Instance命令，打开Select Cell to Instance对话框，分别选择Basecontactp和Basecontactn单元，将其复制到Ex2中，并进行电气检查。12：栅极Ploy连接：由于反相器的pmos和nmos的栅极是相连的，故可在Ploy层将pmos和nmos的Ploy相连。绘制出Ploy
4、宽为2个栅格、高为6个栅格。13：绘制电源线：由于反相器电路需要有Vdd电源与GND，电源绘制在Metal1上，在pmos的上方和nmos的下方各绘制一个宽为39个栅格、高为5个的电源线，绘制后进行电气检查。14：标出Vdd和GND节点：单击插入节点图标，再到绘图窗口中用鼠标左键拖曳出一个与上方电源线重叠的宽为39栅格、高为5个栅格的方格后，将自动出现Edit Object（s）对话框，在“On”框的下拉列表中选择Metal1。在Port name栏内键入Vdd，在Text Alignment选项中选择文字相对于框的位置的右边。然后单击“确定”按钮。用同样的方式标出GND。15：绘制输入端口单
5、元portA和输出端口out。16：总体绘制完，进行电气检查，如图：17：提取T-Spice文件：将反相器的版图转换为T-Spice文件。执行Tools/Extract命令或单击图标，打开Extract对话框，在Extract definition file栏内选择X: TannerLedit100Samples SPRexample1lights.ext文件。选择Output标签页，在“Comments”栏中，选择Write nodes name选项，在“Write nodes and devices as”栏内选中Names项，即设定输出节点以名字出现，在SPICE include sta
6、tement栏内输入“.include X: TannerTspice81modelsm12_125.md”，然后单击Run按钮。即可提取inv.spc文件。执行File/Open命令，打开inv.spc文件。【CMOS传输门版图设计】1新建文件夹：在电脑E 盘新建文件夹，文件夹名为sjscmostg。2打开L-Edit 软件：在桌面上双击L-Edit v13.0快捷键，打开L-Edit v13.0软件.3另存新文件：选择File Save As命令，打开“另存为”对话框，在“保存在”下拉列表框中选择存储目录（存储在刚才新建的文件夹sjscmostg中），在“文件名”文本框中输入新文件名称，例
7、如：sjscmostg。4取代设定：选择File Replace Setup命令，单击出现的对话框的From file下拉列表右侧的Browser按钮，选择d:My DocumentsTanner EDATanner Toolsv13.0L-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.tdb文件，再单击OK 按钮。接着出现一个警告对话框，按确定按钮，就可将lights.tdb 文件的设定选择性应用在目前编辑的文件，包括格点设定、图层设定等。5重新命名：将Cell0的名称重新命名，可选择Cell Rename 命令，打开 Rename Cell Cell0 对话框，将ce
8、ll0名称改成CMOSTG 。6复制组件：选择Cell Copy 命令，打开Select Cell to Copy对话框，单击其中的Browser 按钮，在出现的对话框中选择第八次实验（反相器版图设计）所做的inv.tdb ，再在Select Cell to Copy 对话框中选择Basecontactn 组件，单击 OK 按钮，则可将Basecontactn 组件复制至sjscmostg.tdb 文件中。之后再以同样的方式将Basecontactp 、input 、nmos 、pmos 、out 组件复制到sjscmostg.tdb 文件中。7引用组件：引用上述复制的组件Basecontactn 、Basecontactp 、input 、nmos 、pmos 、out 选择Cell Instance 命令，打开Select Cell to Instance对话框，可以看到，在组件列表中有这6个组件，选择Basecontactn 组件再单击 OK 按钮，可以看到编辑画面出现一个Basecontactn 组件。8编辑以上引用组件成CMOS 传输门（CMOSTG）版图：编辑出的CMOS 版图如图所示，对其进行设计规则检查（DRC 检查）直至无错误为止。9.进行电气检查，如图：
