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    计算机仿真技术作业五 单端反激DC DC电路仿真设计.docx

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    计算机仿真技术作业五 单端反激DC DC电路仿真设计.docx

    1、计算机仿真技术作业五 单端反激DC DC电路仿真设计单端 反激DC/DC电路仿真计算机仿真技术作业五姓名:班级:学号: 一、单端 反激电路设计【实验要求】设计一个单端 反激电路,输入直流电压28V,输出电压5V,输出额定功率30W。电路开关频率50kHz,整流二极管通态压降0.8V,计算功率管的工作占空比,并选择开关管(选择MOSFET)及二极管。1、DCM模式时器件的选择(1)变压器变比及开关管控制信号占空比选择:取Vs=56V,(2)占空比选择(3)原边电感大小的计算(4)滤波电容大小的计算2、CCM模式时器件的选择(1)变压器变比及开关管控制信号占空比选择:取Vs=56V,(2)占空比选

    2、择(3)原边电感大小的计算最小负载电流0.1A,则最大电阻有10欧,原边电感量:(4)滤波电容大小的计算二、计算机仿真及分析【实验要求】 满负载的仿真:DC/DC变换器,R=0.83,C=1320F,仿真时间0.2s。观察并记录MOSFET的工作波形(电压、电流波形),输出整流二极管的工作波形(电压、电流波形),输出电压波形。 小负载的仿真:R=10, C=1200F,仿真时间0.5s。选择合适占空比,使得输出电压为5V 。观察并记录MOSFET的工作波形(电压、电流波形),输出整流二极管的工作波形(电压、电流波形),输出电压波形。利用simpowersystems建立的仿真模型如下:图21、

    3、满负载的仿真:根据理论算出来的占空比进行仿真,发现输出电压稳定时的有效值为4.92V。为了更加精确,对占空比进行微调。实际占空比为0.5363,此时的输出电压为5.001V。(1)MOSFET的工作波形: 电压波形:图3由上图可以看到,电路刚起动时MOSFET管两端的电压很大,最大可达到73.92V。MOSFET的工作电压波形存在振荡过程,在t=0.035s时,电路才稳定下来。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图4由上图,可以看到,开关管在关断时所承受的反向电压大约为60V,在开通时有大约0.3V的正向导通压降,与普通二极管相比,这个电压是很小的(与肖特基二极管相当)。 电流波形:图5由上

    4、图可以看到,电路刚起动时有很大的冲击电流,最大可达到8.402A,且存在振荡过程。大概在t=0.035s时,电路才稳定下来。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图6由上图,可以清楚地看到电路的开关周期为0.0001s,开关管的正常工作电流为2.53.2A。(2)输出整流二极管的工作波形: 电压波形:图7由上图可以看到,电路刚起动时二极管两端的电压很大,最大可达到12.54V。二极管的工作电压波形存在振荡过程,在t=0.035s时,电路才稳定下来。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图8由上图,可以看到,在开关管关断期间,二极管导通,其正向压降大约为0.7V;在MOSFET开通期间,二极管反

    5、向截止,其承受的反向压降为-10V。 电流波形:图9由上图可以看到,电路刚起动时流过二极管的电流很大,最大可达到47.01A。电流波形存在振荡过程,大概在t=0.035s时,才稳定下来。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图10由上图可知,开关管的正常工作电流为1418A。(3)输出电压波形:图11由上图可以看到,电路刚起动时输出电压存在振荡过程,峰值为7.626V,在t=0.035s时,输出电压才稳定在5V。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图12由上图可知,输出电压的波动范围为:4.965.04V,纹波电压百分数为。2、小负载的仿真:根据理论算出来的占空比0.5327进行仿真,发现输

    6、出电压稳定时的有效值为6.883V。这显然不满足要求。改变占空比,经多次尝试,发现当占空比为0.3935,输出电压有效值为5V。(1)MOSFET的工作波形: 电压波形:图13此图虽然比较模糊,但至少可以给予我们这样一个信息:电路起动时,MOSFET两端电压没有出现瞬间冲击。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图14由上图可知,开关管在关断时所承受的反向电压大约为60V、28V,在开通时有大约0.05V的正向导通压降,比满载时小了很多。为什么在MOSFET关断时,其反压有突变呢?观察图14、16、18、20,我们可以发现激磁电流断续了(或者,变压器磁动势不连续)。当流经二极管的电流提前下降到

    7、0时, 变压器被短路,但由于MOSFET还未导通,MOSFET直接承受电源28V的反压。同理,此时的二极管承受电容5V的反压。 电流波形:图15由上图可以看到,电路起动时流经MOSFET的电流较大,最大为4A,只有满载(8.4A)时的一半。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图16由上图可知,在正常的工作状态下,流经MOSFET的电流为00.5333A。(2)输出整流二极管的工作波形: 电压波形:图17由上图可以看到,起动时二极管两端电压没有瞬间冲击,也没有振荡过程。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图18由上图,可以看到,。 电流波形:图19由上图可以看到,起动时,流经二极管的电流存在

    8、较大冲击,最大电流为22A,但没有振荡过程。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图20由上图可知,开关管的正常工作电流为02.936A。(3)输出电压波形:图21由上图可以看到,输出电压没有超调。对上图波形稳定部分进行局部放大,如下:图22由上图可知,输出电压的波动范围为:4.996V5.003V。纹波电压百分数为。这比满载时小了很多。三、选择器件的应力【实验要求】通过仿真分析,选择合适的功率管和整流二极管(耐压,耐流)。通过上面的仿真分析,我们可以看到,满载对于功率管和整流二极管的应力提出了更高的要求。所以,倘若不加入任何抑制起动冲击的电路结构,我们可以基于满载仿真分析得到选择功率管、整流

    9、二极管的耐压与耐流。满载仿真分析表明:MOS管所承受的最大反压为60V,流经的最大电流为8.4A。二极管所承受的最大电压为12.54V,流经的最大电流为47.01A。故而,所选择的MOS管参数为80V/10A,二极管参数为20V/60A。【参考文献】1Ned Mohan,Tore M. Vndeland,William P. Robbbins. Power Electronic: Converters, Applications, And DesignM.北京:高等教育出版社,2004.2马莉. MATLAB语言实用教程M.北京:清华大学出版社,2010.3洪乃刚. 电力电子、电机控制系统的建模和仿真M.北京:机械工业出版社,2013.


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