1、微电子专业英语词汇Abrupt junction 突变结brpt 突然的；Accelerated testing 加速实验kselreitidAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子tm n. 原子Accumulation ,kju:mjulein积累,堆积Accumulating contact(n. 接触，联系)积累接触Accumulation regionri:dn地区 积累区 Accumulation layerlei 层 积累层Active region 有源区ktiv 积极的,有源的 Active component kmpunnt 元件 有源元Active d
2、evice 有源器件 Activation 激活Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance dmitns 导纳 Allowed band bnd 带 允带Alloy-junction device l 合金结器件 Aluminum(Aluminium) lju:minm 铝Aluminum oxide ksaid 铝氧化物 Aluminum passivation psivein 钝化 铝钝化Ambipolar ,mbipul 双极的 Ambient temperature mbint 环境温度Amorphous m:fs 无定形
3、的，非晶体的 Amplifier mplifai 功放 扩音器 放大器Analogue(Analog) nl comparator kmpreit 模拟比较器 Angstrom strm 埃Anneal ni:l退火 Anisotropic n,aisutrpik 各向异性的Anode nud 阳极 Arsenic :snik (AS) 砷Auger :俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche vl:nt 雪崩 Avalanche breakdown(击穿) 雪崩击穿Avalanche excitation ,eksitein( 激发)雪崩激发Background(背景,本
4、底,基底) carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward bkwd 反向 Backward bias bais( 偏置,) 偏爱 反向偏置Ballasting blst resistor 整流电阻 Ball bond bnd( 结合) 球形键合Band 能带 Band gap p( 间隙) 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层Barrier bri width 势垒宽度 Base 基极Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应Base transit(运输)time基区渡越时间 Bas
5、e transport efficiency ifinsi(效率)基区输运系数Base-width modulation ,mdjulein(调制)基区宽度调制 Basis vector vekt 矢量 基矢Bias 偏置 Bilateral ,bailtrl switch 双向开关Binary bainricode(代码)二进制代码Binary compound semiconductor二元化合物半导体Bipolar baipul 双极性的 Bipolar Junction Transistor (晶体管)(BJT)双极晶体管Bloch blk布洛赫 Blocking blki（截止，阻塞
6、） band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触 Body（身体，主题） - centered（居中的）体心立方Body-centred cubic kju:bik立方体structure strkt结构体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合 Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit s:kit电路 自举电路Bootstrapped emitter imit发射器 follower（追随者） 自举射极跟随器 Boron b:rn硼Borosilicate ,b:rusilikit 硼硅酸盐 g
7、lass 硼硅玻璃 Boundary condition条件，状况 边界条件Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿 Break over 转折Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场Bulk blk 体/体内 Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生 Bulk recombination ,ri:kmbinein 体复合Burn - in 老化 Burn out 烧毁Buried beri
8、d埋葬的 channel 通道；频道；海峡 埋沟 Buried diffusion扩散 region 隐埋扩散区Can 外壳 Capacitancekpst()ns 电容Capture俘获 cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出Cascade kskeid 级联，串联级联 Case 管壳Cathodekud 阴极 Center 中心Ceramic sirmik陶瓷（的） Channeltnl (频道)沟道Channel bre
9、akdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度 Characteristic impedanceimpi:dns 特征阻抗Charge (控告)电荷,充电 Charge-compensation,kmpensein(补偿) effects 电荷补偿效应Charge conservation(保存,保持) 电荷守恒Charge neutralitynjutrlt(中性) condition电中性条件Charge drive/exchange/sharing/
10、transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etchingnjutrlt 化学腐蚀法 Chemically-Polishpl（磨光） 化学抛光Chemmically-Mechanically mknkl（机械地）Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片Chip yield（产量） 芯片成品率 Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管 Cleavageklivd plane（平面） 解理面Clock rate（比率） 时钟频率 Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop（触发器） 时钟触发器
11、 Close-packed structure（构造） 密堆积结构Close-loop（环） gain（获利，增加）闭环增益 Collector 集电极Collisionkl()n（冲突） 碰撞 Compensated（补偿） OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入Common-mode rejection（抑制，拒绝）ratio
12、 (CMRR) 共模抑制比Compatibilitykm,ptblt 兼容性 Compensation 补偿Compensated impurities（杂质） 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary（补足的） Darlington circuit（电路，回路） 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（晶体管）(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function（功能，函数） 余误差函数
13、Computer-aided【辅助的】design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compoundkmpand Semiconductor 化合物半导体 Conductancekndkt()ns 电导Conduction（传导band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态Conductor 导体 Conductivity 电导率Configuration（配置） 组态 Conlombkulm 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants（常
14、量，常数） 物理常数Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion（扩散，传播）恒定源扩散Contact（联系，接触） 接触 Contaminationkn,tmnen 玷污Continuity,kntnjut（连续性）equation（方程式，等式）连续性方程Contact hole孔 接触孔Contact potential（潜能，潜在的） 接触电势 Continuity condition 连续性条件Contrakntr相反 doping 反掺杂 Controlled 受控的Converterknvt（converter转变，转
15、换） 转换器 Conveyerknve 传输器Copper（铜） interconnection,ntknkn（互联） system 铜互连系统 Couping 耦合Covalentkvel()nt（共价的） 共阶的 Crossover 跨交Critical （批评的）临界的 Crossunder 穿交Cruciblekrusb()l 坩埚Crystal defect缺陷/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density（密度） 电流密度 Curvaturekvt 曲率Cut off 截止 Current drift（漂移）/dirve
16、/sharing电流漂移/驱动/共享Current Sense（感觉，检测） 电流取样 Curvature 弯曲Custom（风俗，习惯，定制的integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶crystal（晶体，单晶）Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz 法直拉晶体 J）Dangling dg()l;bonds 悬挂键 Dark current 暗电流Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意 Decderate 减速Decibel
17、desbel (dB) 分贝 Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级 Deep donordn（捐赠者level 深施主能级Deep impurity（杂质，不存，不洁）level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度Degradation,degrde()n 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟 Density 密度Density of states 态密度 Depletion 耗尽
18、Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽 MOSDepletion region 耗尽区 Deposited film(电影，薄膜) 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则Die 芯片（复数 dice） Diode 二极管Dielectric 介电的 Dielectric isolation（隔离。孤立） 介质隔离Differe
19、nce-mode input 差模输入 Differential amplifiermplfa（放大器） 差分放大器Differential capacitancekpst()ns（电容） 微分电容 Diffused（扩散） junction 扩散结Diffusion 扩散 Diffusion coefficient,kf()nt 扩散系数Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnacefns（火炉） 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路 Dipo
20、ledapl（偶极） domain（领域） 偶极畴Dipole layer 偶极层 Direct-couplingkpl（耦合） 直接耦合Direct-gap（间隙） semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition（过度，转变） 直接跃迁Discharge 放电 Discrete（离散的） component 分立元件Dissipationdspe()n 耗散 Distribution dstrbju()n分布Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型Displacementdsplesm()nt 位移
21、 Dislocation,dsl()ke()n 位错Domain 畴 Donor 施主Donor exhaustiongzst()n; eg-（耗尽） 施主耗尽 Dopant dp()nt掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentrationkns()ntre()n 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散 MOS.Drift 漂移 Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率 Dry etchinget腐蚀 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量Duty cycle
22、 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装Dynamics danmks动态 Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedancempid()ns 动态阻抗Early effect 厄利效应 Early failure 早期失效Effective mass（质量） 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase（擦除Programmable（可编程） Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极 Electromi
23、nggratim 电迁移Electron affinityfnt亲和力 电子亲和势 Electronic grade（等级） 电子能Electron-beam（电子束） photo-resist（光致抗蚀剂） exposure（曝光） 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas（气体） 电子气 Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体 Ellips
24、e 椭圆Ellipsoidilipsid 椭球 Emitterimit 发射极Emitter-coupledkpld logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器 Empty band 空带Emitter crowding（拥挤，聚集 effect 发射极集边（拥挤）效应Enduranceindjurns（持久） test =life test 寿命测试 Energy state 能态Energy momentum（动量diagram（图表） 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式Enh
25、ancement MOS 增强性 MOS Entefic (低)共溶的Environmental test 环境测试 Epitaxial,epitksil 外延的Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延 Equivalentikwivlnt（等价的） curcuit 等效电路Equilibrium,i:kwilibrim majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasableireizbl Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器Error function compl
26、ement 余误差函数Etch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂Etching maskm:sk, 抗蚀剂掩模 Excess（超过，过量的） carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能 Excited state 激发态Exciton 激子 Extrapolation 外推法Extrinsicekstrinsik（外来的） 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face - centered 面心立方 Fall time 下降时间Fan-in 扇入 Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复 Fast surface states
27、 快界面态Feedback 反馈 Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution,distribju:n（分布） 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层 Filled band 满带Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器Flatflt（平坦的） band 平带 Flat pack 扁平封装Flicker（闪烁） noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转Floati
28、ng gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带 Forward（向前的） bias 正向偏置Forward blocking（阻塞） /conducting（传导） 正向阻断/导通Frequency deviation,di:viein（偏差，误差） noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应 Function 函数Gain 增益 Galliumlim-Arsenide:snaid （砷化物）(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian） 高
29、斯 Gaussian distribution,distribju:n（分布）profile（外形，简况） 高斯掺杂分布 Generation-recombination,ri:kmbinein 产生-复合Geometriesdimitri 几何尺寸 Germanium(Ge) d:meinim 锗Graded reidid缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结 Grainrein 晶粒Gradientreidint 梯度 Grown junction 生长结Guard（守卫，保护）ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型Gunn - effect 狄氏效应Hardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带Heavy saturation,strein 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应Heterojunction,strein 异质结 Heterojunction structure 异质结结构Heter
