1、聚焦离子束技术材料现代分析方法第四章第四章第四章第四章第四章第四章第四章第四章聚焦离子束技术聚焦离子束技术（聚焦离子束技术聚焦离子束技术（FIBFIB）聚焦离子束技术聚焦离子束技术（聚焦离子束技术聚焦离子束技术（FIBFIB）1College of MSE,CQU聚焦离子束技术材料现代分析方法本章主要内容4 1 FIB系统介绍系统介绍4.1 FIB系统介绍系统介绍4.2 FIB-SEM构造及工作原理构造及工作原理4.3 离子束与材料的相互作用离子束与材料的相互作用4.4 FIB主要功能及应用主要功能及应用?参考书参考书：顾文琪等顾文琪等聚焦离子束微纳加工技术聚焦离子束微纳加工技术北京工业大学出
2、版社北京工业大学出版社20062006。2College of MSE,CQU?参考书参考书：顾文琪等顾文琪等，聚焦离子束微纳加工技术聚焦离子束微纳加工技术，北京工业大学出版社北京工业大学出版社，20062006。聚焦离子束技术材料现代分析方法4 1 FIB系统介绍系统介绍4.1 FIB系统介绍系统介绍?聚焦离子束聚焦离子束(Focused Ion beam FIB)的的?聚焦离子束聚焦离子束(Focused Ion beam,FIB)的的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微加工显微加工仪器。通过荷能离子仪器。通过荷能离子轰击材料表面轰击材料
3、表面实现材料的剥离实现材料的剥离沉积沉积轰击材料表面轰击材料表面，实现材料的剥离实现材料的剥离、沉积沉积、注入和改性。、注入和改性。?目前商用系统的离子束为目前商用系统的离子束为液相金属离液相金属离?目前商用系统的离子束为目前商用系统的离子束为液相金属离液相金属离子源子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS)?金属材质为镓金属材质为镓(Gallium,Ga)，因为镓，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力抗氧化力。?现代先进现代先进FIB系统为系统为双束双束即即离子束离子束+Zeiss Auriga FIBZeiss Aurig
4、a FIB-SEM systemSEM system?现代先进现代先进FIB系统为系统为双束双束，即即离子束离子束+电子束电子束（FIB+SEM）的系统。在）的系统。在SEM微观成像实时观察下，用离子束进行微微观成像实时观察下，用离子束进行微加工加工g gy y3College of MSE,CQU加工加工。聚焦离子束技术材料现代分析方法FIB技术发展史技术发展史FIB技术发展史技术发展史?FIB加工加工系系统的发统的发展展与与点离子源点离子源的开发密切相关的开发密切相关?1950s：Mueller发明气体场发射离子源发明气体场发射离子源（GFIS）；）；?1970s：GFIS应用到聚焦离子显
5、微镜应用到聚焦离子显微镜（FIM）；）；系展系展?1970s：GFIS应用到聚焦离子显微镜应用到聚焦离子显微镜（FIM）；）；?1974-75：J.Orloff 和和L.W.Swanson分别将分别将GFIS应用于应用于FIB。此时的。此时的GFIS束流低束流低(10pA),分辨率约分辨率约50纳米；纳米；(p)?1974：美国：美国Argonne国家实验室的国家实验室的V.E.Krohn 和和G.R.Ringo发现在电场作用下毛细管管口的液态镓变形为发现在电场作用下毛细管管口的液态镓变形为锥形锥形，并发射出，并发射出Ga+离子束离子束；?1978：美国加州休斯研究所的：美国加州休斯研究所的R
6、.L.Seliger等人建立了第一台等人建立了第一台Ga+液态金属离子源的液态金属离子源的FIB系统，束斑直径系统，束斑直径100nm，束流密度，束流密度1.5A/cm2，亮度达，亮度达3.3x106A/（cm2.sr），），束能量束能量57keV；3.3x10 A/（cm.sr），），束能量束能量57keV；?1980s：商品型：商品型FIB投入市场，成为新器件研制、微区分析、投入市场，成为新器件研制、微区分析、MEMS制作的重要手段；制作的重要手段；4College of MSE,CQU?1980s-90s：开发出：开发出SEM-FIB双束、双束、FIB多束、全真空多束、全真空FIB联机系
7、统。联机系统。聚焦离子束技术材料现代分析方法FIB系统分类系统分类FIB系统分类系统分类按用途按用途：按用途按用途：按离子能量按离子能量：按离子能量按离子能量：按结构组成按结构组成：按结构组成按结构组成：按用途按用途按用途按用途?FIB曝光系统FIB曝光系统?FIBFIB注入系统注入系统按离子能量按离子能量：按离子能量按离子能量：?高能FIB系统（100keV）高能FIB系统（100keV）?中能中能FIBFIB系统系统（1010 100keV100keV）按结构组成按结构组成：按结构组成按结构组成：?单束单光柱FIB系统单束单光柱FIB系统?双束单光柱双束单光柱FIBFIB系统系统?FIBF
8、IB注入系统注入系统?FIB刻蚀系统FIB刻蚀系统?FIBFIB沉积系统沉积系统?中能中能FIBFIB系统系统（1010-100keV100keV）?低能FIB系统（10keV）低能FIB系统（10keV）?双束单光柱双束单光柱FIBFIB系统系统?双束双光柱FIB系统双束双光柱FIB系统?多束多光柱多束多光柱FIBFIB系统系统?FIBFIB沉积系统沉积系统?FIB电路、掩模修整系统FIB电路、掩模修整系统?多束多光柱多束多光柱FIBFIB系统系统?全真空FIB联机系统全真空FIB联机系统?SIM成像分析系统SIM成像分析系统College of MSE,CQU5聚焦离子束技术材料现代分析方
9、法4 2 FIB SEM构造及工作原理构造及工作原理4.2 FIB-SEM构造及工作原理构造及工作原理?构造构造?构造构造College of MSE,CQU6材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法FIB ColumnFIB Column7College of MSE,CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法离子源离子源离子源离子源?离子源是聚焦离子束系统的心脏离子源是聚焦离子束系统的心脏依据发依据发由于镓元素具有低熔点由于镓元素具有低熔点低低?离子源是聚焦离子束系统的心脏离子源是聚焦离子束系统的心脏，依据发依据发展过程分为：展过程分为：?双等离子体离子源双等离子体离子源由于镓元素具有低熔
10、点由于镓元素具有低熔点、低低蒸汽压以及良好的抗氧化力，因而液态金属离子源中的金蒸汽压以及良好的抗氧化力，因而液态金属离子源中的金?液态金属离子源液态金属离子源?气态场发射离子源气态场发射离子源属材料多为镓（Ga）属材料多为镓（Ga）真正的聚焦离子束始于液态金属离子源真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等源尺寸等一一系列优点系列优点使之成为目前所有聚焦离使之成为目前所有聚焦离源尺寸等系列优点源尺寸等系列优点，使之成为目前所有聚焦离使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态
11、金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源离子源。液态金属离子源的基本结构如图所示液态金属离子源的基本结构如图所示。离子源离子源。液态金属离子源的基本结构如图所示液态金属离子源的基本结构如图所示。已有用已有用Ga，In，Al等金属作为发射材料的单质液态离子源，也有包含高熔点的等金属作为发射材料的单质液态离子源，也有包含高熔点的Be，B，Si高液态蒸汽压的高液态蒸汽压的P，Zn，As等掺杂元素的共晶合金液态离等掺杂元素的共晶合金液态离子源。子源。College of MSE,CQU8聚焦离子束技术材料现代分
12、析方法工作原理工作原理?在离子柱顶端外加电场（在离子柱顶端外加电场（Suppressor）于液态金属离子源，可使液态金属形成）于液态金属离子源，可使液态金属形成细小尖端细小尖端再加上负电场再加上负电场（Extractor）细小尖端细小尖端，再加上负电场再加上负电场（Extractor）牵引尖端的金属，从而导出离子束。牵引尖端的金属，从而导出离子束。?然后通过静电透镜聚焦然后通过静电透镜聚焦经过经过一一连串连串?然后通过静电透镜聚焦然后通过静电透镜聚焦，经过连串经过连串可变化孔径（可变化孔径（Automatic Variable Aperture，AVA）可决定）可决定离子束的大小离子束的大小，
13、p而后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描。而后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描。?离子束轰击样品，产生的二次电子和离子被收集并离子束轰击样品，产生的二次电子和离子被收集并成像成像或利用物理碰撞来实或利用物理碰撞来实现现切割或研磨切割或研磨College of MSE,CQU9现现切割或研磨切割或研磨。聚焦离子束技术材料现代分析方法4 3 离子束与材料的相互作用离子束与材料的相互作用4.3 离子束与材料的相互作用离子束与材料的相互作用?聚焦离子束产生的正性聚焦离聚焦离子束产生的正性聚焦离聚焦离子束产生的正性聚焦离聚焦离子束产生的正性聚焦离子束具有5-150keV的能
14、量，其束斑直径为几纳米到几微米，束流子束具有5-150keV的能量，其束斑直径为几纳米到几微米，束流为几皮安到几十纳安为几皮安到几十纳安这样的这样的离离为几皮安到几十纳安为几皮安到几十纳安。这样的这样的离离子束入射到固体材料表面时，离子与固体材料的原子核和电子相子束入射到固体材料表面时，离子与固体材料的原子核和电子相互作用互作用可产生各种物理化学现可产生各种物理化学现互作用互作用，可产生各种物理化学现可产生各种物理化学现象。象。（1 1）入射离子注入入射离子注入（1 1）入射离子注入入射离子注入。入射离子在与材料中的电子和原子的不断碰撞中，逐渐丧失能量并被固入射离子在与材料中的电子和原子的不断
15、碰撞中，逐渐丧失能量并被固体材料中的电子所中和，最后镶嵌到固体材料中。镶嵌到固体材料中的原子改变了固体材料的性质，这种现象体材料中的电子所中和，最后镶嵌到固体材料中。镶嵌到固体材料中的原子改变了固体材料的性质，这种现象叫叫叫叫注入注入10College of MSE,CQU聚焦离子束技术材料现代分析方法（2）入射离子引起的反弹注入。（2）入射离子引起的反弹注入。入射离子把能量和动量传递给固体入射离子把能量和动量传递给固体表面或表层原子表面或表层原子是后者进入表层或是后者进入表层或表面或表层原子表面或表层原子，是后者进入表层或是后者进入表层或表层深处。表层深处。（3）入射离子背散射。（3）入射离
16、子背散射。入射离子通过与固体材料中的原子发生弹性碰撞，被反射出来，称作背入射离子通过与固体材料中的原子发生弹性碰撞，被反射出来，称作背散射离子散射离子。某些离子也可能经历某些离子也可能经历一一定定散射离子散射离子。某些离子也可能经历定某些离子也可能经历定的能量损失。的能量损失。（4）二次离子发射。（4）二次离子发射。在入射离子轰击下，固体表面的原子、分子、分子碎片、分子团以正离在入射离子轰击下，固体表面的原子、分子、分子碎片、分子团以正离子或负离子的形式发射出来子或负离子的形式发射出来，这些这些二二子或负离子的形式发射出来子或负离子的形式发射出来，这些这些次离子可直接引入质谱仪，对被轰击表面成
17、分进行分析。次离子可直接引入质谱仪，对被轰击表面成分进行分析。11College of MSE,CQU聚焦离子束技术材料现代分析方法（5）二次电子、光子发射。（5）二次电子、光子发射。入射离子轰击固体材料表面，与表入射离子轰击固体材料表面，与表的发生非的发生非射离射离面层面层的的原子原子发生非发生非弹性碰撞，入弹性碰撞，入射离射离子的一部分能量转移到被撞原子上，产生二次电子、X射线等，同时材料子的一部分能量转移到被撞原子上，产生二次电子、X射线等，同时材料中的原子被激发中的原子被激发电离产生可见光电离产生可见光中的原子被激发中的原子被激发、电离产生可见光电离产生可见光、紫外光、红外光等。、紫外
18、光、红外光等。（6 6）材料溅射材料溅射（6 6）材料溅射材料溅射。在入射离子在与固体材料中原子发生碰撞时，将能量传递给固体材料中在入射离子在与固体材料中原子发生碰撞时，将能量传递给固体材料中的原子的原子如果传递的能量足以使原子如果传递的能量足以使原子的原子的原子，如果传递的能量足以使原子如果传递的能量足以使原子从固体材料表面分离出去，该原子就被弹射出材料表面，形成中性原子溅从固体材料表面分离出去，该原子就被弹射出材料表面，形成中性原子溅射射被溅射还有分子被溅射还有分子分子碎片分子碎片分分射射。被溅射还有分子被溅射还有分子、分子碎片分子碎片、分分子团。子团。12College of MSE,C
19、QU聚焦离子束技术材料现代分析方法（7）辐射损伤。（7）辐射损伤。指入射离子轰击表层材料造成的材指入射离子轰击表层材料造成的材指入射离子轰击表层材料造成的材指入射离子轰击表层材料造成的材料晶格损失或晶态转化。料晶格损失或晶态转化。（8 8）化学变化化学变化（8 8）化学变化化学变化。由于入射离子与固体材料中的原子核和电子的作用，造成材料组分变化由于入射离子与固体材料中的原子核和电子的作用，造成材料组分变化或化学键变化。离子曝光就是利用了这种化学变化。或化学键变化。离子曝光就是利用了这种化学变化。（9 9）材料加热材料加热（9 9）材料加热材料加热。具有高能量的离子轰击固体表面使材料加热，热量自
20、离子入射点向周围具有高能量的离子轰击固体表面使材料加热，热量自离子入射点向周围扩散扩散扩散扩散。13College of MSE,CQU聚焦离子束技术材料现代分析方法离子束离子束电子束与材料的相互作用比较电子束与材料的相互作用比较离子束离子束、电子束与材料的相互作用比较电子束与材料的相互作用比较入射电子轰击样品产生的物理信号思考问题？请总结思考问题？请总结14College of MSE,CQU聚焦离子束技术材料现代分析方法1 41 4 聚焦离子束的主要功能及应用聚焦离子束的主要功能及应用1 1.4 4 聚焦离子束的主要功能及应用聚焦离子束的主要功能及应用（1）（1）离子注入：离子注入：入射离
21、子在与材料中的电子和原子的不断碰撞中逐渐丧失能量，并与材料中的电子结合形成原子，镶嵌到固体材料中，从而改变固体材料的性入射离子在与材料中的电子和原子的不断碰撞中逐渐丧失能量，并与材料中的电子结合形成原子，镶嵌到固体材料中，从而改变固体材料的性能能主要应用于半导体器件的掺杂和材料的改性主要应用于半导体器件的掺杂和材料的改性能能。主要应用于半导体器件的掺杂和材料的改性主要应用于半导体器件的掺杂和材料的改性。FIB离子注入优缺点：离子注入优缺点：无需掩模和感光胶层，简化工艺，减少污染，提高器件的可靠性和成品率；无需掩模和感光胶层，简化工艺，减少污染，提高器件的可靠性和成品率；对离子种类、电荷、能量等
22、进行精确控对离子种类、电荷、能量等进行精确控制；制；FIB离子注入与分子束外延结合，可以实现三维掺杂结构器件制作；离子注入与分子束外延结合，可以实现三维掺杂结构器件制作；?FIB离子注入生产率低；离子注入生产率低；?离子源长为合金源，稳定性差；离子源长为合金源，稳定性差；?FIB离子注入系统结构复杂离子注入系统结构复杂其运行和工其运行和工College of MSE,CQU15?FIB离子注入系统结构复杂离子注入系统结构复杂，其运行和工其运行和工艺操作相对难。艺操作相对难。聚焦离子束技术材料现代分析方法（2 2）离子溅射离子溅射：（2 2）离子溅射离子溅射：聚焦离子束轰击材料表面，能够将固体材
23、料的原子溅射出表面，是FIB聚焦离子束轰击材料表面，能够将固体材料的原子溅射出表面，是FIB最重要的应用最重要的应用应用于微细铣削和高精度表面刻蚀加工应用于微细铣削和高精度表面刻蚀加工最重要的应用最重要的应用，应用于微细铣削和高精度表面刻蚀加工应用于微细铣削和高精度表面刻蚀加工。College of MSE,CQU16聚焦离子束技术材料现代分析方法?FIB辅助气体刻蚀辅助气体刻蚀（GAE）（GAE）在在FIB溅射刻蚀区通入某些反应气体，如溅射刻蚀区通入某些反应气体，如Cl2、I2、Br2、XeF2等，能提高溅射产额。少量反应气体的注入可以改变靶材表等，能提高溅射产额。少量反应气体的注入可以改变
24、靶材表面的束缚能面的束缚能，或者反应气体或者反应气体直直面的束缚能面的束缚能或者反应气体或者反应气体接与靶材表面起化学反应。此外，气体注入也减少再沉积。接与靶材表面起化学反应。此外，气体注入也减少再沉积。College of MSE,CQU17聚焦离子束技术材料现代分析方法?集成电路器件剖面制作集成电路器件剖面制作利用利用FIB溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的剖溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的剖利用利用FIB溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的剖溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的剖面，用来分析失效电路的设计错误或制造缺陷，分析电
25、路制造中低成品率的原因，以及研究和改进对电路制造过程中的控制。面，用来分析失效电路的设计错误或制造缺陷，分析电路制造中低成品率的原因，以及研究和改进对电路制造过程中的控制。College of MSE,CQU18聚焦离子束技术材料现代分析方法?TEM试样制备试样制备铣削阶梯法铣削阶梯法：在观察区两侧铣削出两个方向相反的阶梯槽，中间留出极薄的：在观察区两侧铣削出两个方向相反的阶梯槽，中间留出极薄的TEM试样。在工件上首先刻蚀出定位标记，然后用离子束扫描定位标记试样。在工件上首先刻蚀出定位标记，然后用离子束扫描定位标记来来确定铣削区域确定铣削区域，可以是自动或手动完成。可以是自动或手动完成。来来，
26、College of MSE,CQU19聚焦离子束技术材料现代分析方法College of MSE,CQU20聚焦离子束技术材料现代分析方法College of MSE,CQU21聚焦离子束技术材料现代分析方法?TEM试样制备试样制备削薄法削薄法（H-bar）：首先用机械切割和研磨等方法将试样做到）：首先用机械切割和研磨等方法将试样做到50-100微米的厚度，然后在试样上用微米的厚度，然后在试样上用FIB沉积一层沉积一层Pt作为保护层，最后用作为保护层，最后用FIB将两侧的材料铣削掉将两侧的材料铣削掉。将两侧的材料铣削掉将两侧的材料铣削掉。College of MSE,CQU22聚焦离子束技术
27、材料现代分析方法?TEM试样制备TEM试样制备削薄法削薄法（H H-barbar）：）：首先用机械切割和研磨等方法将试样做到首先用机械切割和研磨等方法将试样做到5050-100100微米的微米的削薄法削薄法（H H barbar）：）：首先用机械切割和研磨等方法将试样做到首先用机械切割和研磨等方法将试样做到5050 100100微米的微米的厚度，在试样上用FIB沉积一层Pt作为保护层，用FIB将两侧的材料铣削掉。厚度，在试样上用FIB沉积一层Pt作为保护层，用FIB将两侧的材料铣削掉。College of MSE,CQU23聚焦离子束技术材料现代分析方法College of MSE,CQU24
28、聚焦离子束技术材料现代分析方法?TEMTEM试样制备试样制备-LowkV FIB polishingLowkV FIB polishing?TEMTEM试样制备试样制备 LowkVLowkV FIBFIB polishingpolishingCollege of MSE,CQU25聚焦离子束技术材料现代分析方法?其它样品及器件制备其它样品及器件制备：其它样品及器件制备其它样品及器件制备：FIB能够铣削出几十能够铣削出几十nm的微结构。它在特征器件研制中能够发挥重要作用，如光电子器件、纳米生物器件、微传感器等。的微结构。它在特征器件研制中能够发挥重要作用，如光电子器件、纳米生物器件、微传感器等。
29、三维原子探针样品扫描探针显微镜针尖三维原子探针样品扫描探针显微镜针尖College of MSE,CQU26氧化镁球的表面氧化镁球的表面聚焦离子束技术材料现代分析方法纳米结构材料截面样品纳米结构材料截面样品College of MSE,CQU27聚焦离子束技术材料现代分析方法（3 3）诱导沉积诱导沉积（3 3）诱导沉积诱导沉积：在FIB入射区通入诱导气体，吸附在固体材料表面，入射离子束的轰击在FIB入射区通入诱导气体，吸附在固体材料表面，入射离子束的轰击致使吸附气体分子分解致使吸附气体分子分解将金属留在固体表面将金属留在固体表面主要应用于集成电路分主要应用于集成电路分致使吸附气体分子分解致使吸
30、附气体分子分解，将金属留在固体表面将金属留在固体表面。主要应用于集成电路分主要应用于集成电路分析与修理，MEMS器件制作，析与修理，MEMS器件制作，College of MSE,CQU28聚焦离子束技术材料现代分析方法诱导沉积举例：诱导沉积举例：微电路微电路微电子器件微电子器件PiPiilliliilliliCollege of MSE,CQU29P Pt mt mi icr cro o-pillpillars on sars on sili ilicocon n材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法AbsoluteAbsolute PressurePressure诱导沉积举例：诱导沉积举例
31、：AbsoluteAbsolute PressurePressureSensor(SiO2)Sensor(SiO2)30聚焦离子束技术材料现代分析方法（4 4）离子束曝光离子束曝光：（4 4）离子束曝光离子束曝光：用离子束将某些高分子有机化合物发生交联或降解，实现抗蚀剂曝光。用离子束将某些高分子有机化合物发生交联或降解，实现抗蚀剂曝光。包括扫描离子束曝光包括扫描离子束曝光掩模离子束曝光掩模离子束曝光投影离子束曝光投影离子束曝光包括扫描离子束曝光包括扫描离子束曝光，掩模离子束曝光掩模离子束曝光，投影离子束曝光投影离子束曝光。优点：离子束曝光与电子束相比的优点：离子束曝光与电子束相比的优缺点优缺点
32、：缺点：缺点：?高图形分辨率高图形分辨率?曝光速度快曝光速度快?对衬底材料的损伤对衬底材料的损伤?曝光速度有限制曝光速度有限制?无邻近效应无邻近效应?良好的曝光宽容度良好的曝光宽容度?可实现无抗蚀剂直接曝光可实现无抗蚀剂直接曝光College of MSE,CQU31聚焦离子束技术材料现代分析方法离子束曝光举例：离子束曝光举例：掩模离子束曝光投影离子束曝光掩模离子束曝光投影离子束曝光College of MSE,CQU32聚焦离子束技术材料现代分析方法（5）（5）二次离子成像：二次离子成像：工作原理：工作原理：离子光学柱将离子束聚焦到样品离子光学柱将离子束聚焦到样品表表偏转系统使离束在样表偏转
33、系统使离束在样表表表面，面，偏转系统使离偏转系统使离子子束在样束在样品品表表面做光栅式扫描，同时控制器作同步扫描。电子信号检测器接收产生面做光栅式扫描，同时控制器作同步扫描。电子信号检测器接收产生的二次电子或二次离子信号去调制显示器的亮度，在显示器上得到反的二次电子或二次离子信号去调制显示器的亮度，在显示器上得到反映样映样品品形貌的图像形貌的图像。映样形貌的图像映样形貌的图像分辨率：分辨率：主要取决于聚焦主要取决于聚焦离子束离子束的的束束斑直斑直离子束束离子束束径和系统的S/N信噪比，分辨率低于SEM。径和系统的S/N信噪比，分辨率低于SEM。College of MSE,CQU33聚焦离子束技术材料现代分析方法二次离子成像与电子成像相比，可以获得良好的对比度，而后者可以二次离子成像与电子成像相比，可以获得良好的对比度，而后者可以提供较高的分辨率。提供较高的分辨率。College of M
