1、模拟电子技术习题综述模拟电子技术习题第一章 二极管1、在N型半导体中，多数载流子为_D_，P型半导体_。A、空穴 带正电 B、自由电子 带负电 C、空穴 不带电 D、自由电子 不带电2、本征半导体中，自由电子的浓度_C_空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定3、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_B_。A、减小 B、增大 C、不变 D、不能确定 4、杂质半导体中，少子的浓度取决于A_。A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷5、二极管符号中的箭头方向与_C_方向一致。A、外加电压 B、载流子运动 C、正向电流 D、反向电流6、稳压二极管通常工作在_A_状态下，能够
2、稳定电压。A、反向击穿区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、正向截止区7、如下图，硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为_B_。A、10V B、6V C、16V D、-6V8、有关二极管的伏安特性，下列说法错误的是：D A、二极管施加大于死区电压的正向电压时导通； B、二极管施加反向电压时截止； C、二极管反向电压增加到一定值时反向击穿； D、二极管反向击穿时，通过的电流大小为0A。9、半导体二极管的最主要特性是_A_。A、单向导电性 B、温度特性 C、击穿特性 D、导通后管压降不变特性10、下列_C_不属于半导体特性。A、半导体中有两种载流子参与导电B、半导体的导电性能随温度
3、、光照发生变化C、半导体的原子最外层存在价电子D、掺入杂质可改变半导体的导电性能11、关于本征半导体说法错误的是_B_ _。A、热激发产生空穴B、热激发产生自由电子，导致半导体带负电C、自由电子、空穴数目相等D、电子空穴对越多，复合的概率也越大12、在本征半导体中加入 A 元素可以获得N型半导体。A、五价 B、四价 C、三价 D、任何杂质13、PN结的形成是由于_C_。A、多子扩散作用 B、少子漂移作用C、多子扩散与少子漂移共同作用 D、天然形成14、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是_A_。A、外电场加强内电场，耗尽层变宽B、外电场加强内电场，耗尽层变窄C、外电场削弱内电场，耗尽层
4、变窄D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽15、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是_A_。A、D1、D2均截止 B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止 D、D2导通、D1截止16、频率200M Hz、电流20mA的信号要通过二极管，可选用二极管为_B_。A、面接触型 B、点接触型 C、以上两者都可（问题）17、二极管外加正向电压时，其电阻性表现为_B_。A、不随电压变化，为定值B、随电压增加而减小C、随电压增加而增加14、关于稳压二极管，下列说法错误的是_C_。A、稳压二极管的正向特性与普通二极管相同B、稳定电压UZ为反向击穿电压C、稳定电流只需规定最大值D、动态电阻越小，稳压性能
5、越好（问题）15、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U1值是20V，则输出电压 U0为_B_。A、9V B、7V C、0V D、8V16、半导体中的载流子是（D）。A、自由电子 B、空穴 C、离子 D、自由电子和空穴17、硅二极管的死区电压为（C）V。A、0.1 B、0.3 C、0.5 D、0.7 18、由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为（C）。A.-12V B.+6V C.-6V D.+12VB19、二极管的反向击穿电压为200V，它的反向最高工作电压是_。（p6）A、50V B、100V C、200V D、150V20、硅二极管的
6、死区电压为_B_V，导通压降为_V。A、 0.3 ， 0.5 B、 0.5 ， 0.7 C、 0.3 ， 0.7 D、 0.7 ， 0.5第二章 三极管与单级放大电路1、在共发射极放大电路中，PNP三极管的发射级电位_B_。A、最低 B、最高C、为正电位 D、为负电位2、晶体管具有放大作用的外部条件是_D_。A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结正偏，集电结反偏3、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是_C_。A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、无法确定4、NPN三极管正常工作时
7、，电流的方向是_D_。A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出5、某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20A，则集电极电流为_A_mA。 A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2 （问题）6、测量放大电路某三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为_B_。A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管7、PNP与NPN三极管符号的区别是_A_画法不同。A、发射极 B、基极 C、集电极 D、管壳8、当温度升高时，晶体管输出特性曲线_A_，线与线之间间隔_
8、。 A、上移 变大 B、下移 变大 C、上移 变小 D、下移 变小（问题）9、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为_C_。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态 10、饱和失真是由于静态工作点设置过C_而产生的；截止失真是由于静态工作点设置过_而产生的。A、高 高 B、低 高 C、高 低 D、低 低11、某一NPN管组成的单管共射放大电路，输入电压为正弦波时，输出电压波形如下图示，该输出电压波形属于_B_。A、截止失真 B、饱和失真 C、频率失真 D、交越失真12、关于射极输出器的正确叙述是_A_。A、电压放大倍数略小于1，电压跟随性好 B、输入电阻低，输
9、出电阻高C、具有一定的电流放大能力，但没有功率放大能力 D、它是共发射级放大电路13、NPN管共射基本放大电路，当静态工作点设置的过低，会产生_D_，可以通过_基极电阻RB改善静态工作点。A、饱和失真 增大 B、饱和失真 减小 C、截止失真 增大 D、截止失真 减小14、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出与输入电压的相位_C_ 。 A、同相 B、相差90度 C、相差180度 D、相差270度15、所谓直接耦合放大器就是用_A_把放大器的前后极连接起来。A、导线 B、电容器 C、变压器 D、电阻器16、电压放大电路的作用是_A_。 A、放大微弱的电压信号 B、放大微弱的电流信号C、
10、在允许的失真范围内，使负载得到尽可能大的输出功率。17、放大电路主要有哪些元器件组成？ CA、电阻和晶体管 B、电阻、电容和晶体管 C、电阻、电容、电源和晶体管18、直接耦合放大器的输入级通常是_D_放大器。A、谐振 B、宽带 C、OTL互补对称 D、差动19、根据放大电路的连接方式，半导体三极管放大电路的组态有_B_。 A、共发射极放大电路和共基极放大电路 B、共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路 C、共基极放大电路和共集电极放大电路 D、共发射极放大电路和共集电极放大电路20、在三种组态的放大电路中既能够放大电流，又能够放大电压的是_C_。A、共基放大电路 B、共集放大电路
11、C、共射放大电路 D、射极输出器21、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_放大电路。A、共射极 B、共集电极 C、共基极 D、无法确定22、关于三极管下列说法正确的是_B_。A、发射区参杂杂质浓度低，面积适中B、基区参杂杂质浓度低，面积小C、集电区参杂杂质浓度高，面积大D、发射极与集电极可以随意互换23、关于电压放大电路直流通路和交流通路的画法，下列说法正确的是_B_。 A、直流通路中电容视为短路，交流通路中电容视为开路B、直流通路中电容视为开路，交流通路中电容视为短路C、直流通路中电容视为短路，交流通路中电容视为短路D、直流通路中电容视为开路，交流通路中电容视为开路如图所示晶体三极管放大电
12、路，设晶体管=37.5，UBE忽略不计，完成第2432题选择答案。 24、该放大电路属于_A_。 A、共发射极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路 D、分压式偏置放大电路 25、静态工作点I BQ_B_。 A、20A B、40A C、60A D、80A 26、静态工作点I CQ_C_。 A、0.5mA B、1mA C、1.5mA D、2mA 27、静态工作点UCEQ_C_。 A、12V B、9V C、6V D、3V 28、三极管动态输入电阻rbe_。 A、400 B、650 C、1.2K D、950 29、该电路的电压放大倍数Au_B_。 A、-70 B、-79 C、-158 D
13、、-169 30、输入电阻Ri_A_。 A、950 B、1.5K C、300 K D、4 K 31、输出电阻Ro_D_。 A、950 B、1.5K C、2K D、4 K32、若增大基极偏置电阻Rb，则输出信号会出现_B_。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、线性失真 33、已知三极管的极限参数为：ICM = 20 mA，PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V，则下列各静态工作参数属正常范围内的是 CA、ICQ = 25mA，UCEQ = 4V B、ICQ = 4mA，UCEQ = 25V C、ICQ = 10mA，UCEQ = 10V D、ICQ = 10mA，U
14、CEQ = 15V34、单级基本共射、共集放大电路，输入电阻Ri与负载电阻RL之间的关系，正确的是_B_。A、共射放大电路中，Ri与RL相关B、共集放大电路中，Ri与RL相关C、都相关 D、都无关35、若在输出特性曲线上做出交流负载线，则其斜率应为_D_。A、 B、 C、 D、36、温度升高时，下面关于三极管的参数变化描述错误的是_C_。A、增大 B、ICBO增大 C、UBE增大 D、IC增大三极管构成的放大电路如图所示，请选择3739题答案。37、该三极管放大电路，以下说法不正确的是_D_。A、共集电极放大电路 B、射极输出器 C、电压跟随器 D、输入信号从集电极取出38、该放大电路的电压放
15、大倍数和输入输出相位关系，正确的说法是_C_。A、电压放大倍数为，且输出信号与输入信号相位相反B、电压放大倍数为，且输出信号与输入信号同相位C、电压放大倍数约为1，且输出信号与输入信号同相位D、电压放大倍数约为-1，且输出信号与输入信号相位相反39、该放大电路的输入电阻_B_，输出电阻_，多用于输入级、输出级或缓冲级。A、高 高 B、高 低 C、低 高 D、低 低40、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望_A_。A、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好； B、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越小越好；C、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越大越好；D、输入电阻Ri越小越
16、好，输出电阻Ro越大越好；41、 某放大电路的输出电阻为2 K，测得未接负载时输出电压为3V，当接上2 K的负载时，输出电压为 B V。A、0 B、1.5 C、2 D、342、放大电路的输出电阻Ro越小，当负载变动时，放大电路的输出电压变动 A 。A、越小 B、越大 C、不变43、基本共射放大电路最常用的调整静态工作点的方法是调节（B）。A、Rc B、RB C、UCC44、以下_C_不属于电压放大器的理想指标。A、电压放大倍数大B、输入电阻大C、输入电阻小D、输出电阻小45、放大电路是否带负载将会影响其特性，下列说法错误是的_C_。A、带上负载，电压放大倍数更小B、带上负载，负载线的斜率更大C
17、、带上负载，负载线不通过静态工作点D、带上负载，输出电压的动态范围变小46、某放大电路正常工作是，测得UB = 1.5V，UE = 2.2V，则所用晶体管的类型及材料为_B_。A、NPN硅管 B、PNP硅管 C、NPN锗管 D、PNP锗管47、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出，由此可知对应电极是_B_。A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定48、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为_B_。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态49、晶体三极管的反向饱和电流ICBO是由_B_运动形成。A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子与少数
18、载流子共同作用 D、自由电子50、温度升高，晶体三极管的参数会发生变化，下列说法错误的是_D_。A、放大倍数 增大 B、UBEQ降低C、反向饱和电流增大 D、所构成基本放大电路的Q点下降第三章 多级放大电路1、一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为20dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为_C_。 A、0dB B、60dB C、80dB D、800dB 2、多级放大电路与其中每一级相比，频带_B_。 A、变宽 B、变窄 C、基本不变3、哪一种耦合方式会产生零点漂移？CA、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合4、组成多级放大器的目的是_C_。A、提高输
19、入电阻 B、提高输出电阻 C、提高放大能力 D、展宽频带5、集成运放的耦合方式是_C_。A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合6多级放大器的电压放大分别是10、25、40，总电压放大倍数为_D_。A、40 B、400 C、250 D、100007、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们连成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数为_C_。A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于9008、组成多级放大器的目的是_C_。A、提高输入电阻 B、提高输出电阻C、提高放大能力 D、展宽频带9、关于多级放大电路，下列说法错误的是D_。A、多级放大电路的前一级输出信号
20、，可以看成是后一级的输入信号B、多级放大电路的输入电阻为从第一级看进去的输入电阻C、后一级的输入电阻是前一级的负载电阻D、多级放大电路的输入电阻为第一的输入电阻，肯定与最终负载无关10、差模输入信号是差动放大电路两个输入端信号的_B_。A、和 B、差 C、比值 D、平均值11、要想使多级放大电路的各级电路的静态工作点稳定、相互独立，应该选择（A ）方式。A.阻容耦合 B. 直接耦合 C. 变压器耦合 D.无法确定12、多级放大电路中，零点漂移大的是（B）耦合方式。A.阻容耦合 B. 直接耦合 C. 变压器耦合（问题）13、电路放大倍数为1000，其分贝数是_C_。 A、10dB B、20dB
21、C、60dB D、80dB14、多级放大器总的输入阻抗应等于_B_A、信号源电阻 B、输入级的输入阻抗 C、中间级的输入阻抗 D、输出级的输入阻抗15、关于多级放大电路的耦合方式，说法正确的是CA、阻容耦合方式对低频信号影响小B、阻容耦合方式被广泛应用在集成电路中C、直接耦合的静态工作点不相互独立D、直接耦合方式简单，电路静态工作点计算也简单第四章 反馈放大电路1、反馈放大电路的含义是_B_。A、输入与输出之间有信号通路 B、电路中存在反向传输的信号通路 C、除放大电路之外还有信号通路2、放大电路为稳定静态工作点，应引入_A_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈3、
22、放大电路为稳定增益，应引入_B_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈4、放大电路为减少非线性失真，应适当引入_B_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈5、放大电路为扩展频带，应适当引入_B_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈6、某负反馈放大电路，输出端接地时，电路中的反馈量仍存在，则表明该反馈是_A_反馈。A、电流 B、电压 C、串联 D、并联7、如果希望减小放大电路向信号源索取的电流，则宜采用_C_负反馈。A、电压 B、电流 C、串联 D、并联8、若反馈深度1+FA1，则放大电路工作于_B_状态。 A、正反
23、馈 B、负反馈 C、自激振荡 D、无反馈9、若反馈深度1+FA0，则放大电路工作于_C_状态。 A、正反馈 B、负反馈 C、自激振荡 D、无反馈10、如图电路的反馈类型为_B_负反馈。A、电压并联 B、电压串联 C、电流并联 D、电流串联11、如果希望负载变化时输出电流稳定，则应引入_B_负反馈。A、电压 B、电流 C、串联 D、并联12、射级跟随器是_A_负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联13、引入_D_负反馈后，将使放大器的输出电阻增大，输入电阻减小。A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联14、如图电路中通过R4引入_B_负反馈。A、电压串联
24、B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联15、如下图电路的反馈类型为_B_负反馈。A、电压并联 B、电压串联 C、电流并联 D、电流串联16、如图所示的电路，R5引入的反馈类型为_B_。 A、电流串联负反馈 B、电压串联负反馈 C、电压串联正反馈 D、电流串联正反馈17、如图所示的电路，RF引入的反馈类型为_C_。 A、电流串联负反馈 B、电压并联正反馈 C、电压串联负反馈 D、电流并联正反馈18、如图所示电路，Rf引入的反馈类型为_C_。 A、交直流电压串联负反馈 B、交直流电流并联负反馈 C、交流电压串联负反馈 D、交流电流并联负反馈 19、如上题图所示的电路，R1引入的反馈类型为_B_。
25、 A、交流电压串联负反馈 B、直流电流并联负反馈 C、交流电流并联负反馈 D、直流电压并联负反馈20、已知负反馈放大器的300，0.01，则闭环增益应为_C_。A、3 B、4 C、75 D、10021、要稳定输出电压，使输出电阻降低，应引入的反馈为_A_。A、电压 B、电流 C、串联 D、并联22、关于负反馈对放大电路性能的影响，下列说法错误的是_D_。A、降低放大倍数 B、减小非线性失真 C、展宽频带 D、使输入电阻提高23、关于电路性能对负反馈效果的影响，下列说法正确的是_A_。A、电压负反馈，负载越大，效果越好 B、电流负反馈，负载越大，效果越好C、串联负反馈用于信号源内阻大的场合 D、
26、并联负反馈用于信号源内阻小的场合24、如图所示电路，在深度负反馈条件下，闭环电压增益为_B_。A、 B、 C、 D、25、如图所示的电路，R3引入的反馈类型为_C_。A、电流串联负反馈 B、电压串联负反馈 C、电压串联正反馈 D、电流串联正反馈26、为了提高增益，可适当引入（C）。A、交流负反馈 B、直流负反馈 C、交流正反馈第五章 集成放大电路1、集成运算放大器实质是_B_。A、单级放大器 B、直接耦合的多级放大器 C、阻容耦合的多级放大器 D、变压器耦合的多级放大器（问题）2、如下图所示的电路，Uo=_C_。A、2V B、4V C、6V D、10V3、组成加法器的运放工作在_A_状态。A、
27、线性 B、非线性 C、饱和 D、截止4、如图所示运算放大器电路，则_A_。A、 B、 C、 D、5、_B_比例运算电路的输入电阻低。A、同相 B、反相 C、同相与反相6、欲实现Au=100的放大电路，应选用_A_运算电路。A、反相比例 B、同相比例 C、积分 D、微分7、集成运算放大器工作在线性状态特点有_B_。 A、虚短、虚地 B、虚短、虚断 C、虚断、虚地 D、短路、断路 8、如图所示理想运算放大器电路工作在_A_。 A、线性区域 B、非线性区域 C、UU0状态 D、II0状态9、理想集成运算放大电路中，以下关系式正确的是_A_。 A、UU B、UU C、UU=0 D、II0 10、关于比例运算电路的说法，不正确的是_C_。 A、同相比例运算电路存在共模信号 B、反相比例运算电路不存在共模信号，即共模信号为零 C、同相和反相比例运算电路都存在虚地 D、同相比例运算电路比反相比例运算电路输入电阻高11、如图所示电路中理想集成运算放大器最大输出电压为10V，则输出电压Uo=_D_。 A、0V B、5V C、+10V D、-10V12、如图所示电路，
