1、技术培训内容技术培训内容（基础知识）一、 电阻1、 常用的种类（1）金属膜电阻型号 ：RJ (3)贴片电阻型号： （2）线绕电阻型号：RX (4)压敏电阻型号：（VSR）MY2、电阻器的基本参数（1）标称值及程度E24系列：1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1程度：5%，1%电阻值及程度等级一般都标在电阻器上，表示的方法有两种。数值表示法，直接把阻值的程度用数字印在电阻器上（用于较大的电阻器）如：2k75%,305%，贴片电阻的数字标示法：数
2、字1；数字2；数字3色码表示法，用色环颜色表示电阻值的程度色码颜色 棕红橙黄绿蓝紫灰白黑 数字 1234567890四色环电阻的表示法：第一色环：电阻值的第一位数字； 第二色环：电阻值的第二位数字； 第三色环：电阻值的第10n 次方倍数；（金：10-1；银：10-2） 第四色环：电阻值误差色环1k=1000;1M=1000 K; (2)额定功率：通常电阻器的功率有：1/8W;1/4W; 1/2W;1W; 2W;5W; 6W;8W等(3)最大工作电压与工作电流UM= p:电阻的功率，R电阻的阻值2、 国产电阻值规格标志RJ-0.25-10K1%R21-10-2k75%3、 电阻器的作用与使用电阻
3、器的作用： 限流；分压；与电容结合，形成充放电时间常数电路用于延时电路（2）电阻器的使用 电阻的串联与并联；串联： R总=R1+R2+ R3并联： 1/R总=1/R+1/R2+1/R3 R总=电阻的使用，不能超过电阻的最大电流和电压值，一般1/2-2/3科学计数法的运算与常用数量级的代表字母。 10A10B=10 A+B 10A10B=10 A-B(10 A) B=10 A*B101=1010-1=1/10100=1(千)K=103 1 k=1000 103 5.6k=5.6103（兆）M=106 1 M=1000k 106 1.5M =1.5106（千兆）G=109 1 G=1000M （千
4、兆）T=1012 1T =1000 G （豪）m=10-3 1 v=1000mv 1mv =1000v（微）=10-6 1f=1000nf（豪微）n=10-9 1nf=1000pf（微微）n=10-12 二、 电容器1、常用的电容种类（1）瓷片电容 型号CC1 (2)独石电容 型号CT4 (3)电解电容 型号 CD11、CD10 (4)聚苯乙烯电容 型号CBB2、电容器的主要参数、电容量、容差 K,10%,J, 5%,M5%20(独石电容和瓷片电容误差标志)额定电压：电解电容、变压瓷片电容标注在产品外表面上。小瓷片电容，电容量下面横线表示是50V产品，未标横线表示是25V或16V产品。电容器的
5、绝缘电阻与漏电电流一般的电容漏电是极小的，所以用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能，电解电容因漏电较大，所以用漏电电流表示其绝缘性能。3、电容器的串联与并联电容器的串联：电容器的并联：4、 电容器的作用：主要是隔直通分可用于交流耦合，隔离直流、滤波，交流脉冲量数 ，RC定时，LC谐振，选频电路5、 电容器的测量一般的电容先测试是否有漏电，可用指针表R10K档进行测量。电容量在10n以上，万用表进行测量时，刚接触时，指针有偏转 后，应回到零点，然后再交换表棒再测量，表针应比前一次大一些偏转再回到零点，说明电容无漏电，是好的，如稍有偏转，并回不到零点，说明电容有漏电，不能使用。电解电容的漏电电阻应在几百
6、K以上，否则不能正常工作判断电容无漏电，可用数字式万用表，电容档进行测量。用一块有测量电容量的数字式万用表，根据被测电容的大小，选择合适的量程档位，如20f档，把被测电容的两根引线，分别插在CX插孔内，即可从数字万用表的显示器上观察到被测电容量的大小。02nf20nf200nf2f20f,5档量程6、 电容器容量的标注方法：直接表示：p:4.7p 10p 39p；：0.01 0.1 0.22 数字表示：三位数码，第二位是有效数字，第一位是零的个数，第三位若是9表示10-1字母表示法：国际电工委员会推荐标注方法P nm1p5 47 3p91mF=1000f1f=1000nf1nf=1000pf三
7、、 RC电路当电阻R和电容C所组成的阻容电阻，一般称为RC电路，是电子电路中应用很广泛的一种基本电路，它可以组成RC耦合电路，RC滤波电路，RC定时或RC延时电路，RC每相电路以及微分电路，积分电路等。1、 RC电路的充放电规律。充电过程中，I从E/R值不断下降，而乙从零不断上升，由图片附表可以看出，充电过程中，VC i在一般变化都比较快，而随着时间的推移，变化越来越慢，当乙接近t=3-5时， VC 及i都已接近它们的最终值，因此一般认为t=3 =3RC时，充电过程已经基本结束。放电过程中，也同样可以放出放电流及电容两端电压UC的指数 方式，、在RC电阻中，电源经电阻充电或电容经电阻放电，都需
8、经一定时时间才能基本完成，在充放电过程中，UC和I随着时间的变化是随着时间的变化是遵循指数函数规律，时间常数I=RC是表示充放电过程快慢的物现量，I值越大，充放电过程越慢，一般认为，t=3I时，充放电过程基本结束。电容器两端的电压不能在瞬间发生突变，因为电容器两端的电压变化是靠极上的电位组织释放出来实现的。电容器在开始放电瞬间，可把其两端电压UC组为一个等效电源，但这个等效电源的电压，是随着放电而减小，一直到零为止。在充放电过程开始时，流过电容器的电流最大，电容量低阻性，相当于“短路”充放电过程中结束时，流过电容器的电流等于0，电容量变阻抗，相当于“短路”电容 起着隔直流作用。2电容对交流电的
9、作用。如果把电容器接在交流电路中，由于电容器的交替进行充电放电，电路中 有电流来回流动，所以交流电是能够通过电容器的。容抗：交流电通过电容器时，电容器对交流电的流动是有阻碍作用的，这种阻碍作用称为容抗。容抗的作用大小是由交流电频率和电容量大小来决定。XC=1/2f:频率（Hz），c:电容量（F）xc:容抗（）电流：电荷在导体中得移动称为电流。电荷有正负之分，电流的方向与电子移动的方向相反。四、 电感器1、 常用的电感器种类 空芯线圈； 磁芯线圈； 色码电感； 其电感标志方法与色环电阻一样，基本单位是： 铁芯线圈；2、 电感线圈的主要参数： 电感量 L .单位H（亨利），mH（豪亨）， 微亨电感
10、量也称自感系数，是表示电感元件，自感应张力的一个物理量。L的大小与线圈的正数，尺寸和导体材料有关，采用硅钢层或铁氧体磁芯体称为电感线圈得铁芯，可以较小得体积，较小得正数测得较大得电感量。感抗XL由于电感线圈得自感电势总是阻止线圈中电流的变化，因此线圈对交流器有阻力作用，阻力的大小就用感抗XL来表示，XL鱼线圈的电感量L和交流电得频率f有关。计算公式为：品质因素Q线圈在一定得交流电压下工作，其感抗鱼等效耗电阻之比称为Q值。Q= 损耗电阻f较低时可以认为基本上以线圈得直流电阻为止Q得数值大都在几十到几万，Q值越来变，电路得损耗越小，频率越高，3、 电感线圈的串联与并联1串联，各个电感首尾相接，总电
11、感值等于各电感值之和。2、 并联，总电感值得总数等于各个电感值数之和。铁氧体简介在铁氧体磁芯上绕上线圈制成得电感器与同体积得空芯线圈相比，电感量大，而且Q值也高。软磁铁氧体材料可分为两大类，铁氧体磁芯的常用种类有磁棒、磁环、磁珠、变压器磁芯， 磁帽，磁杈等。铁氧体磁芯五、 二极管1、 常用的二极管类型与性能整流二极管：工作电流大，电压高，频率低，1N4007、1N5408；检波二极管：电流小，电压低，频率高，正向压降小。2AP9, 2AP10;1N10开关二极管：开关时间 1N4148;2CK1稳压二极管：工作于反向击穿状态，动态电阻小，2CW56发光二极管：不同的管芯材料，能发出红绿黄蓝的颜
12、色光，VF=1.62.0V2、 二极管的优质特性二极管的晶体特性就是单向导电。正向特性：0A：反向特性：0D:反向漏电区。IR反向饱和电流。DE：反向击穿区，反向漏电急速增大。若无限流电阻，二极管发生热击穿，造成永久性损坏。最大整流电流 IF:二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向电流。如1N4007为1A；1N5408为3A；温升：硅15。最高反向工作电压VR:二极管能正常工作的最高电压：如1N4007为1000V；最大正向电压降VF:二极管通过额定电流时，二端产生的正向压降，一般不超过0.70.8V。最高工作频率fm：由于二极管 电容和扩散影响等使二极管的最高工作频率只能在一定的范围内，
13、超过就会严重发热，不能正常工作，甚至于损坏。3、 整流二极管的检测。判别正负极，测量正向电阻/电压有色环的一端为负极。用指针万用表测试时，黑表棒接正极，红表棒接负极， 用数字万用表测试时，黑表棒接负极，红表棒接正极，测量反向电阻，应为无穷大。稍有漏电，即为不合格。区分、高低频整流二极管，正向压降大的为低频管，压降小的为变频管。4、 整流桥堆5、 稳压二极管稳压二极管又称为齐纳二极管，简称稳压管，是一种工作在反向击穿状态的二极管。符号：伏安特性曲线：0A：反向截止区。A点：反向击穿点。AB：起始工作区；BC：工作区；稳压二极管的主要参数稳定电压UE，；稳定电流；最大工作电流；最大耗 功率；动态电
14、阻：动态电阻越小越好。6、 二极管在电子线路中的作用。整流、稳压、相位、检波、发光指示等；7、 二极管种类与质量好的简易判别。使用工具：指针式万用表的R1K，R10K档，数字式万用表的 档；外形相同或相似的二极管的判别（测量正向时用R1K档，测量反向时用R10K档 ）三极管：1、 常用的三极管类型：按导电性能可分为：PNP型，NPN型，场效应管等；按功率大小可分为：小功率管，中功率管，大功率管；按工作频率可分为：高频三极管，低频三极管按工作电压可分为：低压三极管，高压三极管；2、 三极管的基本工作原理（以NPN型三极管为例）3、 三极管的输入特性曲线与输出特性曲线1、 输入特性曲线：当发射一集
15、接电压UCE为常数时，基极电流 In与基-射极电压Ue之间的关系曲线，因为三极管的发射结是一个PN结，并且正向连接，所以三极管得输入特性曲线与二极管正向特性曲线一样的，硅三极管正常工作时，：2、 输出特性曲线：当基极电流In为正常时集电极电流Ic与集射极电压Uce之间得关系曲线。三极管得输出特性曲线，可以分为三个区：即截止区、放大区、饱和区。截止区：放大区：饱和区：在这个区域不同于的In的各条曲线几乎重叠在一起，也就是说当UCE较小时，IC基本上不随着功率变化，这种现象称为饱和，三极管失去放大作用，IC .3、 三极管的主要技术参数：1共发射极直流放大倍数 和交流放大倍数 特称频率，当三极管的
16、工作频率超过一定值时， 值开始下降，当 =1时，即对应的频率为4、 三极管的极限参数、集电极的最大电流Icm集电极电流Ic超过一定数值时，三极管的值下降， 值下降到正常的2/3时的集电极电流，称为集电极的最大允许电流Icm。集电极最大允许功率Pcm当三极管工作时，光子二端得压降为Uce，流过集电极的电流为Ic，损耗的功率为Pc=Ic*Uce，集电极消耗的电能转化为热能，使管子的温度升高，当Pc的数值超过某个数值时，三极管的因为PN结升温过高而热击穿损坏。这个数值称为最大允许功耗Pcm值。 反向击穿电压当三极管的PN结受到较高反向电压时，PN结就会发生反向击穿，结电阻突然下降，结电流立即上升，极
17、易损坏三极管。击穿电压用符号BV表示，BV的下角表示击穿电压的电极如第三电极的状态，常用的有：1、 集电极一发射极击穿电压BVceo. BVceo表示三极管基极开路时，允许加在集电极和发射极之间的最高电压。通常情况下，c、e极之间的电压不能超过BVceo，否则会引起三极管击穿或使其性能变化的，下标中的“0”表示基本开路。2、集电极一基极击穿电压BVceo，BVceo表示三极管的发射极开路，允许加在集电极和基极之间的最高电压。三极管的BVceo,应大于BVceo较小功率三极管的简易检测，检测设备用指针式万用表的R*1K档，1、 区分三极管的基极B，用指针式万用表R*1K档，把黑表棒接在三极管的某
18、一电极上，对其它二个电极进行测量，如果观察到二次测量的电阻值比较小，具有5K左右，那么黑表棒接触的电极为基极。而且这个三极管是NPN型三极管。2、 区分集电极与发射极因为三极管的发射结反向电压击穿电压只有78V，相当于一个78V的稳压管。用指针式万用表的红表棒接在已识别出的基极上。然后分别用黑表棒去测量出其它二个电极。如测到某一电极时，表针偏转约1/3量程，那么这个电极就是发射极。剩下的电极就是集电极。3、NPN型与PNP 型三极管的区分。用指针式万用表的红表棒放在一个三极管的某一电极上，把黑表棒去接触其它两个电极，如二次测量的电阻都很小，只有5K 左右，那么这个三极管就是PNP型三极管。把红
19、黑表棒换过来操作，先用黑表棒去接触三极管的某一电极上，如1操作，那么就是NPN三极管。6、三极管的作用（1）放大作用，对输入信号进行电压电流的放大。（2）开关作用：利用三极管的截止与饱和导通，对输入起到开关电路的作用。（3）其它作用：利用三极管与其它元器件的组合，在电路中可形成多种功能，是电子技术中重要的元器件之一。七、可控硅（晶闸管）可控硅也叫晶闸管，是一种以小控大的功率型（电流）器件，它像闸门一样，能够控制大电流的流通，晶闸管由此得名。可控硅具有硅整流器件的性能，能在高电压大电流条件下工作，并具有工作过程可控制，被广泛应用于可控整流交流调压，无阻电子开关，逆变及变频等电子电路中。1、 可控
20、硅的常用种类：有单向可控硅和双向可控硅两种。2、 单向可控硅的结构等小电流和电路符号。由结构图可见，单向可控硅由PNPN四层半导体材料组成。它的特征是：当阳极A和阴极K之间加上正向电压时，A、K之间还不能导通，只有当控制极G加上一个正向触发信号时，A、K之间才能进入导通状态。而A、K一旦导通后，即使取去掉G极上的正向触发信号，A、K二极之间仍保持导通状态，只有使A、K之间的正向电压电流足够小，或施加反向电压，才能使其恢复或截止中断状态。3、 单向可控硅的主要参数。（1） 反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定的 下，可控硅A与阴极K之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时，所对应
21、的峰值电压（2） 反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压是指可控硅在控制极G开路的情况下，允许加在A、K之间的最大反向峰值电压。此电压均为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。（3） 正向 VF VF是指在规定的环境温度和规定的散热条件下，当通过可控硅的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的 通常为0.41.2V。（4） 控制极触发电压VGTVGT是指在规定的环境温度下，可控硅阳极A与阴极K直接按为一定值正向电压的条件下，使可控硅从阻断状态转变为导通状态，所需要的最小控制极直流电压，一般在1.5V左右。（5）触发电流IGTIGT是指在规定的环境温度下，可控硅阳极A与阴极K 之间为一定
22、值的正向电压的条件下，使可控硅从阻断状态转变为导通状态所需要的最小控制极直流电流。（6）维持电流IH是指维持可控硅导通的最小电流，当正向电流小于IH时，导通的可控硅会自动 。4、 单向可控硅的典型应用。八、运算放大器的基本电路1、运算放大器的基本与分析的重点要计算与分析运算电路，必须掌握运算的两个特性。（1） 运算二个输入端之间的电压总是为零，即“虚短路”或称为“虚地”。（2） 二个输入端之间阻抗非常大，接近无穷大，即流入 输入端的电流为零，或称为“零电流输入特性”3、 运算放大器的符号运算放大器有两个输入端，分别标注：“”“”。输入信号U：从反向输入端输入时，输出信号U0与输入信号相位相反，
23、即Ui即0时，U00。当输入信号从同相输入端输入时，输出信号U0与输入信号相位相同，即Ui即0时，U00。4、 反相放大器电路根据上述的二个特性，分析反相放大器电路增益。由于运算 的输入端为“虚短路”，所以Vin=0，电阻R1右边的电位为0，因此流过R1的电流I1=Vi/R1=1mA根据运算放大阻入阻抗非常大的特性，运算 的输入电流Iin=0，而图中的电流全部流过Rf， VRF=RF*I1=10K*1mA=10V；由于Vin=0,所以RF左边的电位也是零。按照电流的方向，RF右边的电位比左边的电位 低Rf*I1,也就是输出端的电位为-Rf*I1，即V0=-Rf*I1=-10V。因为运算的增益是
24、AV=V0/ Vi=? 负号表示是V0的极性与Vi相反。由上述分析可以得到结论：运算的反相放大器中，电压的放大倍数AV=-Rf/R15、 同相放大器电路信号从同相输入端反馈电阻是接在输出端与反相输入端之间，放大倍数AV=1+Rf/R1根据运放的“虚地”特性，可认为Vi=V0，即增益V0/Vi=V0/Va;再根据运放的“零输入电流”特性，可认为Va=R1/ R1+ Rf* V05电压比较器电压比较器的基本功能是归一个输入电压与另一个输入电压进行比较，可以把较小的信号变化检测出来，由于电路是 环模式，是在二个输入端之间是电压跟随器当Rf=0时，最为一个同相输入放大器的特殊类型，其放大倍数 ，即放大
25、倍数是1，输入电压与输出电压是相等的，这样的电路称为电压跟随器。电路的特点是具有极高的输入阻抗和很低的输出阻抗，也就是说它的负载能力很强。在需要阻抗隔离或变换时，这种电路很有用。九、家保电路分析2、 变压器的主要参数变压比，n=U1/U2,U1变压器的初级电压，U2变压器的次级电压效率 ,在额定负载时，变压器的输出功率P2与输入功率之比，称为变压器的效率=P2/P1*100%, 总是小于100%的，因为存在铜损，铁损，（涡流、 ）小型变压器一般为=0.850.9变压器的功率，主要是根据变压器的输出功率，加上一定的损耗未确定。初级线圈的电压，电流。根据使用的工作电压及功率（包括损耗）未确定。次级线圈的电压、电流。次级线圈根据使用要求，可以是一个或是多个，总的功率是多个绕组功率之和。小型电源变压器：主要是为电子电路的正常工作提供电源，一般功率都比较小，（3-20W左右）有多个绕组输出，以满足电子电路不同直流电源电压的要求举例：200A的变压器，250A的变压器.
