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    集成电路、版图设计、电路设计、微电子、工艺、IC、芯片、笔试、面试题目-----超全了Word下载.doc

    • 资源ID:1104629       资源大小:551KB        全文页数:121页
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    集成电路、版图设计、电路设计、微电子、工艺、IC、芯片、笔试、面试题目-----超全了Word下载.doc

    1、具体应用时:使用时尽量避免各种串扰的引入,注意输出电流不易过大。器件外部的保护措施 低频时加限流电阻(使电源电流30mA) 尽量减小电路中的电容值。(一般C0.01mF) 2、什么是天线效应在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就象是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效,这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展,栅的尺寸越来越小,金属的层数越来越多,发生天线效应的可能性就越大。编辑本段天线效应的产生机

    2、理在深亚微米集成电路加工工艺中,经常使用了一种基于等离子技术的离子刻蚀工艺(plasma etching)。此种技术适应随着尺寸不断缩小,掩模刻蚀分辨率不断提高的要求。但在蚀刻过程中,会产生游离电荷,当刻蚀导体(金属或多晶硅)的时候,裸露的导体表面就会收集游离电荷。所积累的电荷多少与其暴露在等离子束下的导体面积成正比。如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上,就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成F-N 隧穿电流泄放电荷,当积累的电荷超过一定数量时,这种F-N 电流会损伤栅氧化层,从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重的降低。在F-N 泄放电流作用下,面积比较大的栅得到的损伤较小。因此,天线效应(

    3、Process Antenna Effect,PAE),又称之为“等离子导致栅氧损伤(plasma induced gate oxide damage,PID)”。编辑本段天线效应的消除方法1) 跳线法。又分为“向上跳线”和“向下跳线”两种方式,如图2(b)所示。跳线即断开存在天线效应的金属层,通过通孔连接到其它层(向上跳线法接到天线层的上一层,向下跳线法接到下一层),最后再回到当前层。这种方法通过改变金属布线的层次来解决天线效应,但是同时增加了通孔,由于通孔的电阻很大,会直接影响到芯片的时序和串扰问题,所以在使用此方法时要严格控制布线层次变化和通孔的数量。在版图设计中,向上跳线法用的较多,此

    4、法的原理是:考虑当前金属层对栅极的天线效应时,上一层金属还不存在,通过跳线,减小存在天线效应的导体面积来消除天线效应。现代的多层金属布线工艺,在低层金属里出现PAE 效应,一般都可采用向上跳线的方法消除。但当最高层出现天线效应时,采用什么方法呢?这就是下面要介绍的另一种消除天线效应的方法了。2) 添加天线器件,给“天线”加上反偏二极管。如图2(c)所示,通过给直接连接到栅的存在天线效应的金属层接上反偏二极管,形成一个电荷泄放回路,累积电荷就对栅氧构不成威胁,从而消除了天线效应。当金属层位置有足够空间时,可直接加上二极管,若遇到布线阻碍或金属层位于禁止区域时,就需要通过通孔将金属线延伸到附近有足

    5、够空间的地方,插入二极管。3) 给所有器件的输入端口都加上保护二极管。此法能保证完全消除天线效应,但是会在没有天线效应的金属布线上浪费很多不必要的资源,且使芯片的面积增大数倍,这是VLSI 设计不允许出现的。所以这种方法是不合理,也是不可取的。4) 对于上述方法都不能消除的长走线上的PAE,可通过插入缓冲器,切断长线来消除天线效应。在实际设计中,需要考虑到性能和面积及其它因素的折衷要求,常常将法1、法2 和法4 结合使用来消除天线效应。2、什么叫窄沟效应?当JFET或MESFET沟道较短,q,还有 clock的delay,写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式。25、什么是竞争与冒险现象?怎样

    6、判断?如何消除? 在组合逻辑中,由于门的输入信号通路中经过了不同的延时,导致到达该门的时间不一致叫竞争。产生毛刺叫冒险。如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。解决方法:一是添加布尔式的消去项,二是在芯片外部加电容。26、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素?28、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路 相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念)。29、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解,并举例说明竞争和冒险怎样消除。30、时钟周期为T

    7、,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min。组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min。问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。31、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)32、为了实现逻辑(A XOR B)OR (

    8、C AND D),请选用以下逻辑中的一种,并说明为什么?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)33、一个状态机的题目用verilog实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的)。34、A,B,C,D,E进行投票,多数服从少数,输出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0多,那么F输出为1,否则F为0),用与非门实现,输入数目没有限制。、用FSM实现101101的序列检测模块。a为输入端,b为输出端,如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0。例如a: 0001100110110100100110 b: 000000000

    9、0100100000000请画出state machine;请用RTL描述其state machine。35、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing。36、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz。37、什么是线与逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求? 线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上,要用oc门来实现,由于不用oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门。 同时在输出端口应加一个上拉电阻。38、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题 目) 39、述一下国内的工艺现状。40、体工艺中,掺杂有哪几种方式?4

    10、1、路和异步电路的区别是什么?42、辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。43、IC设计中同步复位与 异步复位的区别。44、ORE 与 MEELEY状态机的特征。45、域设计中,如何处理信号跨时域。46、reg的setup,hold时间,求中间组合逻辑的delay范围。Delay period - setup hold333435、说说静态、动态时序模拟的优缺点。47、给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,使得输出依赖于关键路径。48逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种(区别,优点),全加器等等。4

    11、9、用与非门等设计全加法器。50给出两个门电路让你分析异同。51简单电路实现,当A为输入时,输出B波形为(仕兰微电子)43、用波形表示D触发器的功能。44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。45、用逻辑们画出D触发器。46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。48、D触发器和D锁存器的区别。51、5253、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?(东信笔试)5556、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器,输入carryin和current-stage,输出carryou

    12、t和next-stage. 57、用D触发器做个4进制的计数。58、实现N位Johnson Counter,N=5。59、60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL,如设计计数器。61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。66、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现10进制计数器。67、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现消除一个glitch。68、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?69你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?70、描述你对集成电路设计流程的认识。71、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流

    13、程。72、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?73、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?74、用mos管搭出一个二输入与非门。75、画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路。(Infineon笔试) 76、用一个二选一mux和一个inv实现异或。77、画出Y=A*B+C的cmos电路图。(科广试题)78、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。79、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E)。80、什么是Setup 和Holdup时间?81、setup和holdup时间,区别.(南山之桥)82、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。83、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。84、卡诺图写出逻辑表达使。85、描述一个交通信号灯的设计。86、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。(Infineon笔试)笔试/面试题目集合分类-IC设计


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